半导体结构及其制备方法与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。

背景技术：

1、随着科技的飞速发展，半导体结构在社会生产和生活中获得了越来越广泛的应用。然而，现有半导体结构的制备方法的成本较高。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，能够降低成本。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的制备方法，包括：

3、形成外延结构，所述外延结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；所述外延结构包括待改性区；所述沟道层和所述势垒层的材料选自ⅲ-ⅴ族化合物；

4、采用飞秒激光照射所述待改性区；

5、采用清洗液对经过照射的外延结构进行清洗；

6、在预设温度下通过蚀刻液对经过清洗后的外延结构进行刻蚀，以在所述外延结构上形成隔离槽。

7、进一步地，所述飞秒激光的波长为700nm-900nm；和/或

8、所述飞秒激光的脉冲宽度为25fs-40fs；和/或

9、所述飞秒激光的脉冲重复频率为900hz-1100hz。

10、进一步地，所述沟道层和势垒层的材料为gan、algan、ingan、alingan中的至少一种。

11、进一步地，所述蚀刻液包括碱溶液。

12、进一步地，所述碱溶液的浓度为6mol/l-7mol/l。

13、进一步地，所述预设温度为60℃-70℃。

14、进一步地，采用清洗液对经过照射的外延结构进行清洗包括：

15、依次采用丙酮、乙醇和去离子水对经过照射的外延结构进行清洗。

16、进一步地，所述隔离槽伸入所述沟道层内。

17、进一步地，所述蚀刻液的刻蚀时间为11h-13h。

18、本公开的半导体结构及半导体结构的制备方法，先通过飞秒激光照射待改性区，接着采用清洗液对经过照射的外延结构进行清洗，然后在预设温度下通过蚀刻液对经过清洗后的外延结构进行刻蚀，以在外延结构上形成隔离槽，从而实现了器件隔离，无需采用光刻机，降低了成本，并减少了工艺时间。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述飞秒激光的波长为700nm-900nm；和/或

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述沟道层和势垒层的材料为gan、algan、ingan、alingan中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液包括碱溶液。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述碱溶液的浓度为6mol/l-7mol/l。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述预设温度为60℃-70℃。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用清洗液对经过照射的外延结构进行清洗包括：

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离槽伸入所述沟道层内。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液的刻蚀时间为11h-13h。

10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1-9任一项所述的半导体结构的制备方法制备而成。

技术总结
本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构的制备方法可以包括：形成外延结构，所述外延结构包括层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；所述外延结构包括待改性区；所述沟道层和所述势垒层的材料选自Ⅲ‑Ⅴ族化合物；采用飞秒激光照射所述待改性区；采用清洗液对经过照射的外延结构进行清洗；在预设温度下通过蚀刻液对经过清洗后的外延结构进行刻蚀，以在所述外延结构上形成隔离槽。本公开能够降低成本。

技术研发人员：何溢勇,樊永辉,许明伟,樊晓兵
受保护的技术使用者：深圳市汇芯通信技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14