紫外半导体发光元件的制作方法

本发明涉及半导体发光元件，特别是涉及能够发射紫外光的紫外半导体发光元件。

背景技术：

1、近年来，作为具有对空气和水杀菌效果的光源，在深紫外线区域具有发光峰值波长的半导体发光元件受到关注。

2、例如，jp-a-2019-110168公开了一种用于深紫外区的光学半导体元件，其中在aln衬底上形成基于algan的半导体层。

技术实现思路

1、当使用如上所述的采用光学半导体元件的装置时，由于从光学半导体元件发射的深紫外光可能影响人体，因此有必要在驱动光学半导体元件期间敦促装置的操作者等避免暴露于人体。因此，当光学半导体元件被驱动并发射深紫外光时，最理想的是一眼就能辨认出来。

2、然而，由于深紫外光对于肉眼是不可见的，即使当视觉观察光学半导体元件时，也难以确认光学半导体元件是否被驱动，即，是否发射深紫外光。

3、本发明是考虑到上述问题而作出的，本发明的目的是提供一种紫外半导体发光元件，其允许用户容易地确认其是否被驱动以发射深紫外光。

4、根据本发明的紫外半导体发光元件包含：单晶aln衬底，n型algan层，有源层和p型algan层。所述n型algan层形成在所述单晶aln衬底上。所述有源层形成在所述n型algan层上。有源层具有250nm以上且280nm以下的发光峰值波长。所述p型algan层形成在所述有源层上。所述单晶aln衬底中的c浓度为3×1017原子/cm3以上。

5、根据本发明的紫外半导体发光元件包括单晶aln衬底，n型algan层，有源层和p型algan层。所述n型algan层形成在所述单晶aln衬底上。所述有源层形成在所述n型algan层上。有源层具有250nm以上且280nm以下的发光峰值波长。所述p型algan层形成在所述有源层上。在发射光谱中，450nm以上且800nm以下的波长范围内的发光峰在590nm以上且610nm以下的范围内。

技术特征：

1.一种紫外半导体发光元件，其包含：

2.根据权利要求1所述的紫外半导体发光元件，其中

3.根据权利要求1所述的紫外半导体发光元件，其中

4.根据权利要求1所述的紫外半导体发光元件，其中

5.根据权利要求4所述的紫外半导体发光元件，其中

6.根据权利要求4所述的紫外半导体发光元件，其中

7.一种紫外半导体发光元件，其包含：

8.根据权利要求7所述的紫外半导体发光元件，其中

9.根据权利要求7所述的紫外半导体发光元件，其中

技术总结
本发明的目的是提供一种紫外半导体发光元件，其允许使用者容易地确认其是否被驱动以发射深紫外光。根据本发明的紫外半导体发光元件包括：单晶AlN衬底、n型AlGaN层、有源层和p型AlGaN层。所述n型AlGaN层形成在所述单晶AlN衬底上。所述有源层形成在所述n型AlGaN层上。有源层具有250nm以上且280nm以下的发光峰值波长。所述p型AlGaN层形成在所述有源层上。所述单晶AlN衬底中的C浓度为3×10<supgt;17</supgt;个原子/cm<supgt;3</supgt;以上。

技术研发人员：木下亨,小川昭雄,加纳裕之
受保护的技术使用者：斯坦雷电气株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15