一种晶圆测试承载台及用于晶圆测试的晶圆固定方法与流程

本发明涉及晶圆测试，尤其涉及一种晶圆测试承载台及用于晶圆测试的晶圆固定方法。

背景技术：

1、晶圆(wafer)在切割之前通常需要进行晶圆测试(chip probing)，以挑出不良品，对良品进行封装，使得产品质量得到保证。

2、现有半导体加工工艺中，固定晶圆的方式主要由以下三种：第一，通过夹持头对晶圆进行夹持，从而固定晶圆；第二，通过静电吸附作用将晶圆固定于加工装置上；第三，采用真空吸附的方式来固定晶圆。其中，真空吸附的方式能够使晶圆受力均匀，不容易损伤晶圆，且真空吸附对环境的要求低。因此，通过真空吸附固定晶圆的方式应用较广泛。

3、现有技术在对晶圆真空吸附过程中，容易造成晶圆破裂，即易破片，降低封装良率的问题。

4、因此需要设计一种晶圆测试承载台以解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种晶圆测试承载台，用于解决背景技术中所提及的技术问题。

2、为解决上述问题，本发明提供以下技术方案：包括：

3、盘体，所述盘体包括吸附面，所述吸附面用于吸附晶圆；

4、位于所述吸附面的若干负压气槽，所述负压气槽的深度小于0.2mm；

5、位于所述负压气槽的若干负压气孔。

6、进一步的，所述负压气槽是以盘体的中心为圆心的为环形结构。

7、进一步的，所述负压气槽的深度不大于0.1mm。

8、进一步的，所述负压气孔的孔径不大于0.15mm。

9、进一步的，所述盘体还包括底盘，所述底盘连接负压产生装置，所述底盘位于所述吸附面的下方，所述底盘与所述吸附面之间形成一腔体。

10、还提供了一种用于晶圆测试的晶圆固定方法，包括：

11、提供晶圆测试承载台；

12、清理晶圆测试承载台的吸附面上的杂质；

13、提供晶圆，并将晶圆放置在吸附面的预设位置；

14、吸附面工作将晶圆吸附固定。

15、进一步的，通过吹尘枪清理吸附面上的杂质。

16、与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：

17、通过将负压气槽的深度设计成小于0.2mm，有效避免了杂质嵌入负压气槽内部难以清理的问题，避免了负压气槽因杂质的存在导致晶圆被吸附时受力不均容易破片的问题。

技术特征：

1.一种晶圆测试承载台，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述负压气槽是以盘体的中心为圆心的环形结构。

3.根据权利要求2所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述负压气槽的深度不大于0.1mm。

4.根据权利要求1至3任一所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述负压气孔的孔径不大于0.15mm。

5.根据权利要求4所述的晶圆测试承载台，其特征在于，所述盘体还包括底盘，所述底盘连接负压产生装置，所述底盘位于所述吸附面的下方，所述底盘与所述吸附面之间形成一腔体。

6.一种用于晶圆测试的晶圆固定方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的用于晶圆测试的晶圆固定方法，其特征在于，通过吹尘枪清理吸附面上的杂质。

技术总结
本发明提供了一种晶圆测试承载台，盘体，所述盘体包括吸附面，所述吸附面用于吸附晶圆；位于所述吸附面的若干负压气槽，所述负压气槽的深度小于0.2mm；位于所述负压气槽的若干负压气孔；通过将负压气槽的深度设计成小于0.2mm，有效避免了杂质嵌入负压气槽内部难以清理的问题，避免了负压气槽因杂质的存在导致晶圆被吸附时受力不均容易破片的问题。

技术研发人员：刘静
受保护的技术使用者：上海赛米德半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24