具有电流感测功能性的集成电阻器的布局的制作方法

本发明大体上涉及无线电力，且更具体来说，涉及电流感测。

背景技术：

1、电流感测是无线电力系统中的一个块。所感测电流与电压测量一起提供系统的电力测量。电力测量对了解多少电力实际从传输器接收且输送到负载(例如电池)来说至关重要。特定来说，无线电力系统必须非常准确地测量电力以帮助外物检测。不期望外物从传输器接收电力且开始过热。接收器可包含电流感测功能性以测量所接收的电力以确定由外物造成的电力损失。可通过更准确地确定所接收的电流来预测由外物造成的电力损失。因此，期望以给定准确度水平确定所接收的电流。然而，无线电力系统的电流感测功能可包含由一或多个来源引入的不准确度。

2、鉴于上述情况，本公开的一或多个实施例提供一种包含经改进电流感测能力的集成电路。

技术实现思路

1、根据本公开的一或多个说明性实施例，描述一种集成电路。在一些实施例中，所述集成电路包含电流感测电路，其包含第一放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器及第五电阻器。在一些实施例中，所述第一电阻器包含第一电阻(rs)，所述第二电阻器及所述第三电阻器各自包含第二电阻(rt)，且所述第四电阻器及所述第五电阻器各自包含第三电阻(rb)。在一些实施例中，所述第一电阻器经配置以载送第一电流(isns)，所述第一电流(isns)是基于所述第一电阻(rs)及第一电压(vrect)与第二电压(vmid)之间的电压差。在一些实施例中，所述第一放大器经配置以基于所述电流(isns)输出第三电压(vo)。在一些实施例中，所述第一放大器的增益是基于所述第二电阻(rt)及所述第三电阻(rb)。在一些实施例中，所述第一电阻器由第一多个多晶硅片形成。在一些实施例中，所述第二电阻器由第二多个多晶硅片形成。在一些实施例中，所述第三电阻器由第三多个多晶硅片形成。在一些实施例中，所述第一多个多晶硅片、所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片安置于所述集成电路的层上。在一些实施例中，所述第二多个多晶硅片关于轴线相对于所述第三多个多晶硅片对称布置以减小所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片之间的应力差。

2、根据本公开的一或多个说明性实施例，描述一种无线电力系统。在一些实施例中，所述无线电力系统包含线圈。在一些实施例中，所述无线电力系统包含集成电路。在一些实施例中，所述集成电路包含整流器电路，其经配置以从所述线圈接收交流电且产生第一电压(vrect)。在一些实施例中，所述集成电路包含电流感测电路，其包含第一放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器及第五电阻器。在一些实施例中，所述第一电阻器包含第一电阻(rs)，所述第二电阻器及所述第三电阻器各自包含第二电阻(rt)，且所述第四电阻器及所述第五电阻器各自包含第三电阻(rb)。在一些实施例中，所述第一电阻器经配置以载送第一电流(isns)，所述第一电流(isns)是基于所述第一电阻(rs)及所述第一电压(vrect)与第二电压(vmid)之间的电压差。在一些实施例中，所述第一放大器经配置以基于所述电流(isns)输出第三电压(vo)。在一些实施例中，所述第一放大器的增益是基于所述第二电阻(rt)及所述第三电阻(rb)。在一些实施例中，所述第一电阻器由第一多个多晶硅片形成，所述第二电阻器由第二多个多晶硅片形成，且所述第三电阻器由第三多个多晶硅片形成。在一些实施例中，所述第一多个多晶硅片、所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片安置于所述集成电路的层上。在一些实施例中，所述第二多个多晶硅片关于轴线相对于所述第三多个多晶硅片对称布置以减小所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片之间的应力差。在一些实施例中，所述集成电路包含电压调节器电路，其经配置以调节所述第二电压(vmid)。在一些实施例中，所述集成电路包含处理器。在一些实施例中，所述处理器经配置以接收所述第三电压(vo)的一或多个数字信号且基于所述第三电压(vo)确定所述电流(isns)。在一些实施例中，所述无线电力系统包含电池充电系统。

技术特征：

1.一种集成电路，其包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片布置成与裸片边缘相距第一距离以减小所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片之间的所述应力差。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一电阻器包含第一行及第二行多晶硅片；其中所述第一行安置于所述裸片边缘与所述第二多个多晶硅片之间；其中所述第二行安置于所述裸片边缘与所述第三多个多晶硅片之间。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述第一电阻器包含第三行及第四行多晶硅片，所述第三行及第四行多晶硅片两者布置成与所述裸片边缘相距所述第一距离；

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片安置于所述第三行与所述第四行之间。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述集成电路具有应力梯度；其中所述应力梯度远离所述裸片边缘及远离所述轴线而减小。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括金属化层；其中所述第一多个多晶硅片通过所述金属化层耦合；其中所述第二多个多晶硅片通过所述金属化层耦合；其中所述第三多个多晶硅片通过所述金属化层耦合；其中至少一些所述第一多个多晶硅片经并联耦合使得所述第一电阻(rs)小于所述第二电阻(rt)。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述第一多个多晶硅片通过第一多个通路耦合到所述金属化层；其中所述第二多个多晶硅片通过第二多个通路耦合到所述金属化层。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中通路电阻匹配于所述第一电阻器与所述第二电阻器之间。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述通路电阻通过跳过所述第二电阻器的一或多个通路来匹配。

11.根据权利要求1所述的集成电路，所述第一电路进一步包括第一开关(m1)、第二开关(m2)、第三开关(m3)及第四开关(m4)；其中所述第一开关(m1)及所述第四开关(m4)关于所述轴线相对于所述第二开关(m2)及所述第三开关(m3)对称布置。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中所述第一开关(m1)及所述第四开关(m4)在所述层上指叉以减小通道电阻。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中所述第一开关(m1)、所述第二开关(m2)、所述第三开关(m3)及所述第四开关(m4)经提供用于测量所述第一电路的偏移。

14.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一多个多晶硅片、所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片各自包含第一孔径。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述第一孔径为50微米×4微米。

16.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电阻器耦合于具有所述第一电压(vrect)的第一节点与具有所述第二电压(vmid)的第二节点之间；其中所述第二电阻器耦合于所述第一节点与所述放大器的第一输入之间；其中所述第三电阻器耦合于所述第二节点与所述放大器的第二输入之间；其中所述第四电阻器耦合于所述放大器的第一输出与接地之间；其中所述第五电阻器耦合于所述放大器的第二输出与接地之间。

17.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述放大器是差分放大器。

18.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括关于所述轴线居中安置的一或多个封装引脚。

19.一种系统，其包括：

20.根据权利要求19所述的系统，其中所述系统能够配置于接收模式与传输模式之间；其中当所述系统处于所述接收模式中时，所述第一电流(isns)从所述整流器跨所述第一电阻器而提供到所述电压调节器；其中所述处理器经配置以当所述系统处于所述接收模式中时确定所述第一电流(isns)。

技术总结
本公开涉及一种具有电流感测功能性的集成电阻器的布局。一或多种布局技术可用于平衡电流感测电路。所述电流感测电路可包含由多晶硅材料形成的放大器的上层电阻器。所述上层电阻器可关于一或多个应力梯度对称布置以提高所述电流感测电路的准确度。所述应力梯度可包含关于轴线的应力梯度及相对于裸片边缘的应力梯度。

技术研发人员：R·德罗齐埃,J·阿克曼,M·鲁斯福德
受保护的技术使用者：安华高科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5