具有电流检测器件的集成电路及其操作方法与流程

本发明构思总体上涉及静电放电(esd)事件的管理，更具体地涉及一种具有电流检测器件的集成电路及其操作方法。

背景技术：

1、通常，esd是与摩擦电有关的物理现象。在从集成电路(ic)生产、封装(pkg)组装以及印刷电路板(pcb)组装到完成产品组装的整个电子产品生产/分发过程中，器件中可能发生各种瞬变事件(例如，充电器件模型(cdm)、充电板事件(cbe)、人体金属模型(hmm)、人体模型(hbm)、突发、浪涌等)以损坏ic。

2、通常，在生产线中，仅管理周围环境以抑制或防止发生esd，而关于ic中发生的esd的电平的信息是未知的。由于未监测ic实际经历的esd电平，因此可能难以在esd故障发生之前主动管理esd。

技术实现思路

1、本发明构思的一个方面提供了一种可以用于管理esd事件的集成电路及其操作方法。

2、根据本发明构思的一个方面，一种集成电路包括：焊盘；电流检测器件，连接到焊盘，并且被配置为生成与静电放电(esd)事件相对应的监测信息；以及内部电路，被配置为从电流检测器件接收监测信息，其中，电流检测器件包括：电流感测电路，具有t线圈，该t线圈被配置为当esd事件发生时生成esd电流，并且还被配置为生成与esd电流相对应的感应电压；多个检测电路，基于感应电压输出检测信号；以及监测电路，被配置为从多个检测电路中的每一个接收检测信号，并且被配置为生成监测信息，其中，多个检测电路对感应电压具有不同的灵敏度。

3、根据本发明构思的另一方面，一种集成电路的操作方法包括：在t线圈中生成静电放电(esd)电流，将基于esd电流的感应电动势施加到并联连接到t线圈的多个检测电路中的每一个，响应于感应电动势引起多个检测电路中的每一个检测电路中的检测晶体管的特性的变化，以及存储esd事件信息和与检测晶体管的特性的变化相对应的esd电流特性信息。

4、根据本发明构思的另一方面，一种集成电路包括：内部电路；以及至少一个电流检测器件，连接到内部电路，该至少一个电流检测器件被配置为当静电放电(esd)事件发生时使用t线圈生成esd电流，并且被配置为使用多个检测电路基于esd电流检测esd电平，并且还被配置为基于esd电平生成esd监测信息，其中，内部电路包括：至少一个esd保护电路，被配置为保护内部电路免受esd事件的影响；以及esd检测寄存器，被配置为存储esd监测信息。

5、根据本发明构思的另一方面，一种集成电路包括：电流感测电路，被配置为当静电放电(esd)事件发生时使用t线圈生成esd电流；多个检测电路，连接到t线圈，并且被配置为接收与esd电流相对应的感应电压；以及监测电路，被配置为监测多个检测电路中的每一个检测电路的特性的变化。

技术特征：

1.一种集成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述感应电压是感应到所述t线圈的至少两个节点的电压。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述至少一个无源元件包括电阻器、电抗器、电容器或二极管。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述至少一个无源元件与所述检测晶体管并联或串联连接，使得所述检测晶体管的灵敏度被调整。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述至少一个无源元件包括设置在与所述感应电压相对应的耦合路径中的二极管。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述监测电路包括多个监测单元，所述多个监测单元被配置为分别从所述多个检测电路接收所述检测信号。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述多个监测单元中的每一个被配置为基于所述检测信号来监测所述多个检测电路中的相应检测电路的特性的变化。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其中，

11.一种集成电路，包括：

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述多个检测电路并联连接到所述t线圈，并且被配置为接收基于所述esd电流的感应电压。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述感应电压是感应到所述t线圈的至少两个节点的电压。

14.根据权利要求12所述的集成电路，其中，

15.根据权利要求11所述的集成电路，其中，

16.一种集成电路，包括：

17.根据权利要求16所述的集成电路，还包括：

18.根据权利要求17所述的集成电路，其中，所述多个检测电路中的每一个包括检测晶体管，所述检测晶体管被配置为基于所述感应电压改变特性。

19.根据权利要求17所述的集成电路，其中，

20.根据权利要求19所述的集成电路，其中，

技术总结
一种IC包括：焊盘；电流检测器件，连接到焊盘，并且被配置为生成与静电放电(ESD)事件相对应的监测信息；以及内部电路，被配置为从电流检测器件接收监测信息，其中，电流检测器件包括：电流感测电路，具有T线圈，该T线圈被配置为当ESD事件发生时生成ESD电流，并且还被配置为生成与ESD电流相对应的感应电压；多个检测电路，基于感应电压输出检测信号；以及监测电路，被配置为从多个检测电路中的每一个接收检测信号，并且被配置为生成监测信息，其中，多个检测电路对感应电压具有不同的灵敏度。

技术研发人员：朴准植,金熙洙,金庚锡,金南秀
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15