线圈组件的制作方法

本公开涉及一种线圈组件。

背景技术：

1、随着诸如数字电视、移动电话和笔记本电脑的电子装置的小型化和薄型化，需要应用于这些电子装置的线圈组件的小型化和薄型化，并且为了满足这种需要，正在积极地进行各种绕线型或薄膜型线圈组件的研究和开发。

2、线圈组件的小型化和薄型化的主要问题在于尽管其小型化和薄型化也实现与现有线圈组件相同的特性。为了满足这些需要，在芯中磁性材料可被充磁，应增加芯中的磁性材料的比率，但由于根据电感器的主体的强度和绝缘的频率特性的变化，导致增加该比率可能存在限制。

3、另一方面，小型化的薄膜型功率电感器可包括用于线圈层之间电连接的导电过孔。为了确保导电过孔和线圈层之间的对准，与线圈图案的最内匝的端部相比，可形成具有更大线宽的过孔焊盘。然而，在这种情况下，由于过孔焊盘的面积，可能无法充分确保芯的尺寸，因此线圈组件的磁特性可能劣化。

技术实现思路

1、本公开的一方面在于通过充分确保芯的尺寸，在有利于小型化的同时实现具有优异的特性的线圈组件。

2、根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体；绝缘层，设置在所述主体中；第一线圈，设置在所述绝缘层的第一表面上；第二线圈，设置在所述绝缘层的第二表面上；多个导电过孔，连接所述第一线圈和所述第二线圈；第一外电极，设置在所述主体上并且连接到所述第一线圈；以及第二外电极，设置在所述主体上并且连接到所述第二线圈，其中，所述多个导电过孔中的至少两个导电过孔分别包括多个侧表面，并且所述多个侧表面中的至少一个侧表面至少部分地不被所述绝缘层覆盖并从所述绝缘层暴露。

3、在实施例中，所述多个侧表面可包括不被所述绝缘层覆盖并且从所述绝缘层暴露的暴露的侧表面，并且所述暴露的侧表面可与所述绝缘层的一个侧表面共面。

4、在实施例中，所述暴露的侧表面可与所述第一线圈的一个侧表面和所述第二线圈的一个侧表面共面。

5、在实施例中，所述暴露的侧表面可以是平坦表面。

6、在实施例中，所述暴露的侧表面可在朝向所述第一线圈的芯或所述第二线圈的芯的方向上暴露。

7、在实施例中，所述多个侧表面可包括由所述绝缘层的一部分覆盖的不暴露的侧表面，并且所述不暴露的侧表面可包括弯曲表面。

8、在实施例中，在所述多个导电过孔中，在所述第一线圈和所述第二线圈的线宽方向上测量的最大宽度可大于所述暴露的侧表面的在垂直于所述线宽方向的方向上测量的宽度的一半。

9、在实施例中，所述第一线圈的一端可连接到所述第一外电极，并且所述第一线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第一焊盘区域。所述第一线圈中的所述第一焊盘区域的线宽可基本上等于所述第一线圈的连接到所述第一焊盘区域的不同区域的线宽。

10、在实施例中，所述第一线圈的一端可连接到所述第一外电极，并且所述第一线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第一焊盘区域。所述第一线圈中的所述第一焊盘区域的线宽可大于所述第一线圈的连接到所述第一焊盘区域的不同区域的线宽。

11、在实施例中，所述第一焊盘区域的线宽可大于等于所述导电过孔的在所述第一线圈的线宽方向上测量的宽度，并且小于等于所述导电过孔的在所述线宽方向上测量的宽度的两倍。

12、在实施例中，所述第二线圈的一端可连接到所述第二外电极，并且所述第二线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第二焊盘区域，并且所述第二线圈中的所述第二焊盘区域的线宽可基本上等于所述第二线圈的连接到所述第二焊盘区域的不同区域的线宽。

13、在实施例中，所述第二线圈的一端可连接到所述第二外电极，并且所述第二线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第二焊盘区域。第二线圈中的所述第二焊盘区域的线宽可大于所述第二线圈的连接到所述第二焊盘区域的不同区域的线宽。

14、在实施例中，所述第二焊盘区域的线宽可大于等于所述导电过孔的在所述第二线圈的线宽方向上测量的宽度，并且小于等于所述导电过孔的在所述线宽方向上测量的宽度的两倍。

15、在实施例中，所述多个导电过孔可布置在一个方向上。

16、在实施例中，所述多个导电过孔可包括三个或更多个导电过孔。

17、根据本公开的另一方面，一种线圈组件包括：主体；绝缘层，设置在所述主体中；第一线圈和第二线圈，设置在所述绝缘层的相对表面上；多个导电过孔，彼此间隔开并且穿过所述绝缘层连接所述第一线圈和所述第二线圈；第一外电极和第二外电极，设置在所述主体上并且分别连接到所述第一线圈和所述第二线圈。所述多个导电过孔中的每个的一部分从所述绝缘层的侧表面暴露。

18、根据本公开的又一方面，一种线圈组件包括：主体；绝缘层，设置在所述主体中；第一线圈，设置在所述绝缘层的第一表面上；第二线圈，设置在所述绝缘层的第二表面上；至少一个导电过孔，连接所述第一线圈和所述第二线圈；第一外电极，设置在所述主体上并且连接到所述第一线圈；以及第二外电极，设置在所述主体上并且连接到所述第二线圈。所述至少一个导电过孔包括从所述绝缘层至少部分地暴露的侧表面，并且所述第一线圈包括第一焊盘区域，所述至少一个导电过孔连接到所述第一焊盘区域，并且所述第一线圈中的所述第一焊盘区域的线宽基本上等于所述第一线圈的连接到所述第一焊盘区域的不同区域的线宽。

技术特征：

1.一种线圈组件，包括：

2.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述多个侧表面包括不被所述绝缘层覆盖并且从所述绝缘层暴露的暴露的侧表面，并且所述暴露的侧表面与所述绝缘层的一个侧表面共面。

3.如权利要求2所述的线圈组件，其中，所述暴露的侧表面与所述第一线圈的一个侧表面和所述第二线圈的一个侧表面共面。

4.如权利要求2所述的线圈组件，其中，所述暴露的侧表面是平坦表面。

5.如权利要求2所述的线圈组件，其中，所述暴露的侧表面在朝向所述第一线圈的芯或所述第二线圈的芯的方向上暴露。

6.如权利要求2所述的线圈组件，其中，所述多个侧表面包括由所述绝缘层的一部分覆盖的不暴露的侧表面，并且所述不暴露的侧表面包括弯曲表面。

7.如权利要求6所述的线圈组件，其中，在所述多个导电过孔中，在所述第一线圈和所述第二线圈的线宽方向上测量的最大宽度大于所述暴露的侧表面的在垂直于所述线宽方向的方向上测量的宽度的一半。

8.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一线圈的一端连接到所述第一外电极，并且所述第一线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第一焊盘区域，并且

9.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一线圈的一端连接到所述第一外电极，并且所述第一线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第一焊盘区域，并且

10.如权利要求8或9所述的线圈组件，其中，所述第一焊盘区域的线宽大于等于所述导电过孔的在所述第一线圈的线宽方向上测量的宽度，并且小于等于所述导电过孔的在所述线宽方向上测量的宽度的两倍。

11.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第二线圈的一端连接到所述第二外电极，并且所述第二线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第二焊盘区域，并且

12.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第二线圈的一端连接到所述第二外电极，并且所述第二线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第二焊盘区域，并且

13.如权利要求11或12所述的线圈组件，其中，所述第二焊盘区域的线宽大于等于所述导电过孔的在所述第二线圈的线宽方向上测量的宽度，并且小于等于所述导电过孔的在所述线宽方向上测量的宽度的两倍。

14.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述多个导电过孔布置在一个方向上。

15.如权利要求1所述的线圈组件，其中，所述多个导电过孔包括三个或更多个导电过孔。

16.一种线圈组件，包括：

17.如权利要求16所述的线圈组件，其中，所述多个导电过孔中的每个包括不被所述绝缘层的所述侧表面覆盖并且从所述绝缘层的所述侧表面暴露的暴露的侧表面，并且所述暴露的侧表面与所述绝缘层的所述侧表面共面。

18.如权利要求17所述的线圈组件，其中，所述暴露的侧表面与所述第一线圈的一个侧表面和所述第二线圈的一个侧表面共面。

19.如权利要求17所述的线圈组件，其中，所述暴露的侧表面是平坦表面。

20.如权利要求17所述的线圈组件，其中，所述暴露的侧表面在朝向所述第一线圈的芯或所述第二线圈的芯的方向上暴露。

21.如权利要求16所述的线圈组件，其中，所述多个导电过孔中的每个包括由所述绝缘层的一部分覆盖的不暴露的侧表面，并且所述不暴露的侧表面包括弯曲表面。

22.如权利要求16所述的线圈组件，其中，所述第一线圈的一端连接到所述第一外电极，并且所述第一线圈的相对端上的连接到所述多个导电过孔的区域称为第一焊盘区域，并且

23.一种线圈组件，包括：

24.如权利要求23所述的线圈组件，其中，所述第二线圈包括第二焊盘区域，所述至少一个导电过孔连接到所述第二焊盘区域，并且所述第二线圈中的所述第二焊盘区域的线宽等于所述第二线圈的连接到所述第二焊盘区域的不同区域的线宽。

25.如权利要求23所述的线圈组件，其中，所述至少一个导电过孔是多个导电过孔，所述多个导电过孔布置在所述第一线圈或所述第二线圈的延伸方向上并且按照间隔彼此间隔开。

26.如权利要求25所述的线圈组件，其中，所述多个导电过孔分别包括与所述绝缘层的侧表面共面的侧表面。

技术总结
本公开提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体；绝缘层，设置在所述主体中；第一线圈，设置在所述绝缘层的第一表面上；第二线圈，设置在所述绝缘层的第二表面上；多个导电过孔，连接所述第一线圈和所述第二线圈；第一外电极，设置在所述主体上并且连接到所述第一线圈；以及第二外电极，设置在所述主体上并且连接到所述第二线圈，其中，所述多个导电过孔中的至少两个导电过孔分别包括多个侧表面，并且所述多个侧表面中的至少一个侧表面至少部分地不被所述绝缘层覆盖并从所述绝缘层暴露。

技术研发人员：金材勳,金范锡,梁主欢,李宇鎭
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15