半导体器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体工业不断按比例缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，包括平面mosfet、鳍式场效应晶体管(finfet)和全环栅fet(gaa fet)。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；纳米结构沟道区域，设置在所述衬底上；栅极结构，围绕所述纳米结构沟道区域；第一空气间隔件，设置在所述栅极结构上；源极/漏极(s/d)区域，设置在所述衬底上；以及接触结构，设置在所述源极/漏极区域上，其中，所述接触结构包括：硅化物层，设置在所述源极/漏极区域上；导电层，设置在所述硅化物层上；介电层，沿所述导电层的侧壁设置；以及第二空气间隔件，沿所述阻挡层的侧壁设置。

2、本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；纳米结构沟道区域，设置在所述衬底上；栅极结构，围绕所述纳米结构沟道区域；源极/漏极(s/d)区域，设置在所述衬底上；以及接触结构，设置在所述源极/漏极区域上，其中，所述接触结构包括：硅化物层，设置在所述源极/漏极区域上；导电层，设置在所述硅化物层上；第一介电层，沿所述导电层的侧壁设置；第二介电层，沿所述第一介电层的侧壁设置；以及空气间隔件，设置在所述第一介电层和所述第二介电层之间。

3、本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成具有以交替配置布置的第一纳米结构层和第二纳米结构层的超晶格结构；在所述超晶格结构上形成多晶硅结构；在所述衬底上形成源极/漏极(s/d)区域；用栅极结构替换所述多晶硅结构和所述第二纳米结构层；在所述栅极结构上形成第一空气间隔件；在所述源极/漏极区域上形成开口；沿所述开口的侧壁形成半导体层；在所述开口中和所述半导体层上形成导电层；以及去除所述半导体层以沿所述导电层的侧壁形成第二空气间隔件。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：导电覆盖层，设置在所述栅极结构上，其中，所述第一空气间隔件设置为与所述导电覆盖层相邻。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：绝缘覆盖层，设置在所述栅极结构上，其中，所述第一空气间隔件设置在所述绝缘覆盖层和所述栅极结构的栅极电介质之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一空气间隔件设置在所述栅极结构的栅极介电层上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：其它介电层，设置在所述栅极结构上，其中，所述其它介电层的部分围绕所述第一空气间隔件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：其它介电层，设置在所述接触结构上，其中，所述其它介电层的部分围绕所述第二空气间隔件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一介电层和第二介电层，分别设置在所述第一空气间隔件和所述第二空气间隔件上，其中，所述第二介电层设置在所述第一介电层上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二空气间隔件垂直延伸至所述第一空气间隔件的顶面之上并且垂直延伸至所述第一空气间隔件的底面之下。

9.一种半导体器件，包括：

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

技术总结
公开了具有空气间隔件结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的纳米结构沟道区域、围绕纳米结构沟道区域的栅极结构、设置在栅极结构上的第一空气间隔件、设置在衬底上的源极/漏极(S/D)区域以及设置在S/D区域上的接触结构。接触结构包括设置在S/D区域上的硅化物层、设置在硅化物层上的导电层、沿导电层的侧壁设置的介电层以及沿阻挡层的侧壁设置的第二空气间隔件。

技术研发人员：苏焕杰,黄麟淯,王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14