本发明涉及一种基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,属于微波。
背景技术:
1、作为射频微波电路系统中的重要组成器件,滤波器一直往低成本、低功耗、体积小、高功率处理能力、易集成的方向发展。基片集成波导滤波器结合了波导以及平面结构,具备体积小、损耗小、易与平面电路相集成等优点。
2、由于现代通信电路系统信道数量越来越多,使得一个通讯系统可能存在数十种信道,传统单信道滤波的方式会使得电路尺寸急剧上升,并且设计复杂程度提高,并增加各方面成本。另一方面,受到非线性有源器件产生的寄生谐波影响,使得通带外产生很多靠近通带的干扰信号,这严重信道内部的传输质量。
3、为了解决以上问题,这就需要滤波器在一个通路中传输多个信道,因此,急需研究双通带基片集成波导滤波器。
技术实现思路
1、本发明提供了一种基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,解决了背景技术中披露的问题。
2、为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:
3、一种基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,包括堆叠的顶层金属基片和底层金属基片,顶层金属基片和底层金属基片之间堆叠有多个中间金属基片,相邻金属基片之间堆叠有介质基片;
4、介质基片上贯穿有金属化通孔阵列,介质基片上贯穿的金属化通孔阵列、上层的金属基片和下层的金属基片共同构成谐振腔;
5、相邻两谐振腔之间的金属基片上开有连接相邻两谐振腔的耦合孔组,耦合孔组包括缝隙孔对和组合孔,缝隙孔对位于主模的磁场最强处,组合孔包括缝隙孔和圆孔,组合孔中的缝隙孔位于高次模的磁场最强处,圆孔位于主模的电场最强处。
6、缝隙孔对提供主模在主耦合通路的磁偶合,通过调节缝隙孔对中缝隙孔的长度,控制主模的磁偶合量;
7、组合孔中的缝隙孔提供高次模的磁耦合,通过调节组合孔中缝隙孔的长度,控制高次模的磁偶合量;
8、圆孔提供主模的交叉电偶合,通过调节圆孔的半径,控制主模的交叉电偶合量。
9、缝隙孔对包括两个相对设置、且位于谐振腔两侧的缝隙孔,缝隙孔对的缝隙孔与相对的谐振腔侧壁平行;
10、圆孔的圆心位于谐振腔的中心线上;组合孔的缝隙孔穿过圆孔的圆心,并且圆心位于组合孔的缝隙孔中点位置,组合孔的缝隙孔与缝隙孔对的缝隙孔相互垂直。
11、相邻两金属基片中,位于谐振腔同侧的缝隙孔对的缝隙孔在同一竖向平面上,组合孔在中心位置在同一竖向平面上。
12、顶层金属基片上设置有输入端口,底层金属基片上设置有输出端口。
13、所述双通带基片集成波导滤波器为中心对称结构。
14、本发明所达到的有益效果:本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合孔组连接,使滤波器结构更加紧凑并保证电路整体的完整性,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且耦合孔组可以独立的耦合主模和高次模,达到独立控制双通带带宽的目的,同时主模的交叉电耦合通路可以通过圆孔实现,实现双通带的传输零点对称,使通带间的隔离性和带外抑制性更好。
1.一种基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,其特征在于,包括堆叠的顶层金属基片和底层金属基片,顶层金属基片和底层金属基片之间堆叠有多个中间金属基片,相邻金属基片之间堆叠有介质基片;
2.根据权利要求1所述的基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,其特征在于,缝隙孔对提供主模在主耦合通路的磁偶合,通过调节缝隙孔对中缝隙孔的长度,控制主模的磁偶合量;
3.根据权利要求1或2所述的基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,其特征在于,缝隙孔对包括两个相对设置、且位于谐振腔两侧的缝隙孔,缝隙孔对的缝隙孔与相对的谐振腔侧壁平行;
4.根据权利要求1所述的基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,其特征在于,相邻两金属基片中,位于谐振腔同侧的缝隙孔对的缝隙孔在同一竖向平面上,组合孔在中心位置在同一竖向平面上。
5.根据权利要求1所述的基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,其特征在于,顶层金属基片上设置有输入端口,底层金属基片上设置有输出端口。
6.根据权利要求1~5任一项所述的基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,其特征在于,所述双通带基片集成波导滤波器为中心对称结构。