显示基板及其制作方法与流程

本公开涉及显示，特别涉及一种显示基板及其制作方法。

背景技术：

1、随着微型投影机和可穿戴设备逐渐进入到现实生产与生活中，微型发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)，以及有机发光二极管(organic micro lightemitting diode，oled)在显示技术领域的应用越来越广泛。

2、在显示面板的制造过程中，需要将驱动基板与led发光基板的焊盘进行键合（bonding），目前大多的铜焊盘部分采用单圆柱式铜柱的方式，在退火后使铜膨胀扩散，从而实现电气互联。键合工艺对铜焊盘的凹陷（dishing）值要求较严格，整面晶圆（wafer）工艺控制较难。若dishing值偏小，则在后续加热退火过程中，由于铜的膨胀较大，导致铜在界面处互相挤压，使得界面容易出现分层现象，随后铜延界面处泄露，会导致相邻像素间短路，造成显示面板的良率较低的技术问题。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种显示基板及其制作方法，能够提高显示面板的良率。

2、第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括电气元件和铜柱，所述铜柱用于与其他基板键合；

3、所述铜柱包括细铜下段、粗铜中段和细铜上段，所述细铜下段位于所述电气元件的阳极上，所述粗铜中段位于所述细铜下段上，所述细铜上段位于所述粗铜中段上；

4、所述细铜下段和所述细铜上段的铜晶粒的晶粒度，小于所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度。

5、在一些实施例中，所述细铜下段和所述细铜上段的铜晶粒的晶粒度在100nm以下，所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度在300nm以上。

6、在一些实施例中，还包括包围所述粗铜中段的环形有机硅烷结构。

7、在一些实施例中，所述环形有机硅烷结构中注入有离子材料，从所述环形有机硅烷结构的内径至外径，注入的离子材料逐渐增多。

8、在一些实施例中，所述铜柱还包括焊盘，所述焊盘位于所述细铜上段上。

9、在一些实施例中，所述焊盘的铜晶粒的晶粒度小于所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度。

10、在一些实施例中，所述显示基板为驱动基板或led发光基板。

11、第二方面，本公开实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括：

12、在衬底上形成电气元件；

13、沉积绝缘材料，通过光刻工艺对电气元件的阳极处的绝缘材料进行刻蚀，形成第一通孔；

14、通过大马士革工艺，在第一通孔中形成细铜下段；

15、在细铜下段周围旋涂有机硅烷材料，通过光刻工艺对有机硅烷材料进行刻蚀，并对有机硅烷材料进行离子材料注入，形成环形有机硅烷结构；

16、沉积绝缘材料，通过光刻工艺对细铜下段处的绝缘材料进行刻蚀，形成第二通孔；

17、通过大马士革工艺，在第二通孔中形成粗铜中段；

18、沉积绝缘材料，通过光刻工艺对粗铜中段处的绝缘材料进行刻蚀，形成第三通孔；

19、通过大马士革工艺，在第三通孔中形成细铜上段；

20、沉积绝缘材料，通过光刻工艺对细铜上段处的绝缘材料进行刻蚀，形成第四通孔；

21、通过大马士革工艺，在第四通孔中形成焊盘。

22、在一些实施例中，在衬底上形成电气元件，包括：

23、通过光刻工艺形成led器件的台阶图形；

24、沉积绝缘材料，通过光刻工艺对绝缘材料进行刻蚀，形成阳极通孔；

25、沉积金属材料，通过光刻工艺对金属材料进行刻蚀，形成led器件的阳极和阴极。

26、在一些实施例中，还包括：

27、通过混合键合工艺，将显示基板与驱动基板键合。

28、本公开实施例提供的显示基板，包括电气元件和铜柱，铜柱用于与其他基板键合；铜柱包括细铜下段、粗铜中段和细铜上段，细铜下段位于电气元件上，粗铜中段位于细铜下段上，细铜上段位于粗铜中段上；细铜下段和细铜上段的铜晶粒的晶粒度，小于粗铜中段的铜晶粒的晶粒度。细铜下段和细铜上段采用致密的小晶粒，具有良好的电气互联作用，是主要的高质量电气互联组成部分；粗铜中段采用疏松的大晶粒，用于缓解铜在加热过程中的膨胀，使得细铜下段和细铜上段因加热退火产生热膨胀后，朝粗铜中段处挤压扩散，缓解膨胀压力，防止界面出现分层现象导致的相邻像素间短路，从而解决了显示面板的良率较低的技术问题。

技术特征：

1.一种显示基板，其特征在于，包括电气元件和铜柱，所述铜柱用于与其他基板键合；

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述细铜下段和所述细铜上段的铜晶粒的晶粒度在100nm以下，所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度在300nm以上。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括包围所述粗铜中段的环形有机硅烷结构。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述环形有机硅烷结构中注入有离子材料，从所述环形有机硅烷结构的内径至外径，注入的离子材料逐渐增多。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述铜柱还包括焊盘，所述焊盘位于所述细铜上段上。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述焊盘的铜晶粒的晶粒度小于所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为驱动基板或led发光基板。

8.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，在衬底上形成电气元件，包括：

10.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，还包括：

技术总结
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制作方法，能够解决显示面板的良率较低的技术问题。该显示基板包括电气元件和铜柱，所述铜柱用于与其他基板键合；所述铜柱包括细铜下段、粗铜中段和细铜上段，所述细铜下段位于所述电气元件的阳极上，所述粗铜中段位于所述细铜下段上，所述细铜上段位于所述粗铜中段上；所述细铜下段和所述细铜上段的铜晶粒的晶粒度，小于所述粗铜中段的铜晶粒的晶粒度。

技术研发人员：张羽,梁秋敏,谢峰,岳大川,蔡世星,李小磊,伍德民
受保护的技术使用者：季华实验室
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15