一种SCOTT变压器M变的4U型高压绕组结构的制作方法

本发明涉及一种scott变压器m变的4u型高压绕组结构，特别是较高电压的scott变压器（斯考特变压器），属于变压器。

背景技术：

1、高压scott变压器的m变（main）高压绕组，因为阻抗设计需要，绕组结构为内外两层，并在绕组中部交叉相连。交叉相连部分因为电场的畸变，为保证绕组的绝缘距离，需要在绕组轴向和幅向都留出较大的空道，并对该位置作复杂的绝缘处理。但是，如果高压绕组电压更高时，如果仍采用这种结构，空道位置将占用过多的绕组电抗高度，势必造成绕组安匝分布不均匀，绕组短路电动力加大，绕组导体内的横向涡流损耗增加，进而降低产品的抗短路能力以及出现绕组局部过热的不良现象。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种scott变压器m变的4u型高压绕组结构，既实现了阻抗设计的要求，避免了原结构在高压中部需要出线连接的情况，改善了该位置的电场分布，缩小了绝缘距离，还能优化绕组的漏磁分布，减小绕组的短路力，防止绕组局部过热的不良现象；不仅能有效地降低产品的耗材成本，还能提高产品的安全可靠性，提升其性能指标，解决已有技术存在的上述技术问题。

2、本发明的技术方案是：

3、一种scott变压器m变的4u型高压绕组结构，将m变的高压绕组分成四个单元，每个单元均为内外两层的u型结构，绕组沿轴向和辐向排列2×2个u型单元，所有单元均在绕组端部出线，引出后再上下左右交叉相连；所述高压绕组所有绕组单元在圆周方向上与铁心柱中心同心，辐向上按内外排列，轴向上中心高度一致，电抗高度一致。

4、所述高压绕组分成四个单元均为双层u形绕组结构，每个绕组单元从内层绕组的端部起绕，视绕组匝数多少选择连续式或者螺旋式，绕组导线从端部沿轴向绕制到绕组中部后，从内向外穿出至外层绕组，再从绕组中部沿轴向向绕组端部起绕，一直绕制到绕组端部引出。

5、本发明用相同的方法绕制好四个绕组后，将绕组分别沿轴向和幅向进行套装，每个绕组单元的内外层绕组之间套有绝缘纸筒，绕组单元与单元之间也套有绝缘纸筒，上下单元之间放置有中部端绝缘；最后将绕组端部引出的导线在外部用引线作交叉连接。

6、本发明从电气设计上保证四个单元绕组的匝数相等、导线线规一致，这样就能保证绕制后的单元电抗高度和幅向尺寸相等，绕组的安匝分布就能尽可能的均匀，从而优化了绕组的漏磁分布，减小绕组的短路力，防止绕组局部过热的不良现象。本发明不仅能有效地降低产品的耗材成本，还能提高产品的安全可靠性，提升其性能指标。

7、本发明解决高压scott变压器的m变高压绕组在绕组中部交叉相连时因为绝缘距离需要而导致间隔距离过大的现象。该结构不仅适用于高电压的scott变压器m变绕组，还适用于有类似交叉连接结构的变压器绕组。

8、本发明的积极效果：既实现了阻抗设计的要求，避免了原结构在高压中部需要出线连接的情况，改善了该位置的电场分布，缩小了绝缘距离，还能优化绕组的漏磁分布，减小绕组的短路力，防止绕组局部过热的不良现象；不仅能有效地降低产品的耗材成本，还能提高产品的安全可靠性，提升其性能指标。

技术特征：

1.一种scott变压器m变的4u型高压绕组结构，其特征在于：将m变的高压绕组分成四个单元，每个单元均为内外两层的u型结构，绕组沿轴向和辐向排列2×2个u型单元，所有单元均在绕组端部出线，引出后再上下左右交叉相连；所述高压绕组所有绕组单元在圆周方向上与铁心柱中心同心，辐向上按内外排列，轴向上中心高度一致，电抗高度一致。

2.根据权利要求1所述的一种scott变压器m变的4u型高压绕组结构，其特征在于：所述高压绕组分成四个单元均为双层u形绕组结构，每个绕组单元从内层绕组的端部起绕，视绕组匝数多少选择连续式或者螺旋式，绕组导线从端部沿轴向绕制到绕组中部后，从内向外穿出至外层绕组，再从绕组中部沿轴向向绕组端部起绕，一直绕制到绕组端部引出。

3.根据权利要求1所述的一种scott变压器m变的4u型高压绕组结构，其特征在于：用相同的方法绕制好四个绕组后，将绕组分别沿轴向和幅向进行套装，每个绕组单元的内外层绕组之间套有绝缘纸筒，绕组单元与单元之间也套有绝缘纸筒，上下单元之间放置有中部端绝缘；最后将绕组端部引出的导线在外部用引线作交叉连接。

技术总结
本发明涉及一种SCOTT变压器M变的4U型高压绕组结构，属于变压器技术领域。技术方案是：将M变的高压绕组分成四个单元，每个单元均为内外两层的U型结构，绕组沿轴向和辐向排列2×2个U型单元，所有单元均在绕组端部出线，引出后再上下左右交叉相连。本发明的积极效果：既实现了阻抗设计的要求，避免了原结构在高压中部需要出线连接的情况，改善了该位置的电场分布，缩小了绝缘距离，还能优化绕组的漏磁分布，减小绕组的短路力，防止绕组局部过热的不良现象；不仅能有效地降低产品的耗材成本，还能提高产品的安全可靠性，提升其性能指标。

技术研发人员：刘力强,李程,郭满生,范洪涛,彭光剑,刘颖,龙腾,陆广,李志伟,程玉芳
受保护的技术使用者：保定天威保变电气股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13