一种LED芯片、显示装置及LED芯片加工工艺的制作方法

本发明涉及芯片，尤其涉及一种led芯片、显示装置及led芯片加工工艺。

背景技术：

1、在led(light emitting diode，发光二极管)芯片与驱动基板进行焊接的过程中，因led芯片的n型氮化镓层和p型氮化镓层之间存在高度差，不易直接与驱动基板进行焊接，需要在led芯片的n型氮化镓层和p型氮化镓层的位置处分别沉积一层厚度不同的金属层，使得两个金属层的高度一致，以方便将led芯片的n型氮化镓层和p型氮化镓层分别通过金属层与驱动基板上的焊盘进行匹配焊接，实现led芯片与驱动基板的电性连接，以使驱动基板能够驱动led芯片发光。

2、但是，在n型氮化镓层和p型氮化镓层上分别沉积一层厚度不同的金属层，且需要n型氮化镓层上沉积的金属层的与驱动基板焊接的一面、与p型氮化镓层上沉积的金属层的与驱动基板连接的一面位于同一平面内，增加了led芯片的加工工艺的复杂度。

技术实现思路

1、本申请实施例公开了一种led芯片、显示装置及led芯片加工工艺，能够简化led芯片的加工工艺，降低了led芯片的制作难度，从而提高了led芯片的制作效率。

2、为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例公开了一种led芯片，包括：

3、外延片，所述外延片包括第一氮化镓层、发光层及第二氮化镓层，所述发光层层叠设置于所述第一氮化镓层，所述第二氮化镓层层叠设置于所述发光层；

4、绝缘层，所述绝缘层包括层叠设置于所述第一氮化镓层的第一绝缘层、层叠设置于所述第二氮化镓层的第二绝缘层及包裹于所述发光层的侧壁和所述第二氮化镓层的侧壁的第三绝缘层，所述第一绝缘层、所述第三绝缘层及所述第二绝缘层依次连接，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层上分别设置有第一开口及第二开口；

5、第一焊接层，所述第一焊接层设置于所述第二绝缘层且通过所述第一开口延伸至所述第一氮化镓层；

6、第二焊接层，所述第二焊接层设置于所述第二开口且与所述第二氮化镓层连接，所述第二焊接层与所述第一焊接层间隔设置，所述第二焊接层的背离所述第二氮化镓层的一面与所述第一焊接层的背离所述第一氮化镓层的一面位于同一平面内且分别用于与驱动基板电连接。

7、在第一方面可能的实现方式中，所述第二绝缘层的背离所述第二氮化镓层的一面为水平面，所述第一焊接层设置于所述水平面且通过所述第一开口延伸至所述第一氮化镓层，所述第二焊接层与所述第一焊接层在所述水平面上间隔设置。

8、在第一方面可能的实现方式中，所述第二氮化镓层上层叠设置有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述第二氮化镓层和所述第二绝缘层之间，所述电流扩展层上层叠设置有金属层，所述金属层设置于所述第二开口中，所述金属层的背离所述电流扩展层的一面与所述水平面平齐，所述第二焊接层层叠设置于所述金属层的背离所述电流扩展层的一面。

9、在第一方面可能的实现方式中，所述外延片还包括层叠设置的衬底及缓冲层，所述第一氮化镓层层叠设置于所述缓冲层上，所述发光层及所述第二氮化镓层依次层叠设置于所述第一氮化镓层的一部分上，所述第一绝缘层覆盖于所述第一氮化镓层的另一部分上。

10、第二方面，本申请实施例还公开了一种显示装置，包括驱动基板，所述驱动基板包括本体及设置于所述本体上的多个第一焊盘和多个第二焊盘；

11、多个led芯片，所述led芯片为第一方面中任一种所述的led芯片，多个所述led芯片的多个所述第一焊接层与多个所述第一焊盘一一对应连接，多个所述led芯片的多个所述第二焊接层与多个所述第二焊盘一一对应连接。

12、第三方面，本申请实施例还公开了一种led芯片加工工艺，用于加工第一方面中任一种所述的led芯片，所述加工工艺包括以下步骤：

13、准备所述外延片；

14、在所述第一氮化镓层、所述第二氮化镓层、所述发光层的侧壁及所述第二氮化镓层的侧壁上沉积所述绝缘层；

15、在所述第一绝缘层上刻蚀所述第一开口，在所述第二绝缘层上刻蚀所述第二开口；

16、在所述第二绝缘层上沉积延伸至所述第一开口中与所述第一氮化镓层连接的所述第一焊接层，在所述第二开口中沉积与所述第二氮化镓层连接的所述第二焊接层。

17、在第三方面可能的实现方式中，所述在所述第一氮化镓层、所述第二氮化镓层、所述发光层的侧壁及所述第二氮化镓层的侧壁上沉积所述绝缘层，包括以下步骤：

18、在所述第二氮化镓层上沉积电流扩展层；

19、在所述第一氮化镓层、所述电流扩展层、所述发光层的侧壁、所述第二氮化镓层的侧壁及所述电流扩展层的侧壁上沉积所述绝缘层。

20、在第三方面可能的实现方式中，所述在所述第一绝缘层上刻蚀所述第一开口，在所述第二绝缘层上刻蚀所述第二开口之后，所述在所述第二绝缘层上沉积延伸至所述第一开口中与所述第一氮化镓层连接的所述第一焊接层，在所述第二开口中沉积与所述第二氮化镓层连接的所述第二焊接层之前，还包括以下步骤：

21、在所述第二开口内沉积与所述电流扩展层连接的金属层。

22、在第三方面可能的实现方式中，所述在所述第二绝缘层上沉积延伸至所述第一开口中与所述第一氮化镓层连接的所述第一焊接层，在所述第二开口中沉积与所述第二氮化镓层连接的所述第二焊接层，包括以下步骤：

23、在所述第一开口中沉积所述第一焊接层至所述第二绝缘层；

24、在所述金属层上沉积所述第二焊接层。

25、在第三方面可能的实现方式中，所述准备所述外延片之后，所述在所述第一氮化镓层、所述第二氮化镓层、所述发光层的侧壁及所述第二氮化镓层的侧壁上沉积所述绝缘层之前，还包括以下步骤：

26、清洗所述外延片；

27、对外延片进行刻蚀，裸露出部分所述第一氮化镓层。

28、与现有技术相比，本申请至少具有以下有益效果：

29、在本申请中，第二焊接层的背离第二氮化镓层的一面与第一焊接层的背离第一氮化镓层的一面位于同一平面内且分别用于与驱动基板电连接，在将led芯片与驱动基板进行焊接时，一方面，可使得第一氮化镓层和第二氮化镓层与驱动基板上的相对应的焊盘进行电连接时，可无需在第一氮化镓层和第二氮化镓层上额外沉积焊接剂，即使得第一氮化镓层通过第一焊接层以及第二氮化镓层通过第二焊接层与驱动基板上相对应的焊盘之间均能够充分的相互接触并进行焊接，提高了led芯片与驱动基板的焊接效率及焊接质量；另一方面，当第一氮化镓层为n型氮化镓层时，可无需在第一氮化镓层上沉积金属层，即能够使得第二焊接层的背离第二氮化镓层的一面与第一焊接层的背离第一氮化镓层的一面位于同一平面内，在方便led芯片与驱动基板的连接的同时，还能够简化led芯片的结构，减少了led芯片的加工工艺步骤，从而降低了led芯片的制作难度，进而提高了led芯片的制作效率。

技术特征：

1.一种led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的背离所述第二氮化镓层的一面为水平面，所述第一焊接层设置于所述水平面且通过所述第一开口延伸至所述第一氮化镓层，所述第二焊接层与所述第一焊接层在所述水平面上间隔设置。

3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述第二氮化镓层上层叠设置有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述第二氮化镓层和所述第二绝缘层之间，所述电流扩展层上层叠设置有金属层，所述金属层设置于所述第二开口中，所述金属层的背离所述电流扩展层的一面与所述水平面平齐，所述第二焊接层层叠设置于所述金属层的背离所述电流扩展层的一面。

4.根据权利要求1-3任一项所述的led芯片，其特征在于，所述外延片还包括层叠设置的衬底及缓冲层，所述第一氮化镓层层叠设置于所述缓冲层上，所述发光层及所述第二氮化镓层依次层叠设置于所述第一氮化镓层的一部分上，所述第一绝缘层覆盖于所述第一氮化镓层的另一部分上。

5.一种显示装置，其特征在于，包括驱动基板，所述驱动基板包括本体及设置于所述本体上的多个第一焊盘和多个第二焊盘；

6.一种led芯片加工工艺，其特征在于，用于加工权利要求1-4任一项所述的led芯片，所述加工工艺包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的led芯片加工工艺，其特征在于，所述在所述第一氮化镓层、所述第二氮化镓层、所述发光层的侧壁及所述第二氮化镓层的侧壁上沉积所述绝缘层，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的led芯片加工工艺，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上刻蚀所述第一开口，在所述第二绝缘层上刻蚀所述第二开口之后，所述在所述第二绝缘层上沉积延伸至所述第一开口中与所述第一氮化镓层连接的所述第一焊接层，在所述第二开口中沉积与所述第二氮化镓层连接的所述第二焊接层之前，还包括以下步骤：

9.根据权利要求8所述的led芯片加工工艺，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上沉积延伸至所述第一开口中与所述第一氮化镓层连接的所述第一焊接层，在所述第二开口中沉积与所述第二氮化镓层连接的所述第二焊接层，包括以下步骤：

10.根据权利要求6-9任一项所述的led芯片加工工艺，其特征在于，所述准备所述外延片之后，所述在所述第一氮化镓层、所述第二氮化镓层、所述发光层的侧壁及所述第二氮化镓层的侧壁上沉积所述绝缘层之前，还包括以下步骤：

技术总结
本发明公开了一种LED芯片、显示装置及LED芯片加工工艺。该LED芯片包括外延片、绝缘层、第一焊接层及第二焊接层，外延片包括第一氮化镓层、发光层及第二氮化镓层，绝缘层包括叠设于第一氮化镓层的第一绝缘层、叠设于第二氮化镓层的第二绝缘层及包裹于发光层的侧壁和第二氮化镓层的侧壁的第三绝缘层，第一绝缘层及第二绝缘层上分别设有第一开口及第二开口，第一焊接层设于第二绝缘层通过第一开口延伸至第一氮化镓层，第二焊接层设于第二开口与第二氮化镓层连接，第二焊接层的背离第二氮化镓层的一面与第一焊接层的背离第一氮化镓层的一面位于同一平面内且分别用于与驱动基板电连接。该LED芯片能够简化LED芯片的加工工艺，降低了LED芯片的制作难度。

技术研发人员：赵云飞
受保护的技术使用者：上海闻泰电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12