制造半导体装置的方法与流程

本公开涉及一种制造半导体装置的方法。

背景技术：

1、作为增加半导体装置的密度的缩放技术之一，已经提出了多栅极晶体管，其在衬底上形成鳍状或纳米线状的多沟道有源图案(或硅体)并在多沟道有源图案的表面上形成栅极。

2、由于多栅极晶体管使用三维沟道，所以它能够容易地执行缩放。此外，可以在不增加多栅极晶体管的栅极的长度的情况下提高电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区的电位受漏极电压影响的短沟道效应(sce)。

3、同时，随着半导体装置的间距尺寸的减小，可能需要研究减小电容并确保半导体装置中的接触件之间的电稳定性的方法。

技术实现思路

1、本公开提供了一种制造半导体装置的方法，该方法可以提高装置性能和可靠性。

2、本公开的技术方面不限于本文阐述的那些，并且本公开所属领域的普通技术人员通过参照下面给出的本公开的详细描述将清楚地理解其它未提及的技术方面。

3、根据实施例，一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在存在所述牺牲衬垫的同时执行离子注入工艺，离子注入工艺包括将杂质注入到源极/漏极图案中；去除牺牲衬垫并沿着所述接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

4、根据实施例，一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在源极/漏极图案中形成杂质区，在存在牺牲衬垫的同时执行形成杂质区的步骤；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫，接触衬垫包括硅、氧和碳；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件，源极/漏极接触件连接到源极/漏极图案。

5、根据实施例，一种制造半导体装置的方法可以包括：在衬底上形成鳍型图案和上图案结构，上图案结构包括交替堆叠在彼此上的多个牺牲图案和多个有源图案；在上图案结构中形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；形成连接到源极/漏极图案的片状图案，形成片状图案的步骤包括去除多个牺牲图案；在形成片图案之后，在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在存在所述牺牲衬垫的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫，并沿着接触孔的侧壁和底表面形成预接触衬垫，预接触衬垫包括sioc膜；沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫，形成接触衬垫的步骤包括去除蚀刻停止膜的一部分和预接触衬垫的一部分；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件，源极/漏极接触件连接到源极/漏极图案。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。

技术特征：

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触衬垫的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述牺牲衬垫的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触衬垫包括绝缘材料，所述绝缘材料包括碳和氧。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

6.根据权利要求4所述的方法，其中，

7.根据权利要求4所述的方法，其中，

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述接触衬垫包括碳氧化硅。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，随着所述接触衬垫远离所述源极/漏极接触件，所述接触衬垫中的碳氧比增加。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

11.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述离子注入工艺的步骤包括在所述源极/漏极图案中形成杂质区。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

13.一种制造半导体装置的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述接触衬垫的步骤包括通过去除所述蚀刻停止膜的一部分来暴露所述杂质区。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述牺牲衬垫包括氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、氧化硅、碳氧化硅和氮碳氧化硅中的至少一种。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，

17.根据权利要求13所述的方法，其中，

18.一种制造半导体装置的方法，包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，

20.根据权利要求18所述的方法，其中，

技术总结
一种制造半导体装置的方法可以包括：在鳍型图案上形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成蚀刻停止膜和层间绝缘膜；在层间绝缘膜中形成接触孔；沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫；在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺；去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫；以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。

技术研发人员：韩奎熙,白奉官,张相信,柳庚玟,白宗玟,申定候,林俊赫,千正焕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15