为芯片到晶片器件形成底部填充坝的半导体器件和方法与流程

本发明总体上涉及半导体器件，并且更具体地，涉及为芯片到晶片(c2w)器件形成底部填充坝的半导体器件和方法。

背景技术：

1、半导体器件常存在于现代电子产品中。半导体器件执行广泛的功能，例如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子器件、光电以及为电视显示器创建可视图像。半导体器件存在于通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中。

2、半导体器件通常包含一个或多个半导体管芯和集成无源器件(ipd)，以执行必要的电气功能。在一个示例中，c2w器件通常从包含许多第一类型半导体管芯的有源半导体晶片开始。第一类型半导体管芯包括通常位于管芯周边的敏感区域，例如波导、传感器、光学或光子区域。在第一半导体管芯的有源表面上形成多个导电柱。第二类型半导体管芯从其晶片中分割，并安装到导电柱之间的第一半导体晶片的有源表面。具有导电柱的第一半导体管芯和第二半导体管芯被分割并安装到互连衬底。底部填充材料沉积在第一半导体管芯和互连衬底之间，围绕导电柱和第二半导体管芯，用于隔离和环境保护。应该保护第一半导体管芯的敏感区域不受底部填充材料的影响，以避免污染或覆盖敏感区域，导致可靠性问题、缺陷和故障。

技术实现思路

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在半导体管芯上的多个导电支柱。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中坝壁包括垂直区段和侧翼。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中坝壁包括与多个垂直区段集成为一体的多个圆形区段。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中坝壁包括多个分开的垂直区段。

6.一种半导体器件，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括形成在半导体管芯上的多个导电支柱。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中坝壁包括垂直区段和侧翼。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中坝壁包括与多个垂直区段集成为一体的多个圆形区段。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中坝壁包括多个分开的垂直区段。

11.一种制作半导体器件的方法，包括：

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在半导体管芯上形成多个导电支柱。

13.根据权利要求11所述的方法，其中形成坝壁包括形成垂直区段和侧翼。

14.根据权利要求11所述的方法，其中形成坝壁包括形成多个圆形区段，所述多个圆形区段与多个垂直区段集成为一体。

15.根据权利要求11所述的方法，其中形成坝壁包括形成多个分开的垂直区段。

技术总结
为芯片到晶片器件形成底部填充坝的半导体器件和方法。一种半导体器件具有带敏感区域的半导体管芯。在半导体管芯上形成靠近敏感区域的坝壁。在一个实施例中，坝壁具有垂直区段和侧翼。坝壁可以具有多个圆形区段，所述多个圆形区段与多个垂直区段集成为一体。可替代地，坝壁具有布置成两个或更多个重叠排的多个分开的垂直区段。在半导体管芯上形成多个导电支柱。电气组件设置在半导体管芯上。半导体管芯和电气组件设置在衬底上。在衬底上形成在坝壁外部的绝缘层。底部填充材料沉积在半导体管芯和衬底之间。坝壁和绝缘层抑制底部填充材料接触敏感区域的任何部分。

技术研发人员：金禹淳,崔峻荣,金永澈,金劲吾
受保护的技术使用者：星科金朋私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22