一种堆叠式功率器件及封装方法与流程

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种堆叠式功率器件及封装方法。

背景技术：

1、功率器件的焊盘分布区在水平面上总是呈现轴对称的分布，芯片正面叠合后可保持焊盘的重合，因此在封装上可以采取堆叠式封装；

2、目前，现有技术依然采用单芯封装的形式，即对于每一个芯片进行单独封装，从尺寸上占用面积较多，不利于产品的小型化。

3、因此，现有技术仍需要改进。

技术实现思路

1、本方案采用堆叠式的封装方式，把芯片进行正面的垂向叠合，在前一层芯片封装的基础上进行下一层芯片的堆叠封装，在空间上节约了尺寸，有利于芯片产品的小型化。

2、为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

3、本发明提供一种堆叠式功率器件的封装方法，包括下列步骤：

4、提供结构相同的第一芯片和第二芯片，其第一面设有栅极焊盘和源极焊盘，其第二面设有漏极焊盘；

5、提供一引脚框架，引脚框架包括栅极框架、源极框架及漏极框架；

6、将第一芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接；

7、将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接；

8、将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接；

9、将第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架以及第一芯片第一面上的源极焊盘分别电性连接；

10、将第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架以及第一芯片第一面上的栅极焊盘分别电性连接；

11、将第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接。

12、进一步的，将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架之间连接栅极铜片。

13、进一步的，将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架之间连接源极铜片。

14、进一步的，将第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架以及第一芯片第一面上的栅极焊盘分别电性连接，包括：所述第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极铜片电性连接。

15、进一步的，将第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架以及第一芯片第一面上的源极焊盘分别电性连接，包括：所述第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极铜片电性连接。

16、进一步的，将第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接，包括：在第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架之间连接漏极铜片。

17、本发明还提供一种堆叠式功率器件，其系采用上述的封装方法制作而成。

技术特征：

1.一种堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，包括下列步骤：

2.根据权利要求1所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，将第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架之间连接栅极铜片。

3.根据权利要求1所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，将第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架电性连接，包括：在第一芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架之间连接源极铜片。

4.根据权利要求2所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，将第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极框架以及第一芯片第一面上的栅极焊盘分别电性连接，包括：所述第二芯片第一面上的栅极焊盘与所述栅极铜片电性连接。

5.根据权利要求3所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，将第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极框架以及第一芯片第一面上的源极焊盘分别电性连接，包括：所述第二芯片第一面上的源极焊盘与所述源极铜片电性连接。

6.根据权利要求1所述的堆叠式功率器件的封装方法，其特征在于，将第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架电性连接，包括：在第二芯片第二面上的漏极焊盘与所述漏极框架之间连接漏极铜片。

7.一种堆叠式功率器件，其特征在于，其系采用权利要求1~6中任一项所述的封装方法制作而成。

技术总结
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种堆叠式功率器件及封装方法，将焊盘呈轴对称分布的两个完全相同的芯片进行正面的面对面垂向叠合，利用铜片将焊盘引导至引脚框架上进行电性连接，本发明相比于现有技术，利用了焊盘轴对称的图形特性，采用堆叠式的封装方式，把芯片进行正面的垂向叠合，在前一层芯片封装的基础上进行下一层芯片的堆叠封装，在空间上节约了尺寸，有利于芯片产品的小型化，具有显著的有益效果。

技术研发人员：高学,柴展,罗杰馨
受保护的技术使用者：上海功成半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15