显示基板及其制备方法、显示面板与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

1、显示基板一直是显示领域必不可少的设备。目前，随着人们对生活质量要求的不断提高，显示领域也在不断提高自身的技术含量，使用户能够获得更好的使用观看体验。其中，柔性oled显示基板便是目前用户较为满意的一类显示基板。对于柔性oled显示基板，其包括有显示基板，显示基板的膜层结构较为复杂，各膜层之间发生脱落的风险较高，尤其是在源漏极上的钝化层，由于源漏极、源极、漏极等因为不是一个连续的层结构，导致覆盖在源漏极上的钝化层发生脱落的风险较大，以及还会影响到电器特性。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，用以改善钝化层发生脱落以及显示基板电器特性的问题。

2、而本申请为解决上述技术问题所采用的技术方案为：

3、第一方面，本申请提供了一种显示基板，包括：

4、衬底，所述衬底具有第一表面；

5、缓冲层，所述缓冲层设于所述第一表面上，所述缓冲层具有背离所述衬底的第二表面；

6、有源层，所述有源层设于所述第二表面上，所述有源层具有背离所述缓冲层的第三表面；

7、层间绝缘层，所述层间绝缘层设于所述缓冲层上且覆盖部分所述第三表面；

8、电极层，所述电极层设于所述层间绝缘层上；

9、第一钝化膜，所述第一钝化膜形成于所述第二表面，且所述第一钝化膜覆盖所述有源层、所述层间绝缘层以及所述电极层，所述第一钝化膜在无氩气环境下形成；

10、第二钝化膜，所述第二钝化膜形成于所述第一钝化膜背离所述衬底的表面；

11、其中，所述第一钝化膜和所述第二钝化膜均包括氧化硅。

12、在本申请的部分实施例中，所述层间绝缘层具有背离所述第三表面的第四表面，所述电极层包括：

13、栅极，所述栅极设于所述第四表面；

14、漏极，所述漏极设于所述第四表面并与所述有源层电连接；

15、源极，所述源极设于所述第四表面并与所述有源层电连接；

16、源漏极，所述源漏极设于所述第四表面。

17、在本申请的部分实施例中，所述显示基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述第一表面且所述缓冲层覆盖所述遮光层；所述层间绝缘层上开设有与所述源极对应的第一通孔，以及开设有与所述源漏极对应的第二通孔；所述缓冲层上开设有分别与所述第一通孔和所述第二通孔连通的第一连接孔和第二连接孔；其中，所述源极通过所述第一通孔和所述第一连接孔与所述遮光层连接，所述源漏极通过所述第二通孔和所述第二连接孔与所述遮光层连接。

18、在本申请的部分实施例中，所述栅极背离所述第一表面的表面、所述漏极背离所述第一表面的表面、所述源极背离所述第一表面的表面以及所述源漏极背离所述第一表面的表面均处于同一水平面。

19、在本申请的部分实施例中，所述第一钝化膜的厚度小于所述第二钝化膜的厚度，所述第一钝化膜的密度大于所述第二钝化膜的密度。

20、第二方面，本申请提供了一种显示基板，包括：

21、衬底，所述衬底具有第一表面；

22、缓冲层，所述缓冲层形成于所述第一表面上，所述缓冲层具有背离所述衬底的第二表面；

23、有源层，所述有源层形成于所述第二表面，所述有源层具有背离所述缓冲层的第三表面；

24、层间绝缘层，所述层间绝缘层形成于所述缓冲层上且覆盖部分所述第三表面；

25、电极层，所述电极层形成于所述层间绝缘层上；

26、第一钝化膜，所述第一钝化膜形成于所述第二表面，且所述第一钝化膜覆盖所述有源层、所述层间绝缘层以及所述电极层；

27、第二钝化膜，所述第二钝化膜形成于所述第一钝化膜背离所述衬底的表面；

28、其中，所述第一钝化膜和所述第二钝化膜均包括氢化硅；所述第一钝化膜中的氢含量大于所述第二钝化膜中的氢含量。

29、第三方面，本申请提供了一种显示基板的制备方法，包括：

30、提供一衬底，所述衬底具有第一表面；

31、在所述第一表面上沉积缓冲层，所述缓冲层具有背离所述衬底的第二表面；

32、在所述第二表面上沉积有源层，并对所述有源层进行热处理，所述有源层具有背离所述缓冲层的第三表面；

33、在所述缓冲层上沉积层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖部分所述第三表面；

34、在所述层间绝缘层上形成电极层；

35、在无氩气环境下，在所述第二表面上形成第一钝化膜，所述第一钝化膜覆盖所述有源层、所述层间绝缘层以及所述电极层；

36、在所述第一钝化膜背离所述衬底的表面形成第二钝化膜；

37、其中，所述第一钝化膜和所述第二钝化膜均包括氧化硅。

38、在本申请的部分实施例中，所述在所述缓冲层背离所述衬底的表面上形成第一钝化膜的步骤，包括：

39、提供无氩气环境，利用化学气相沉积设备在所述无氩气环境下，在所述第二表面上沉积氧化硅，以形成第一钝化膜；

40、所述在所述第一钝化膜背离所述衬底的表面形成第二钝化膜的步骤，包括：

41、在化学气相沉积设备中加入氩气并在所述第一钝化膜上沉积氧化硅，以形成第二钝化膜；

42、在本申请的部分实施例中，所述第一钝化膜的成膜速率小于所述第二钝化膜的成膜速率。

43、第四方面，本申请提供了一种显示面板，包括如第一方面所述的显示基板或者包括如第二方面所述的显示基板。

44、综上，由于采用了上述技术方案，本申请至少包括如下有益效果：

45、本申请所提供的一种显示基板及其制备方法、显示面板，在现有技术中top-gate结构的显示基板，由于top-gate结构中不同的电极层设于不同的半导体层上，导致电极层呈起伏状，在膜层较多的显示基板中，容易导致邻层之间的复合应力增大，导致膜层之间发生脱落。本申请主要通过将电极层设于层间绝缘层上，使各电极均位于同一层上，有利于减小起伏，降低复合应力，从而降低膜层脱落的风险；以及，通过将电极层设于层间绝缘层上，将层间介质层取消，达到减小显示基板所具有的的膜层的厚度，根据膜层厚度越厚、层数越多，复合应力越大的原理，便可以通过取消层间介质层达到减小膜层厚度的目的，从而进一步降低膜层间发生脱落的风险。除此以外，还通过设置第一钝化膜和第二钝化膜，利用第一钝化膜弥补电极层的起伏状，再利用第二钝化膜沉积在第一钝化膜上，使第二钝化膜能够沉积在平整的第一钝化膜上，降低膜层脱落的风险；以及第一钝化膜和第二钝化膜中均包括有氧化硅，利用氧化硅向有源层补充氧元素，以此提高器件特性。

技术特征：

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述层间绝缘层具有背离所述第三表面的第四表面，所述电极层包括：

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括遮光层，所述遮光层设于所述第一表面且所述缓冲层覆盖所述遮光层；所述层间绝缘层上开设有与所述源极对应的第一通孔，以及开设有与所述源漏极对应的第二通孔；所述缓冲层上开设有分别与所述第一通孔和所述第二通孔连通的第一连接孔和第二连接孔；其中，所述源极通过所述第一通孔和所述第一连接孔与所述遮光层连接，所述源漏极通过所述第二通孔和所述第二连接孔与所述遮光层连接。

4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述栅极背离所述第一表面的表面、所述漏极背离所述第一表面的表面、所述源极背离所述第一表面的表面以及所述源漏极背离所述第一表面的表面均处于同一水平面。

5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一钝化膜的厚度小于所述第二钝化膜的厚度，所述第一钝化膜的密度大于所述第二钝化膜的密度。

6.一种显示基板，其特征在于，包括：

7.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述缓冲层背离所述衬底的表面上形成第一钝化膜的步骤，包括：

9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一钝化膜的成膜速率小于所述第二钝化膜的成膜速率。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的显示基板或者包括如权利要求6所述的显示基板。

技术总结
本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，用以改善显示基板中各膜层之间发生脱落的问题。该显示基板包括：衬底，衬底具有第一表面；缓冲层，缓冲层设于第一表面上，缓冲层具有背离衬底的第二表面；有源层，有源层设于第二表面上，有源层具有背离缓冲层的第三表面；层间绝缘层，层间绝缘层设于缓冲层上且覆盖部分第三表面；电极层，电极层设于层间绝缘层上；第一钝化膜，第一钝化膜形成于第二表面，且第一钝化膜覆盖有源层、层间绝缘层以及电极层，第一钝化膜在无氩气环境下形成；第二钝化膜，第二钝化膜形成于第一钝化膜背离衬底的表面；其中，第一钝化膜和第二钝化膜均包括氧化硅。

技术研发人员：宋志伟,郑帅
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1