衬底处理装置和衬底处理方法与流程

本公开的实施例涉及衬底处理装置和衬底处理方法。

背景技术：

1、在半导体制造工艺的衬底工艺中，衬底可以在一般清洗之后经过超临界气体干燥处理。也就是说，衬底可以在一般清洗处理之后，在用超临界气体进行干燥之前被湿传送到超临界气体干燥机，并且干燥处理可以被执行。

2、同时，在单独的衬底工艺中，可以执行硫酸清洗，其中包含硫酸和过氧化氢的混合物的清洗溶液可以用于剥离涂敷在衬底上的抗蚀剂或去除附着到衬底表面的有机物质。

3、一般衬底处理装置可以具有超临界气体干燥设备与一般清洗设备一起配置的安装结构，并且可以不具有与硫酸清洗设备相关联的结构。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种衬底处理装置和衬底处理方法，可以在用硫酸清洗衬底之后用超临界气体对衬底进行干燥。

2、根据本公开的实施例，一种衬底处理装置，包括：清洗设备，用于清洗衬底；以及干燥设备，用于使用超临界气体对由清洗设备清洗后的衬底进行干燥，其中，清洗设备包括硫酸清洗室。

3、清洗设备可以包括至少一个第一处理槽和至少一个第二处理槽，并且第一处理槽和第二处理槽中的至少一个可以包括硫酸清洗室，并且干燥设备可以包括至少一个第三处理槽，并且第三处理槽可以是超临界气体干燥室。

4、第一处理槽和第二处理槽之一可以是使用作为清洗溶液的sc1、hf、lal和ipa之一的一般清洗室，并且其中另一处理槽可以是硫酸清洗室。

5、第一处理槽和第二处理槽可以用作硫酸清洗室和使用作为清洗溶液的sc1、hf、lal和ipa之一的一般清洗室。

6、根据本公开的实施例，一种衬底处理方法包括：清洗衬底的清洗步骤；以及用超临界气体对清洗后的衬底进行干燥的超临界干燥步骤，其中，清洗步骤包括硫酸清洗步骤。

7、清洗步骤可以包括：用作为清洗溶液的sc1、hf、lal和ipa之一清洗衬底的一般清洗步骤；以及用硫酸清洗衬底的硫酸清洗步骤，可以顺序地执行一般清洗步骤、硫酸清洗步骤和超临界干燥步骤。

8、清洗步骤可以包括：用作为清洗溶液的sc1、hf、lal和ipa之一清洗多个衬底的一部分的一般清洗步骤；以及用硫酸清洗多个衬底的剩余部分的硫酸清洗步骤，可以顺序地执行一般清洗步骤和超临界干燥步骤，并且可以顺序地执行硫酸清洗步骤和超临界干燥步骤。

1.一种衬底处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一处理槽和所述第二处理槽之一是使用作为清洗溶液的sc1、hf、lal和ipa之一的一般清洗室，并且其中另一处理槽是所述硫酸清洗室。

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一处理槽和所述第二处理槽用作所述硫酸清洗室和使用作为清洗溶液的sc1、hf、lal和ipa之一的一般清洗室。

5.一种衬底处理方法，包括：

6.根据权利要求5所述的衬底处理方法，

7.根据权利要求5所述的衬底处理方法，