本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法、半导体器件的制造方法、清洁方法、及记录介质。
背景技术：
1、作为半导体器件的制造工序的一个工序中使用的衬底处理装置，有构成为在将衬底载置在设置在处理室内的衬底载置台上的状态下对处理室供给处理气体以对衬底进行处理的装置(例如参见专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2015-183271号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、有时会在衬底载置台上形成不希望的膜。不希望的膜有可能对衬底处理产生影响。
3、本发明提供能降低形成于衬底载置台的不希望的膜的影响的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本发明的一个方式，提供在被配置于处理室的衬底载置台的衬底载置面有衬底的状态下，向前述处理室供给处理气体，在前述衬底载置面无前述衬底的状态下，向前述衬底载置台的侧面供给清洁气体及清洁辅助气体的技术。
6、发明效果
7、根据本发明，能降低形成于衬底载置台的不希望的膜的影响。
1.衬底处理装置，其具有：
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洁气体供给系统具有：
3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在所述处理室的下方设置有能搬送所述衬底的搬送室，
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洁气体供给系统将所述清洁气体和所述清洁辅助气体以在所述衬底载置台的侧方进行混合的方式供给。
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洁辅助气体具有与所述清洁气体反应而能清洁所述衬底载置台的侧面的性质。
6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其还设置有能使所述衬底载置台升降的升降部，
7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述清洁气体供给系统具有：
8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其构成为使得所述清洁气体与所述清洁辅助气体在所述清洁气体流路中反应。
9.如权利要求6所述的衬底处理装置，其构成为在从所述第二气体供给系统供给所述清洁辅助气体时，使得所述清洁气体流路的温度比所述处理室的温度低。
10.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述衬底载置台之中在设置有所述衬底载置面的面上设置有端面，
11.如权利要求1所述的衬底处理装置，其进一步具备设置在所述处理室的上游的簇射头，
12.如权利要求1所述的衬底处理装置，其进一步具备设置在所述处理室的上游的簇射头，
13.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洁气体供给系统在从开始所述清洁气体的供给起经过规定时间后，开始所述清洁辅助气体的供给。
14.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洁气体供给系统在维持所述清洁气体的供给的状态下，开始所述清洁辅助气体的供给。
15.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述清洁气体供给系统在不向所述处理室供给所述清洁辅助气体的情况下开始所述清洁气体的供给。
16.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以将所述清洁气体的供给和所述清洁辅助气体的供给重复至少一次以上的方式进行控制。
17.如权利要求16所述的衬底处理装置，其中，在所述清洁气体的供给和所述清洁辅助气体的供给之后，对所述处理室内的气氛进行吹扫。
18.如权利要求1所述的衬底处理装置，其进一步具备设置在所述处理室的上游的簇射头，
19.衬底处理方法，其中，
20.半导体器件的制造方法，其中，
21.清洁方法，其中，
22.计算机可读取的记录介质，其记录有下述程序，该程序利用计算机使衬底处理装置执行：