半导体封装结构的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术：

1、半导体封装结构广泛应用于各种电子应用领域，例如个人电脑、手机、数码相机等电子设备。由于半导体工业的进步，需要比上一代半导体封装结构占用更少空间的更小的半导体封装结构。

2、此外，由于高性能集成电路需要以较低电源电压在较高频率下提供较大电流，因此电源系统设计变得越来越具有挑战性。可以采用去耦电容器作为临时电荷储存器，以防止电源电压的瞬时波动。去耦电容器在降低电源噪声方面越来越重要。

3、然而，现有的半导体封装结构虽然总体上可以满足要求，但并不是在各方面都令人满意。例如，虽然晶体管和电阻器等电子元件的尺寸越来越小，但由于电容器的物理特性，电容器结构仍然需要比其他电子元件占用更多的空间。这使得半导体封装结构的小型化变得更加困难。因此，需要进一步改进半导体封装结构。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种半导体封装，以解决上述问题。

2、根据本发明的第一方面，公开一种半导体封装结构，包括：

3、动态随机存取存储器晶粒；

4、电容器晶粒，设置在该动态随机存取存储器晶粒下方，包括：并排排列的多个电容器结构；以及多个第一导电柱，设置在该多个电容器结构之上并电耦接到该动态随机存取存储器晶粒；以及

5、模塑料，围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。

6、根据本发明的第二方面，公开一种半导体封装结构，包括：

7、基板，包括布线结构；

8、电容器晶粒，设置在该基板上方并包括多个电容器结构；

9、动态随机存取存储器晶粒，堆叠在该电容器晶粒上并电耦接到该电容器晶粒；

10、第一模塑料，设置在该基板之上并且围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒；以及

11、半导体晶粒，通过该基板的该布线结构电耦接到该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。

12、根据本发明的第三方面，公开一种半导体封装结构，包括：

13、第一封装结构，该第一封装结构包括半导体晶粒；

14、第二封装结构，堆叠在该第一封装结构上并且包括：基板；电容器晶粒，设置在该基板上方并电耦接到该半导体晶粒，其中该电容器晶粒包括并排布置的多个电容器结构；以及第一动态随机存取存储器晶粒，通过该电容器晶粒电耦接到该半导体晶粒。

15、本发明的半导体封装结构由于包括：动态随机存取存储器晶粒；电容器晶粒，设置在该动态随机存取存储器晶粒下方，包括：并排排列的多个电容器结构；以及多个第一导电柱，设置在该多个电容器结构之上并电耦接到该动态随机存取存储器晶粒；以及模塑料，围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。本发明通过将电容器晶粒设置在动态随机存取存储器晶粒下方，因此可以将电容器晶粒和动态随机存取存储器晶粒堆叠集成设置，采用这种方式可以无需占用半导体封装结构的平面位置，从而避免增加(或减少增加)半导体封装结构的平面尺寸，以达到较高或更高的电容值，并且有利于半导体结构的小型化。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该电容器晶粒还包括：

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，每个电容器结构包括：

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，该电容器晶粒还包括多个第二导电柱，该多个第二导电柱延伸穿过该半导体基板并电性连接该第一电极层。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该电容器晶粒包括：

6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，该电容器结构包括第一电极层、层间介电层、第二电极层以及填充材料。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该动态随机存取存储器晶粒包括电性耦接至该多个第一导电柱的晶粒重分布层。

8.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括设置在该动态随机存取存储器晶粒上并电连接到该动态随机存取存储器晶粒的另一动态随机存取存储器晶粒。

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，该电容器晶粒与该动态随机存取存储器晶粒堆叠于该基板的第一表面上，该半导体晶粒设置于该基板的第二表面下方，其中该第二表面与该第一表面相对。

11.如权利要求10所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第一重布线层，设置于该半导体芯片与该基板之间，并将该半导体晶粒电性耦接至该基板的该布线结构。

12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

13.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，该电容器晶粒与该动态随机存取存储器晶粒堆叠于该基板的第一表面上，且该半导体晶粒设置于该基板的第一表面上且邻近该电容器晶粒。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括封装基板，配置于该基板的第二表面下方，并电性耦接于该基板的该布线结构，其中该第二表面与该第一表面相对。

15.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，该基板包括中介层基板。

16.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

17.如权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一封装体结构进一步包括第一重分布层和第二重分布层，该第一重分布层和该第二重分布层设置在该半导体晶粒的相对侧上并且电耦接到该半导体晶粒。

18.如权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二封装结构还包括：

19.如权利要求18所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一动态随机存取存储器晶粒包括电耦接到该第二动态随机存取存储器晶粒的第一通孔。

20.如权利要求16所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二封装结构还包括附加电容器结构，该附加电容器结构设置于该基板下方且电性耦接该半导体晶粒。

技术总结
本发明公开一种半导体封装结构，包括：动态随机存取存储器晶粒；电容器晶粒，设置在该动态随机存取存储器晶粒下方，包括：并排排列的多个电容器结构；以及多个第一导电柱，设置在该多个电容器结构之上并电耦接到该动态随机存取存储器晶粒；以及模塑料，围绕该电容器晶粒和该动态随机存取存储器晶粒。本发明通过将电容器晶粒设置在动态随机存取存储器晶粒下方，因此可以将电容器晶粒和动态随机存取存储器晶粒堆叠集成设置，采用这种方式可以无需占用半导体封装结构的平面位置，从而避免增加或减少增加半导体封装结构的平面尺寸，以达到较高或更高的电容值。

技术研发人员：梁昌,段志刚,何敦逸,李宜峻
受保护的技术使用者：联发科技（新加坡）私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15