本发明涉及半导体生产制造,尤其涉及一种键合片处理装置。
背景技术:
1、在molding键合片激光解键合的工艺流程中,有一种molding键合片在激光解键合前需要进行环切处理,即用激光将molding键合片的边缘材料去除,激光在环切molding键合片的过程中会产生一定量的烟尘,烟尘的不及时排除就会导致空间内形成大量的颗粒,污染环境,严重的影响了空间内键合片的洁净度。
2、另外,在键合片激光解键合的工艺流程中,需要通过紫外激光照射释放材料诱导发生光化学反应,使其与临时键合材料分解失去粘性,在反应的过程中就会产生一定的烟尘,同样在一定程度上影响了键合片的洁净度。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种键合片处理装置,保证了键合片处理时的清洁度,避免了对环境的污染。
2、为实现上述目的,第一方面,本发明提供了一种键合片处理装置,包括基座、壳体、升降机构、排风组件和支撑机构;
3、所述升降机构设于所述基座上,所述升降机构与所述壳体和所述支撑机构均连接,用于带动所述壳体和所述支撑机构沿伸缩方向移动;
4、所述支撑机构用于支撑固定所述键合片;
5、所述排风组件设于所述基座,且所述排风组件位于所述壳体内,用于对所述壳体的内部环境进行清洁。
6、在一些实施例中,所述排风组件包括分别设置在所述支撑机构两侧的排风管,所述排风管用于对所述壳体内进行抽吸。
7、在一些实施例中,所述壳体包括固定壳体和升降壳体;
8、所述固定壳体固定设置在所述基座上,且与所述排风组件连接;
9、所述升降壳体活动的套设于所述固定壳体。
10、在一些实施例中,所述升降机构包括第一升降组件;
11、所述第一升降组件设置在所述基座,用于带动所述升降壳体移动。
12、在一些实施例中,所述支撑机构包括支撑针和真空盘,所述支撑针穿设于所述真空盘,所述支撑针和所述真空盘均用于支撑所述键合片;
13、所述升降机构包括第二升降组件,所述第二升降组件与所述支撑针连接,用于带动所述支撑针伸出或缩回所述真空盘。
14、在一些实施例中,所述支撑针具有吸附端,所述吸附端具有真空吸附功能,所述吸附端用于支撑吸附所述键合片。
15、在一些实施例中,所述支撑机构还包括支撑环,所述支撑环设于所述壳体内与所述第二升降组件连接,所述支撑针间隔的设于所述支撑环上。
16、在一些实施例中,所述支撑机构还包括支撑盘、密封圈、转接法兰和真空过渡座;
17、所述基座上设有支撑平台,所述支撑盘设于所述支撑平台上;
18、所述转接法兰设于所述支撑盘上;
19、所述真空过渡座穿设于所述支撑盘和所述转接法兰,并通过所述密封圈与所述真空盘连接。
20、在一些实施例中,所述真空盘上布置有真空槽,所述真空槽与所述真空过渡座导通。
21、在一些实施例中,所述吸附端采用防静电材质制备形成。
22、本发明提供的键合片处理装置的有益效果在于:通过在处理键合片时(比如环切、激光解键合)开启排风组件,实现对壳体内进行抽吸,以使键合片在环切与激光解键合工艺流程中所产生的烟尘排出,从而提高了洁净度。
1.一种键合片处理装置,其特征在于,包括基座、壳体、升降机构、排风组件和支撑机构;
2.根据权利要求1所述的键合片处理装置,其特征在于,所述排风组件包括分别设置在所述支撑机构两侧的排风管,所述排风管用于对所述壳体内进行抽吸。
3.根据权利要求1所述的键合片处理装置,其特征在于,所述壳体包括固定壳体和升降壳体;
4.根据权利要求3所述的键合片处理装置,其特征在于,所述升降机构包括第一升降组件;
5.根据权利要求1所述的键合片处理装置,其特征在于,所述支撑机构包括支撑针和真空盘,所述支撑针穿设于所述真空盘,所述支撑针和所述真空盘均用于支撑所述键合片;
6.根据权利要求5所述的键合片处理装置,其特征在于,所述支撑针具有吸附端,所述吸附端具有真空吸附功能,所述吸附端用于支撑吸附所述键合片。
7.根据权利要求6所述的键合片处理装置,其特征在于,所述支撑机构还包括支撑环,所述支撑环设于所述壳体内与所述第二升降组件连接,所述支撑针间隔的设于所述支撑环上。
8.根据权利要求5至7任一项所述的键合片处理装置,其特征在于,所述支撑机构还包括支撑盘、密封圈、转接法兰和真空过渡座;
9.根据权利要求8所述的键合片处理装置,其特征在于,所述真空盘上布置有真空槽,所述真空槽与所述真空过渡座导通。
10.根据权利要求6所述的键合片处理装置,其特征在于,所述吸附端采用防静电材质制备形成。