发光元件的制作方法

本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种于发光单元上设置量子点层的发光元件。

背景技术：

1、目前微发光二极管显示技术，主要采用红、绿、蓝发光二极管作为三原色光源，但红光二极管制作工艺不易及效率不佳，绿光二极管波长集中度不好等问题，让整体的成本及制作工艺复杂度，面临很大的挑战。

技术实现思路

1、根据本发明的一实施例，提供一种发光元件。该发光元件包括：发光单元；以及光转换结构，设置于该发光单元上，其中该光转换结构包括：量子点层；以及蚀刻阻挡层，设置于该量子点层的其中一表面上。

2、在部分实施例中，该蚀刻阻挡层包括无机透明绝缘材。在部分实施例中，该蚀刻阻挡层包括二氧化硅。在部分实施例中，该蚀刻阻挡层为透明绝缘层。

3、在部分实施例中，该量子点层的边缘与该蚀刻阻挡层的边缘重叠。在部分实施例中，该量子点层的边缘相对于该蚀刻阻挡层的边缘内缩。在部分实施例中，该量子点层的侧壁为斜面。

4、在部分实施例中，本发明发光元件还包括透明保护层，设置于该量子点层的另一表面上。

5、在部分实施例中，本发明发光元件还包括粘着层，设置于该发光单元与该光转换结构之间。在部分实施例中，该光转换结构的边缘与该粘着层的边缘重叠。

6、在部分实施例中，本发明发光元件还包括覆盖层，包围该发光单元。在部分实施例中，该覆盖层还包括黑色矩阵(bm)材料。

7、本发明经由巨量转移制作工艺(例如，激光转移制作工艺或压印转移制作工艺)将量子点层(例如，红色量子点层或绿色量子点层)转移至发光单元(例如，紫外光led或蓝光led)上，且于量子点层的至少一表面上设置蚀刻阻挡层(例如，二氧化硅)。量子点层将接收的光波长转换为所需的波长，进而配置出包含rgb三色的led封装体。

1.一种发光元件，包括：

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该蚀刻阻挡层包括无机透明绝缘材。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中该蚀刻阻挡层包括二氧化硅。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该蚀刻阻挡层为透明绝缘层。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该量子点层的边缘与该蚀刻阻挡层的边缘重叠。

6.如权利要求1所述的发光元件，还包括透明保护层，设置于该量子点层的另一表面上。

7.如权利要求1所述的发光元件，还包括粘着层，设置于该发光单元与该光转换结构之间。

8.如权利要求7所述的发光元件，其中该光转换结构的边缘与该粘着层的边缘重叠。

9.如权利要求1所述的发光元件，还包括覆盖层，包围该发光单元。

10.如权利要求9所述的发光元件，其中该覆盖层还包括黑色矩阵材料。