薄膜晶体管及阵列基板的制作方法

本申请涉及显示，具体涉及一种薄膜晶体管及阵列基板。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，液晶显示器(liquid crystal display，lcd)和有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

2、随着面板行业的不断发展，对显示面板有窄边框、高开口率、高亮度、高分辨率等参数提出了越来越高的要求，面板的制造也面临新的挑战。特别是在新兴显示技术领域，例如vr/ar显示、面板系统集成等领域，需要阵列基板具有超高ppi和亚微米级别的器件尺寸。为了达到这些要求，需求阵列器件的尺寸和占用面积尽可能减小。另一方面，为了提高薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)器件的迁移率，需要尽可能地减小沟道长度。目前常规的薄膜晶体管的沟道长度受曝光精度和刻蚀精度限制，有源层沟道长度往往大于1um。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种薄膜晶体管及阵列基板，其能够解决现有技术中的有源层沟道长度往往大于1um导致的tft器件的迁移率低下等问题。

2、为了解决上述问题，本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括：基板；有源层，设置于所述基板上，其包括沟道部；栅极绝缘层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧；第一绝缘层，设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二绝缘层和所述第一绝缘层形成有底切凹槽；栅极，填充于所述底切凹槽内，且与所述沟道部对应设置。

3、进一步的，所述栅极的长度范围为0.05um-0.5um。

4、进一步的，所述第一绝缘层的材质包括sinx，所述第二绝缘层的材质包括siox。

5、进一步的，所述有源层还包括连接于所述沟道部一侧的轻掺杂部、连接于所述轻掺杂部远离所述沟道部一侧的第一重掺杂部以及连接于所述沟道部远离所述轻掺杂部的一侧的第二重掺杂部。

6、进一步的，所述第一绝缘层覆盖所述第一重掺杂部和所述轻掺杂部。

7、进一步的，所述第二绝缘层覆盖所述第一重掺杂部、所述轻掺杂部以及所述沟道部。

8、进一步的，所述第二重掺杂部包括第一子重掺杂部和位于所述第一子重掺杂部和所述沟道部之间的第二子重掺杂部；所述第一子重掺杂部的掺杂浓度大于所述第二子重掺杂部的掺杂浓度。

9、进一步的，所述第二子重掺杂部的掺杂浓度大于所述轻掺杂部的掺杂浓度。

10、进一步的，所述第一子重掺杂部的掺杂浓度大于所述第一重掺杂部的掺杂浓度。

11、为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，其包括本发明所述的薄膜晶体管。

12、本发明的优点是：本发明在栅极绝缘层上依次制备第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层和所述第一绝缘层形成有底切凹槽；栅极填充于底切凹槽内，由此栅极的长度由底切凹槽的长度决定，即栅极的长度由底切凹槽的刻蚀量决定，进而可以摆脱曝光机精度的限制，通过调整底切凹槽的刻蚀参数降低栅极的长度，进而降低有源层的沟道部的长度，提升薄膜晶体管的迁移率。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的长度范围为0.05um-0.5um。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的材质包括sinx，所述第二绝缘层的材质包括siox。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括连接于所述沟道部一侧的轻掺杂部、连接于所述轻掺杂部远离所述沟道部一侧的第一重掺杂部以及连接于所述沟道部远离所述轻掺杂部的一侧的第二重掺杂部。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖所述第一重掺杂部和所述轻掺杂部。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层覆盖所述第一重掺杂部、所述轻掺杂部以及所述沟道部。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二重掺杂部包括第一子重掺杂部和位于所述第一子重掺杂部和所述沟道部之间的第二子重掺杂部；

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二子重掺杂部的掺杂浓度大于所述轻掺杂部的掺杂浓度。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子重掺杂部的掺杂浓度大于所述第一重掺杂部的掺杂浓度。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的薄膜晶体管。

技术总结
本发明涉及一种薄膜晶体管及阵列基板。本发明在栅极绝缘层上依次制备第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层和所述第一绝缘层形成有底切凹槽；栅极填充于底切凹槽内，由此栅极的长度由底切凹槽的长度决定，即栅极的长度由底切凹槽的刻蚀量决定，进而可以摆脱曝光机精度的限制，通过调整底切凹槽的刻蚀参数降低栅极的长度，进而降低有源层的沟道部的长度，提升薄膜晶体管的迁移率。

技术研发人员：罗成志
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8