室绝缘部件和基底处理设备的制作方法

本发明涉及一种室绝缘部件和一种包括室绝缘部件的基底处理设备。

背景技术：

1、需要对基底上的材料层实施具有高蚀刻速率的蚀刻工艺以制造诸如半导体装置和显示装置的电子装置。在用于执行干法蚀刻工艺的基底处理设备中，当施加以产生等离子体的射频(rf)功率损失时，蚀刻速率降低。

2、在第10-2007-0062102a号韩国专利公开中公开了相关技术。

技术实现思路

1、本发明提供一种能够在基底上实施具有高蚀刻速率的蚀刻工艺并且能够改善蚀刻均匀性的室绝缘部件以及一种包括室绝缘部件的基底处理设备。

2、然而，本发明的范围不限于此。

3、根据本发明的一方面，提供了一种室绝缘部件，所述室绝缘部件设置在用来在用于用等离子体处理基底的室中支撑所述基底的基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，所述室绝缘部件包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(rf)偏置功率的损失。

4、所述介电常数控制件可以包括孔隙。

5、所述室绝缘部件可以具有2％至20％的孔隙率。

6、具有所述第一介电常数的所述材料可以包括氮化铝(aln)、碳化硅(sic)、氧化钇(y2o3)、蓝宝石、氟氧化钇(yof)和氧化铝(al2o3)中的至少一种。

7、所述介电常数控制件可以包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。

8、根据本发明的另一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(rf)偏置功率的损失。

9、所述基底支撑件可以包括介电板和电极板，所述介电板用于在所述介电板上放置所述基底，所述电极板设置在所述介电板下方，并且所述绝缘板可以设置为与所述电极板的底表面接触，以防止施加到所述电极板的所述rf偏置功率的损失。

10、具有所述第一介电常数的所述材料可以包括氮化铝(aln)、碳化硅(sic)、氧化钇(y2o3)、蓝宝石、氟氧化钇(yof)和氧化铝(al2o3)中的至少一种。

11、具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件可以包括孔隙。

12、所述绝缘板的与所述基底的中心部分对应的中心区域中的孔隙率可以不同于所述绝缘板的与所述基底的边缘部分对应的边缘区域中的孔隙率。

13、所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率可以低于所述绝缘板的所述边缘区域中的所述孔隙率。

14、所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率可以高于所述绝缘板的所述边缘区域中的所述孔隙率。

15、所述绝缘板可以具有层叠结构，所述层叠结构具有不同的孔隙率，并且所述绝缘板的上层和下层中的孔隙率可以不同于介于所述上层和所述下层之间的中间层中的孔隙率。

16、所述上层和所述下层中的所述孔隙率可以低于所述中间层中的所述孔隙率。

17、所述上层和所述下层中的所述孔隙率可以高于所述中间层中的所述孔隙率。

18、具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件可以包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。

19、具有所述第二介电常数的所述颗粒可以包括氮化铝(aln)、碳化硅(sic)、氧化钇(y2o3)、蓝宝石、氟氧化钇(yof)和氧化铝(al2o3)中的至少一种。

20、所述绝缘板可以包括与所述基底的中心部分对应的中心区域以及与所述基底的边缘部分对应的边缘区域，并且所述中心区域中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度可以不同于所述边缘区域中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度。

21、所述绝缘板可以具有层叠结构，所述层叠结构具有不同分散密度的具有所述第二介电常数的所述颗粒，并且所述绝缘板的上层和下层中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度可以不同于介于所述上层和所述下层之间的中间层中的具有所述第二介电常数的所述颗粒的分散密度。

22、根据本发明的另一方面，提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及孔隙，分散在所述基体材料体中，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(rf)偏置功率的损失，其中，具有所述第一介电常数的所述材料包括氮化铝(aln)、碳化硅(sic)、氧化钇(y2o3)、蓝宝石、氟氧化钇(yof)和氧化铝(al2o3)中的至少一种，并且其中，所述绝缘板具有2％至20％的孔隙率。

技术特征：

1.一种室绝缘部件，设置在用来在用于用等离子体处理基底的室中支撑所述基底的基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，所述室绝缘部件包括：

2.根据权利要求1所述的室绝缘部件，其中，所述介电常数控制件包括孔隙。

3.根据权利要求2所述的室绝缘部件，其中，所述室绝缘部件具有2％至20％的孔隙率。

4.根据权利要求1所述的室绝缘部件，其中，具有所述第一介电常数的所述材料包括氮化铝、碳化硅、氧化钇、蓝宝石、氟氧化钇和氧化铝中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的室绝缘部件，其中，所述介电常数控制件包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。

6.一种基底处理设备，包括：

7.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，所述基底支撑件包括介电板和电极板，所述介电板用于在所述介电板上放置所述基底，所述电极板设置在所述介电板下方，并且

8.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，具有所述第一介电常数的所述材料包括氮化铝、碳化硅、氧化钇、蓝宝石、氟氧化钇和氧化铝中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件包括孔隙。

10.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板的与所述基底的中心部分对应的中心区域中的孔隙率不同于所述绝缘板的与所述基底的边缘部分对应的边缘区域中的孔隙率。

11.根据权利要求10所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率低于所述绝缘板的所述边缘区域中的所述孔隙率。

12.根据权利要求10所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板的所述中心区域中的所述孔隙率高于所述绝缘板的所述边缘区域中的所述孔隙率。

13.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板具有层叠结构，所述层叠结构具有不同的孔隙率，并且

14.根据权利要求13所述的基底处理设备，其中，所述上层和所述下层中的所述孔隙率低于所述中间层中的所述孔隙率。

15.根据权利要求13所述的基底处理设备，其中，所述上层和所述下层中的所述孔隙率高于所述中间层中的所述孔隙率。

16.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，具有所述第二介电常数的所述介电常数控制件包括具有低于所述第一介电常数的所述第二介电常数的颗粒。

17.根据权利要求16所述的基底处理设备，其中，具有所述第二介电常数的所述颗粒包括氮化铝、碳化硅、氧化钇、蓝宝石、氟氧化钇和氧化铝中的至少一种。

18.根据权利要求16所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板包括与所述基底的中心部分对应的中心区域以及与所述基底的边缘部分对应的边缘区域，并且

19.根据权利要求16所述的基底处理设备，其中，所述绝缘板具有层叠结构，所述层叠结构具有不同分散密度的具有所述第二介电常数的所述颗粒，并且

20.一种基底处理设备，包括：

技术总结
提供了一种室绝缘部件和一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：室，具有用于用等离子体处理基底的处理空间；基底支撑件，用于在所述室中支撑所述基底；以及绝缘板，设置在所述基底支撑件下方，以将所述基底支撑件与所述室电绝缘，其中，所述绝缘板包括：基体材料体，由具有第一介电常数的陶瓷材料制成；以及介电常数控制件，分散在所述基体材料体中，并且具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数，以防止施加到所述基底支撑件的用来控制所述等离子体中的离子能量的射频(RF)偏置功率的损失。

技术研发人员：李东穆
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15