一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置的制作方法

本发明涉及半导体晶圆，具体为一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置。

背景技术：

1、随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，半导体器件互连布线的密度急剧增加，导致互联系统中电阻、电容带来的rc耦合寄生效应迅速增加，影响了器件的速度，其中，随着线宽的逐渐减小，金属线的阻值也变的越来越大，因此器件对金属线的要求越来越高。铜作为一种低阻值，抗电子迁移性能好的金属被广泛应用于金属导线的制作，但由于铜金属具有不易刻蚀和副产物难挥发的特性，因此金属线主要用电镀工艺进行制作，目前半导体电镀工艺制作金属线时，由于晶圆需要和电镀液接触，因此在电镀制程结束时，需要将晶圆表面的电镀液清洁干净，以防止残留的酸导致铜金属残留在晶圆表面，而传统的半导体晶圆用清洗装置，在使用时大多固定效果均不佳，在清洗过程中可能因为晃动或水流冲动，导致晶圆在清洗箱内部发生损坏，使晶圆无法使用，造成极大的损失情况，同时晶圆片在制作过程中，其通过需要利用光刻胶作为媒介来实现光刻掩膜版到晶圆片的图形转移，但因晶圆片在光刻过程中，其多余的光刻胶则是通过离心旋转作用甩出的，故而晶圆片表面仍旧存在有部分多余的胶质颗粒卡壳在其表面上，故而在光刻胶不再有用后，需要利用去胶机将其去除，而晶圆在去胶机高速离心旋转的作用下，由于液体在离心旋转时，其呈具有统一朝向的向下漩涡旋转作用，而在晶圆片表面附着的颗粒在向外甩出的时，则会受到的晶圆片表面的凸状阻挡以及漩涡产生的力作用下出现更加结实的卡壳情况。

技术实现思路

1、本发明的目的在于针对现有技术的不足之处，提供一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，以解决上述背景技术中提出通过的传统的半导体晶圆用清洗装置，在使用时大多固定效果均不佳，在清洗过程中可能因为晃动或水流冲动，导致晶圆在清洗箱内部发生损坏，使晶圆无法使用，造成极大的损失情况，而晶圆在去胶机高速离心旋转的作用下，由于液体在离心旋转时，其呈具有统一朝向的向下漩涡旋转作用，而在晶圆片表面附着的颗粒在向外甩出的时，则会受到的晶圆片表面的凸状阻挡以及漩涡产生的力作用下出现更加结实的卡壳情况。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，包括有作为对去胶结构安装设置的清洗结构，所述清洗结构包括对零部件安装设置的翻盖箱体，且翻盖箱体上设有轴承槽的连接板，同时轴承槽同样通过翻盖箱体正下方设有零部件控制调节的控制板，依次控制板通过翻盖箱体与连接线电性连接；

3、所述翻盖箱体通过连接板正下方设有带安装槽的安装板，且安装板通过安装槽内部设有对清洗水过滤的过滤网。

4、通过采用上述技术方案，通过设置的过滤网从而起到过滤拦截效果。

5、优选的，所述安装板设有与去胶结构零部件安装设置的离心电机，且离心电机上设有带通槽的防护罩，同时防护罩通过通槽内部设有防清洗水渗透于防护罩下方的密封圈。

6、通过采用上述技术方案，通过设置的密封圈从而起到防清洗水泄漏效果。

7、优选的，所述防护罩设有将清洗水导流于过滤网内部的导流板，且导流板整体形状呈中空“喇叭”结构设置。

8、通过采用上述技术方案，通过设置的到导流板从而起到导流输效果。

9、优选的，所述翻盖箱体内部下方设有与波纹管连接设置的水泵，且波纹管一端贯穿翻盖箱体上翻盖与安装环安装设置，同时安装环内环设有将喷淋水喷洒于翻盖箱体内部的喷淋头。

10、通过采用上述技术方案，通过设置的安装环从而起到内、外环连接设置效果。

11、优选的，所述去胶结构包括内环开设有卡槽的连接轴承，且连接轴承内环同样与通孔板安装设置，同时通孔板正下方设有与离心电机输出端连接设置的电磁耦合器。

12、通过采用上述技术方案，通过设置的电磁耦合器从而起到双向连接设置效果。

13、优选的，所述通孔板上设有对半导体晶圆固定夹持的卡盘，且卡盘通过通孔板和连接轴承与连接板安装设置。

14、通过采用上述技术方案，通过设置的通孔板从而起到安装设置和受力转动调节效果。

15、优选的，所述连接轴承通过卡槽与吸附垫连接设置，且吸附垫整体形状呈“圆形”结构设置。

16、通过采用上述技术方案，通过设置的吸附垫从而起到颗粒吸附效果。

17、优选的，所述防护罩整体形状呈“等边梯形”结构设置，且防护罩采取高分子聚乙烯材料设置。

18、通过采用上述技术方案，通过设置的防护罩从而起到开设和包裹安装设置效果。

19、优选的，所述卡槽于连接轴承内环呈二分之一结构开设设置。

20、通过采用上述技术方案，通过设置的卡槽从而起到卡合配套连接效果。

21、与现有技术相比，本发明的有益效果是：该半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，

22、(1)本案例通过去胶结构中设置的：卡盘，从而解决传统的半导体晶圆用清洗装置，在使用时大多固定效果均不佳，在清洗过程中可能因为晃动或水流冲动，导致晶圆在清洗箱内部发生损坏，使晶圆无法使用，造成极大的损失情况，当半导体晶圆电镀后需要清洗时，此时操作者手动调节卡盘运动，卡盘通过改变卡爪之间的相对区间距离从而对半导体晶圆进行夹持固定，通过卡盘固定后的半导体晶圆不仅避免上述的情况还有效的通过卡盘适应不同直径的半导体晶圆进行调节夹持固定效果；

23、(2)通过清洗结构中设置的：水泵、波纹管、连接环和喷淋头，当半导体晶圆需要去胶时，此时操作者控制离心电机工作，离心电机工作过程中此时操作者控制水泵工作，水泵工作过程中将清洗水通过喷淋头喷洒出，通过喷洒出的清洗水喷淋于半导体晶圆表面从而对半导体晶圆表面的胶受离心和喷洒冲击力影响从而与半导体晶圆受力分离的情况，利用设置的上述结构同时避免上述的情况；

24、(3)通过去胶结构中设置的：吸附垫，从而解决清洗或者去胶过程中离心出的胶和水渍受离心影响容易粘附于翻盖箱体内壁的情况，当胶和水渍受力离心影响时此时胶和水渍甩出于半导体晶圆表面而粘附于吸附垫内壁上，通过吸附垫对胶和水渍进行粘附吸附时同时避免上述的情况；

25、(4)通过设置的防护罩、密封圈和过滤网，从而解决水渍容易渗透于离心电机内部造成离心电机损坏的情况，同时通过过滤网从而解决清洗水含有杂质和胶体时导致喷淋水循环输送于水泵内部时同样造成水泵内部堵塞和降低水泵使用寿命的情况。

技术特征：

1.一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：包括有作为对去胶结构(2)安装设置的清洗结构(1)，所述清洗结构(1)包括对零部件安装设置的翻盖箱体(101)，且翻盖箱体(101)上设有轴承槽(103)的连接板(102)，同时轴承槽(103)同样通过翻盖箱体(101)正下方设有零部件控制调节的控制板，依次控制板通过翻盖箱体(101)与连接线电性连接；

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述安装板(104)设有与去胶结构(2)零部件安装设置的离心电机(106)，且离心电机(106)上设有带通槽的防护罩(107)，同时防护罩(107)通过通槽内部设有防清洗水渗透于防护罩(107)下方的密封圈(108)。

3.根据权利要求2所述一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述防护罩(107)设有将清洗水导流于过滤网(105)内部的导流板(109)，且导流板(109)整体形状呈中空“喇叭”结构设置。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述翻盖箱体(101)内部下方设有与波纹管(1011)连接设置的水泵(1010)，且波纹管(1011)一端贯穿翻盖箱体(101)上翻盖与安装环(1012)安装设置，同时安装环(1012)内环设有将喷淋水喷洒于翻盖箱体(101)内部的喷淋头(1013)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述去胶结构(2)包括内环开设有卡槽(202)的连接轴承(201)，且连接轴承(201)内环同样与通孔板(203)安装设置，同时通孔板(203)正下方设有与离心电机(106)输出端连接设置的电磁耦合器(204)。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述通孔板(203)上设有对半导体晶圆固定夹持的卡盘(205)，且卡盘(205)通过通孔板(203)和连接轴承(201)与连接板(102)安装设置。

7.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述连接轴承(201)通过卡槽(202)与吸附垫(206)连接设置，且吸附垫(206)整体形状呈“圆形”结构设置。

8.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述防护罩(107)整体形状呈“等边梯形”结构设置，且防护罩(107)采取高分子聚乙烯材料设置。

9.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，其特征在于：所述卡槽(202)于连接轴承(201)内环呈二分之一结构开设设置。

技术总结
本发明公开了一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，包括有作为对去胶结构安装设置的清洗结构，所述清洗结构包括对零部件安装设置的翻盖箱体，且翻盖箱体上设有轴承槽的连接板，同时轴承槽同样通过翻盖箱体正下方设有零部件控制调节的控制板，依次控制板通过翻盖箱体与连接线电性连接，所述翻盖箱体通过连接板正下方设有带安装槽的安装板，且安装板通过安装槽内部设有对清洗水过滤的过滤网，所述安装板设有与去胶结构零部件安装设置的离心电机，且离心电机上设有带通槽的防护罩，同时防护罩通过通槽内部设有防清洗水渗透于防护罩下方的密封圈，该一种半导体晶圆电镀后去胶清洗一体化装置，通过设置的过滤网从而起到过滤拦截效果。

技术研发人员：王政雄
受保护的技术使用者：广西华芯振邦半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15