电子装置的制作方法

本公开涉及一种电子装置，尤其涉及一种需要高电压操作的电子装置。

背景技术：

1、现今薄膜电晶体(thin-film transistor，tft)已应用于各种电子装置，例如显示器、手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放机、行动导航装置、电视、拼接电视墙或电子纸等。然而，一般电子装置中的薄膜电晶体多适用于低电压操作无法承受高电压，当使用高电压操作时，容易导致薄膜电晶体被烧坏，从而损坏电子装置。

2、因此，目前亟需提供一种可应用于高电压操作的电子装置。

技术实现思路

1、本公开提供一种电子装置，包含：一衬底；以及一电晶体，设置于该衬底上，该电晶体包含：一栅极；一半导体层，与该栅极至少部分重叠，该半导体层包含一第一子半导体层和一第二子半导体层，该第二子半导体层设置于该第一子半导体层上，且该第二子半导体层包含铟、镓和锌；一漏极，与该半导体层电性连接；以及一源极，与该半导体层电性连接；其中，在该第二子半导体层中，铟的原子百分比小于镓的原子百分比，且镓的原子百分比小于锌的原子百分比。

2、本公开另提供一种电子装置，包含：一衬底；以及一电晶体，设置于该衬底上，该电晶体包含：一栅极；一半导体层，与该栅极至少部分重叠，该半导体层包含一第一子半导体层和一第二子半导体层，该第二子半导体层设置于该第一子半导体层上，且该第二子半导体层包含铟、镓和锌；一漏极，与该半导体层电性连接；以及一源极，与该半导体层电性连接；其中，该漏极的厚度小于该半导体层的厚度，且该源极的厚度小于该半导体层的厚度。

技术特征：

1.一种电子装置，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第二子半导体层的厚度介于至之间。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在该第二子半导体层中，铟、镓和锌的原子比为1：3：6-8。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一子半导体层包含铟，其中，该第二子半导体层中的铟的原子百分比小于该第一子半导体层中的铟的原子百分比。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一子半导体层包含铟、镓和锌，其中，在该第一子半导体层中，铟、镓和锌的原子比为1：1：1。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一子半导体层的厚度介于至之间。

7.根据权利要求1所述的电子装置，还包含：

8.一种电子装置，其特征在于，包含：

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该第二子半导体层的厚度介于至之间。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，在该第二子半导体层中，铟、镓和锌的原子比为1：3：6-8。

11.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该第一子半导体层包含铟，其中，该第二子半导体层中的铟的原子百分比小于该第一子半导体层中的铟的原子百分比。

12.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该第一子半导体层包含铟、镓和锌，其中，在该第一子半导体层中，铟、镓和锌的原子比为1：1：1。

13.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，该第一子半导体层的厚度介于至之间。

14.根据权利要求8所述的电子装置，还包含：

技术总结
本公开提供一种电子装置，包含：一衬底；以及一电晶体，设置于该衬底上，该电晶体包含：一栅极；一半导体层，与该栅极至少部分重叠，该半导体层包含一第一子半导体层和一第二子半导体层，该第二子半导体层设置于该第一子半导体层上，且该第二子半导体层包含铟、镓和锌；一漏极，与该半导体层电性连接；以及一源极，与该半导体层电性连接；其中，在该第二子半导体层中，铟的原子百分比小于镓的原子百分比，且镓的原子百分比小于锌的原子百分比。

技术研发人员：钟旺成
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22