等离子体处理方法以及等离子体处理系统与流程

本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理方法以及等离子体处理系统。

背景技术：

1、专利文献1涉及半导体设备制造中的图案形成方法，公开有作为垫片使用薄氧化锡膜的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018-6742号公报

技术实现思路

1、本公开提供能够控制基板的开口尺寸的技术。

2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行，包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具备蚀刻对象膜和形成在所述蚀刻对象膜上且具有在所述蚀刻对象膜上规定至少一个开口的侧面的含金属膜；(b)使用由第一处理气体生成的等离子体在所述含金属膜的表面的至少一部分上形成沉积膜的工序，所述第一处理气体包含含硅、碳或者金属的气体；以及(c)使用由第二处理气体生成的等离子体除去所述含金属膜的所述侧面的至少一部分的工序。

3、发明效果

4、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供能够控制基板的开口尺寸的技术。

技术特征：

1.一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行，包含：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其中，

8.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其中，

10.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其中，

11.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

12.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

13.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

14.根据权利要求13所述的等离子体处理方法，其中，

15.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

16.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

17.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

18.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

19.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，包含：

20.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

21.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，还包含：

22.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

23.一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行，包含：

24.根据权利要求23所述的等离子体处理方法，还包含：

25.一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行，包含：

26.根据权利要求23所述的等离子体处理方法，其中，

27.根据权利要求25或26所述的等离子体处理方法，其中，

28.一种等离子体处理系统，具备腔室、设置于所述腔室内的基板支持部、等离子体生成部以及控制部，

技术总结
提供能够控制基板的开口尺寸的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具备蚀刻对象膜和形成在所述蚀刻对象膜上且具有在所述蚀刻对象膜上规定至少一个开口的侧面的含金属膜；(b)使用由第一处理气体生成的等离子体在含金属膜的表面的至少一部分上形成沉积膜的工序，所述第一处理气体包含含硅、碳或者金属的气体；以及(c)使用由第二处理气体生成的等离子体除去含金属膜的所述侧面的至少一部分的工序。还提供一种等离子体处理系统。

技术研发人员：米泽隆宏,小野健太
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15