脱模膜和半导体封装的制造方法与流程

本发明涉及一种脱模膜和半导体封装的制造方法。

背景技术：

1、半导体芯片通常为了隔绝外部空气和保护其不受外部空气影响而利用树脂进行密封，并以被称为封装的成形品的形式安装于基板上。成形品通过将包含树脂的密封材料注入模具中来制作。模具中设置有多个型腔，多个型腔经由作为密封材料流路的流道连结。而且，为了使成形品容易从模具脱模，在模具的结构、向密封树脂中添加脱模剂等方面下了工夫。

2、另一方面，出于封装的小型化、多引脚化等需求，ball grid array(bga，球栅阵列)方式、quad flat non-leaded(qfn，四侧无引脚扁平)方式、晶片级芯片尺寸封装(wl-csp，wafer level-chip size package)方式等的封装方式增加。在qfn方式中，从确保间隙(standoff)和防止在端子部产生由密封材料引起的毛边的观点考虑，另外在bga方式和wl-csp方式中，从提高封装从模具的脱模性的观点考虑，在模具的内侧沿模具配置树脂制脱模膜，并向其内部注入密封材料来进行成形(例如，参照专利文献1)。将使用脱模膜进行成形的方法称为“膜辅助成形法”。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2002-158242号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、如果使用上述脱模膜，则有时在成形的封装表面残留密封材料的流痕，外观有时变差。为了减少流痕，可考虑在脱模膜的脱模层中添加填料等方案。然而，这样的方案并不充分，处于要求进一步减少流痕的状况。对于减少封装表面的流痕来说，降低封装表面的光泽度是有效的。

3、鉴于这样的情况，本公开的课题在于提供能够有效地降低半导体封装表面的光泽度的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。

4、用于解决课题的方法

5、用于解决上述课题的方法包括以下实施方式。

6、＜1＞一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，

7、上述脱模层包含两种以上的聚合物，上述脱模层的表面具有凹凸形状，

8、在平面观察上述脱模层的表面时，凹部在上述表面中所占的比例小于或等于50面积％。

9、＜2＞一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，

10、上述脱模层包含两种以上的聚合物，上述脱模层的表面具有凹凸形状，

11、将上述脱模层的凹凸形状转印于成形品时的上述成形品的表面的算术平均粗糙度(ra)相对于上述脱模层表面的算术平均粗糙度(ra)的百分率即转印率大于或等于100％。

12、＜3＞一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，

13、上述脱模层包含两种以上的聚合物，上述脱模层的表面具有凹凸形状，

14、将上述脱模层的凹凸形状转印于成形品时的上述成形品的表面的光泽度(20°)小于或等于8.0。

15、＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的脱模膜，上述聚合物的至少一种为含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。

16、＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的脱模膜，对上述脱模层表面的凹凸进行拉曼光谱测定时，凸部的至少一部分和凹部的至少一部分分别显示不同的峰强度。

17、＜6＞根据＜1＞～＜5＞中任一项所述的脱模膜，上述脱模层表面的凸部中的上述聚合物的成分比率与凹部中的上述聚合物的成分比率不同。

18、＜7＞根据＜6＞所述的脱模膜，上述凸部中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以质量基准计的含量大于上述凹部中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以质量基准计的含量。

19、＜8＞根据＜1＞～＜7＞中任一项所述的脱模膜，上述聚合物的至少两种中的sp值之差大于或等于0.3。

20、＜9＞根据＜1＞～＜8＞中任一项所述的脱模膜，上述聚合物的至少一种为包含来源于(甲基)丙烯腈单体的结构单元的聚合物，

21、上述聚合物的至少两种中，来源于(甲基)丙烯腈单体的结构单元所占的比例之差大于或等于1质量％。

22、＜10＞根据＜1＞～＜9＞中任一项所述的脱模膜，上述脱模层中含量最多的聚合物的含有率相对于上述聚合物的总含量小于或等于95质量％。

23、＜11＞根据＜1＞～＜10＞中任一项所述的脱模膜，上述基材层为聚酯膜。

24、＜12＞根据＜1＞～＜11＞中任一项所述的脱模膜，上述脱模层的厚度为1μm～50μm。

25、＜13＞根据＜1＞～＜12＞中任一项所述的脱模膜，上述脱模膜用于传递模塑或压缩模塑。

26、＜14＞一种半导体封装的制造方法，使用＜1＞～＜13＞中任一项所述的脱模膜来进行传递模塑工序或压缩模塑工序。

27、发明效果

28、根据本公开，提供一种能够有效地降低半导体封装表面的光泽度的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。

技术特征：

1.一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，

2.一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，

3.一种脱模膜，其包含脱模层和基材层，

4.根据权利要求1所述的脱模膜，所述聚合物的至少一种为含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物。

5.根据权利要求1所述的脱模膜，对所述脱模层表面的凹凸进行拉曼光谱测定时，凸部的至少一部分和凹部的至少一部分分别显示不同的峰强度。

6.根据权利要求1所述的脱模膜，所述脱模层表面的凸部中的所述聚合物的成分比率与凹部中的所述聚合物的成分比率不同。

7.根据权利要求6所述的脱模膜，所述凸部中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以质量基准计的含量大于所述凹部中的含腈基的(甲基)丙烯酸系聚合物的以质量基准计的含量。

8.根据权利要求1所述的脱模膜，所述聚合物的至少两种中的sp值之差大于或等于0.3。

9.根据权利要求1所述的脱模膜，所述聚合物的至少一种为包含来源于(甲基)丙烯腈单体的结构单元的聚合物，

10.根据权利要求1所述的脱模膜，所述脱模层中含量最多的聚合物的含有率相对于所述聚合物的总含量小于或等于95质量％。

11.根据权利要求1所述的脱模膜，所述基材层为聚酯膜。

12.根据权利要求1所述的脱模膜，所述脱模层的厚度为1μm～50μm。

13.根据权利要求1所述的脱模膜，所述脱模膜用于传递模塑或压缩模塑。

14.一种半导体封装的制造方法，使用权利要求1～13中任一项所述的脱模膜来进行传递模塑工序或压缩模塑工序。

技术总结
本发明提供一种能够有效地降低半导体封装表面的光泽度的脱模膜、和使用该脱模膜的半导体封装的制造方法。本发明的脱模膜包含脱模层和基材层，所述脱模层包含两种以上的聚合物，所述脱模层的表面具有凹凸形状，满足(1)～(3)的至少一个。(1)在平面观察脱模层的表面时，凹部在表面中所占的比例小于或等于50面积％。在将脱模层的凹凸形状转印于成形品时，(2)成形品的表面的算术平均粗糙度(Ra)相对于脱模层的表面的算术平均粗糙度(Ra)的百分率(转印率)大于或等于100％，(3)成形品的表面的光泽度(20°)小于或等于8.0。

技术研发人员：田村辽,中村弘司,薮下谕,谷口彻弥,佐久间和则
受保护的技术使用者：株式会社力森诺科
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1