一种基于HTCC的宽带电桥的制作方法

本发明属于3db电桥，尤其涉及一种基于htcc的宽带电桥。

背景技术：

1、随着5g通信技术的发展以及普及，随着全球各国对于通信的愈发重视，现在的通信技术正在飞速发展，对于原有的通信网络需要实现5g的全覆盖，原有的4g通信的器件，需要对其进行更新迭代，要替换原有的器件，完善5g通信的频段覆盖，从而满足5g通信的要求。在现代通信系统中，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。3db电桥是无源器件中十分常用的器件；例如：在信号合路、分路及功率合成中都用到，并且随着poi(多系统合路平台)市场的不断扩大，对其功率容量也提出了更高的要求。3db电桥在此运用十分广泛。

2、如今5g时代来临，通信传输的信号模式越来越多，伴随着的就是对无源器件的带宽有更高的指标，超宽带成为时代的大趋势，除了在通带内要满足常规指标以外，更低的插损、高方向性、大功率、小型化以及便于安装等要求也需要满足。因此，5g通信技术的普及要求我们亟需对现有3db电桥进行性能的改进，以在满足常规指标以外，提供更低的插损、高方向性、大功率、小型化的设计。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于提供一种基于htcc的宽带电桥，旨在解决传统的3db电桥在满足常规指标的情况下，存在高插损、方向性差，以及大功率下难以实现小型化中的至少一个缺陷。

2、本发明实施例是这样实现的，一种基于htcc的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；

3、所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；

4、所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；

5、所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；

6、所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；

7、所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。

8、本发明实施例提供的一种基于htcc的宽带电桥，采用高温共烧陶瓷（htcc）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带；设置的枝节，可以提高宽带电桥的方向性；采用多耦合腔结构的介质基板，便于在介质基板上下双面加载散热结构，来提升散热效果。

技术特征：

1.一种基于htcc的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔中两两腔体间的深度互不相同。

3.根据权利要求1或2所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有接地部，所述接地部包括金属地板、金属片或金属镀层。

4.根据权利要求1所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板的上下表面设置有散热结构，所述散热结构用于散发所述主线和次线工作产生的热量。

5.根据权利要求4所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述介质基板为氮化铝陶瓷基板，介电常数为9.5；

6.根据权利要求4所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述宽带电桥还包括壳体，所述壳体用于封装所述介质基板、主线、次线和散热结构。

7.根据权利要求6所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述壳体包括上盖和下壳，所述上盖与下壳可拆卸连接，所述下壳上设置有凹腔部，用于容纳所述介质基板。

8.根据权利要求7所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述下壳的两侧壁设置有贯通所述凹腔部的连接孔，所述连接孔上安装有同轴连接器，所述同轴连接器伸入所述连接孔中与对应的输入端、直通端、耦合端或隔离端连接。

9.根据权利要求1所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述主线中的各耦合线之间按照切角方式连接，所述次线中的各耦合线之间按照切角方式连接。

10.根据权利要求1所述的基于htcc的宽带电桥，其特征在于，所述枝节包括：第一枝节、第二枝节、第三枝节、第四枝节、第五枝节、第六枝节、第七枝节以及第八枝节；

技术总结
本发明适用于3dB电桥技术领域，提供了一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带。

技术研发人员：吴先良,郭晨,尹桂芳,吴博,汪海港,任中华,孔勐,张量
受保护的技术使用者：安徽蓝讯通信科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11