衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质与流程

本发明涉及衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述处理：将成膜处理后的衬底搬出后，以反应炉内没有衬底的状态对反应炉内进行气体吹扫(例如，参见专利文献1及专利文献2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2011-66106号公报

5、专利文献2：国际公开第2005/050725号小册子

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、有时为了除去附着于反应炉内即处理室的沉积物而进行清洁处理。然而，于高温进行衬底处理之后，若保持着高温的状态进行清洁处理，则会存在发生不良情况的部位。因此，在进行衬底处理后的清洁处理之前，有时将处理室降低至所期望的温度。

3、本发明提供能够高效地冷却处理室的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本发明的一个方式，提供一种技术，其具有：

6、内置有加热机构、能够上下移动的衬底载置台；

7、处理室，其通过前述衬底载置台的移动而被划分为处理衬底的处理区域、和配于前述处理区域的下方而移载前述衬底的移载区域；

8、冷却气体供给系统，其向前述处理室供给冷却气体；

9、清洁气体供给系统，其向前述处理室供给清洁气体；

10、排气系统，其对前述处理室进行排气；和

11、控制部，其构成为能够对前述衬底载置台、前述冷却气体供给系统、前述清洁气体供给系统和前述排气系统进行控制以进行下述处理：在将前述衬底载置台移动至较之前述处理区域靠下方的状态下向前述处理室供给冷却气体的处理；和于比对前述衬底进行处理的衬底处理时的温度低的温度向前述处理室供给清洁气体的处理。

12、发明效果

13、根据本发明，能够高效地冷却处理室。

技术特征：

1.衬底处理装置，其具有：

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部将供给所述冷却气体的处理中的所述处理室内的压力控制成比所述衬底处理时的所述处理室内的压力高的压力。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以使供给所述冷却气体的处理中的所述处理室内的压力成为大气压的方式进行控制。

4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部在供给所述冷却气体的处理中使用与所述处理区域和所述移载区域的各自连通的排气孔中的至少一者来控制所述处理室内的压力。

5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以在供给所述冷却气体的处理中向所述处理区域和所述移载区域这两者分别供给所述冷却气体的方式进行控制。

6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以从与所述处理室连通的衬底搬运室供给的方式来控制所述冷却气体向所述移载区域的供给。

7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其具备向所述处理室供给处理气体的处理气体供给系统，

8.清洁方法，其具有：在通过内置有加热机构的衬底载置台的上下的移动而被划分为处理衬底的处理区域、和配于所述处理区域的下方而移载所述衬底的移载区域的处理室中，

9.如权利要求8所述的清洁方法，其在供给所述清洁气体的工序之后具有：

10.半导体器件的制造方法，其具有：在通过内置有加热机构的衬底载置台的上下的移动而被划分为处理衬底的处理区域、和配于所述处理区域的下方而移载所述衬底的移载区域的处理室中，

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其在供给所述清洁气体的工序之后具有：

12.计算机可读取的记录介质，其记录有通过计算机使衬底处理装置在通过内置有加热机构的衬底载置台的上下的移动而被划分为处理衬底的处理区域、和配于所述处理区域的下方而移载所述衬底的移载区域的处理室中执行下述步骤的程序：

13.如权利要求12所述的计算机可读取的记录介质，其中，供给所述冷却气体的步骤中的所述处理室内的压力控制成比所述衬底处理时的所述处理室内的压力高的压力。

14.如权利要求12所述的计算机可读取的记录介质，其中，在供给所述冷却气体的步骤中，使用与所述处理区域和所述移载区域的各自连通的排气孔中的至少一者来控制所述处理室内的压力。

15.如权利要求12所述的计算机可读取的记录介质，其中，在供给所述冷却气体的步骤中，向所述处理区域和所述移载区域这两者分别供给所述冷却气体。

16.如权利要求15所述的计算机可读取的记录介质，其中，冷却气体向所述移载区域的供给中从与所述处理室连通的衬底搬运室进行供给。

17.如权利要求12所述的计算机可读取的记录介质，其中，在供给所述清洁气体的步骤之后具有：

技术总结
本发明涉及衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质。提供能高效地冷却处理室的技术。具有：内置有加热机构、能上下移动的衬底载置台；处理室，其通过衬底载置台的移动而被划分为处理衬底的处理区域、和配于处理区域的下方而移载衬底的移载区域；向处理室供给冷却气体的冷却气体供给系统；向处理室供给清洁气体的清洁气体供给系统；对处理室进行排气的排气系统；控制部，其构成为能对衬底载置台、冷却气体供给系统、清洁气体供给系统和排气系统进行控制以进行：在将衬底载置台移动至较之处理区域靠下方的状态下向处理室供给冷却气体的处理、和于比对衬底进行处理的衬底处理时的温度低的温度向处理室供给清洁气体的处理。

技术研发人员：桥本良知,大桥直史
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17