基片处理装置和基片处理方法与流程

本公开涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种在基片上形成sin膜的基片处理装置。此外，在专利文献1中公开了进行形成sin膜的第一成膜工序、蚀刻sin膜的蚀刻工序和形成sin膜的第二成膜工序的成膜工艺。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-153141号公报。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在一方面中，本公开提供一种提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。

3、用于解决问题的技术手段

4、为了解决上述问题，根据一方式，提供一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。

5、发明效果

6、根据一方面，能够提供一种提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。

技术特征：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

5.根据权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

6.根据权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：

7.根据权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：

8.根据权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

10.根据权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

11.根据权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：

12.根据权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

13.根据权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：

14.一种基片处理装置的基片处理方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种能够提高吞吐量的基片处理装置和基片处理方法。一种基片处理装置，其包括：收纳基片的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给部；对所述处理容器内进行排气的排气部；加热所述处理容器的加热机构；和喷射用于冷却所述基片的冷却气体的冷却气体喷射部。

技术研发人员：山口达也,佐佐木丰,高桥真实,石井亨,伏见直茂,吉井弘治
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15