颜色转换结构、显示装置以及颜色转换结构的制造方法与流程

本公开涉及可转移到基板的颜色转换结构、包括颜色转换结构的显示装置以及颜色转换结构的制造方法。

背景技术：

1、液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器广泛用作显示装置。近来，对使用微型半导体芯片(微型发光二极管)制造高分辨率显示装置的技术越来越感兴趣。

2、采用微型半导体芯片的显示装置通过使用多种技术(诸如将具有微型尺寸的微型发光装置转移至显示装置的所需像素位置的技术、修复微型发光装置的工艺和实现所需颜色的方法)来制造。

技术实现思路

1、提供了一种可转移至基板的颜色转换结构。

2、提供了一种显示装置，包括可转移至基板的颜色转换结构。

3、提供了一种可转移至基板的颜色转换结构的制造方法。

4、附加方面将部分在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中是明显的，或可通过本公开的实施方式的实践来了解。

5、根据本公开的一方面，提供了一种颜色转换结构，包括：基底；在基底上的光子晶体结构；以及提供在光子晶体结构中的多个量子点。

6、基底可以包括包含凹槽的堤结构，光子晶体结构提供在凹槽中。

7、颜色转换结构可以以像素为单位配置，且是可转移的。

8、颜色转换结构可以进一步包括在光子晶体结构上的保护层。

9、保护层可以包括凹凸结构。

10、颜色转换结构可以进一步包括在光子晶体结构上的分布式布拉格反射层。

11、颜色转换结构可以进一步包括在凹槽的底部上的分布式布拉格反射层。

12、光子晶体结构可以具有小于凹槽的深度的厚度。

13、光子晶体结构可以具有约10μm至约15μm的厚度。

14、光子晶体结构可以包括堆叠结构，其中具有不同折射率的两个或更多个材料层交替排列。

15、基底可以包括具有栅格形状的凹槽阵列，光子晶体结构提供在凹槽阵列中。

16、基底可以包括凹槽，其中光子晶体结构可以包括：提供在凹槽中的第一材料层；以及三维排列在第一材料层中的多个第二材料部分。

17、第一材料层可以包括多孔材料，且多个量子点提供在多孔材料中。

18、多孔材料可以包括ngan。

19、颜色转换结构可以进一步包括在光子晶体结构的侧部分上的反射层。

20、颜色转换结构可以进一步包括提供在光子晶体结构的表面上的窗口区域，窗口区域被配置为允许光入射在光子晶体结构上。

21、颜色转换结构还可以包括提供在光子晶体结构表面上的透镜阵列，透镜阵列被配置为将光聚焦到光子晶体结构上。

22、根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括：显示基板；多个微型半导体芯片，提供在显示基板上并且彼此间隔开；以及在多个微型半导体芯片上的多个颜色转换结构，其中每个颜色转换结构可以包括：基底、在基底上的光子晶体结构和提供在光子晶体结构中的多个量子点。

23、根据本公开的另一方面，提供了一种颜色转换结构的制造方法，该方法包括：在基板上形成基底；在基底上形成光子晶体结构；在光子晶体结构中形成多个量子点；以像素为单位蚀刻基底和光子晶体结构；以及移除基板。

1.一种颜色转换结构，包括：

2.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述基底包括堤结构，所述堤结构包括凹槽，并且所述光子晶体结构提供在所述凹槽中。

3.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述颜色转换结构以像素为单位配置，并且是可转移的。

4.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括在所述光子晶体结构上的保护层。

5.根据权利要求4所述的颜色转换结构，其中所述保护层包括凹凸结构。

6.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括在所述光子晶体结构上的分布式布拉格反射层。

7.根据权利要求2所述的颜色转换结构，还包括在所述凹槽的底部上的分布式布拉格反射层。

8.根据权利要求2所述的颜色转换结构，其中所述光子晶体结构具有小于所述凹槽的深度的厚度。

9.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述光子晶体结构具有10μm至15μm的厚度。

10.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述光子晶体结构包括堆叠结构，其中具有不同折射率的两个或更多个材料层交替排列。

11.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述基底包括具有栅格形状的凹槽阵列，并且所述光子晶体结构提供在所述凹槽阵列中。

12.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述基底包括凹槽，以及

13.根据权利要求12所述的颜色转换结构，其中所述第一材料层包括多孔材料，并且所述多个量子点提供在所述多孔材料中。

14.根据权利要求13所述的颜色转换结构，其中所述多孔材料包括ngan。

15.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括在所述光子晶体结构的侧部分上的反射层。

16.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括提供在所述光子晶体结构的表面上的窗口区域，所述窗口区域被配置为允许光入射到所述光子晶体结构上。

17.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括提供在所述光子晶体结构的表面上的透镜阵列，所述透镜阵列被配置为将光聚焦到所述光子晶体结构上。

18.一种显示装置，包括：

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述光子晶体结构中的每个与所述多个微型半导体芯片中的相应一个相邻，并且面向所述多个微型半导体芯片中的所述相应一个。

20.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述基底包括包含凹槽的堤结构，并且所述光子晶体结构提供在所述凹槽中。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中所述多个颜色转换结构以像素为单位配置，并且是可转移的。

22.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述颜色转换结构中的每个还包括在所述光子晶体结构上的保护层。

23.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述光子晶体结构具有10μm至15μm的厚度。

24.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述光子晶体结构包括堆叠结构，其中具有不同折射率的两个或更多个材料层交替排列。

25.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述基底包括具有栅格形状的凹槽阵列，并且所述光子晶体结构提供在所述凹槽阵列中。

26.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述基底包括凹槽，以及

27.根据权利要求26所述的显示装置，其中所述第一材料层包括多孔材料，并且所述多个量子点提供在所述多孔材料中。

28.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述颜色转换结构中的每个还包括在所述光子晶体结构的侧部分上的反射层。

29.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述颜色转换结构中的每个还包括提供在所述光子晶体结构的表面上的透镜阵列，所述透镜阵列被配置为收集光。

30.一种制造颜色转换结构的方法，所述方法包括：

31.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述光子晶体结构上形成保护层。

32.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述光子晶体结构的侧壁上形成反射层。

33.根据权利要求30所述的方法，其中在所述基底上形成光子晶体结构包括：

34.根据权利要求30所述的方法，其中形成所述光子晶体结构包括通过交替排列具有不同折射率的两个或更多个材料层来形成堆叠结构。

35.根据权利要求30所述的方法，其中形成所述光子晶体结构包括：

36.根据权利要求30所述的方法，其中形成所述光子晶体结构包括：

37.根据权利要求36所述的方法，其中所述第一材料层包括多孔材料，并且所述多个量子点提供在所述多孔材料中。

38.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述光子晶体结构的表面上提供透镜阵列，所述透镜阵列被配置为将光聚焦在所述光子晶体结构上。