一种发光二极管的制作方法

本申请涉及半导体相关，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术：

1、发光二极管由于其较高的发光效率在很多领域均有广泛的应用。发光二极管包括发光台面以及环绕于发光台面之外的切割区，由于发光台面与结构层及基板之间存在热膨胀系数差异，发光二极管易产生大小不一的应力，甚至易出现应力纹或发光台面破损、脱落的现象。为了解决上述问题，于切割区形成环绕发光台面的凸台。

2、引入环绕发光台面的凸台后，整个发光二极管电位分布不均匀，易导致发光二极管出现电迁移的现象，影响发光二极管的可靠性。因此，为了改善上述发光二极管易出现电迁移的现象，将切割区划分为第一分区和第二分区，并仅在第一分区形成有凸台，以避免发光二极管出现电迁移的现象。

3、但是，将上述切割区划分为第一分区和第二分区，并仅在第一分区形成凸台之后，由于第一分区的高度和第二分区的高度不一致，相邻凸台之间的间距较小，在后续工艺中凸台与第二分区的相接处易出现缝隙等破损现象，进而导致蚀刻液渗透至结构层中并对结构层造成损伤，影响发光二极管的可靠性。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种发光二极管，其通过在第二分区以及与其相邻的凸台上设置第二外延层，可避免凸台与第二分区的相接处出现缝隙，进而避免后续工艺中蚀刻液渗透至结构层中并对结构层造成损伤，提高发光二极管的可靠性。

2、本申请实施例提供了一种发光二极管，其包括：

3、基板，所述基板的上表面配置有发光区和环绕于发光区之外的切割区；

4、结构层，铺设在发光区和切割区上；结构层自上而下至少包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层；位于发光区处的结构层上配置有发光台面，发光台面包括第一外延层；

5、所述切割区包括第一分区和第二分区，所述第一分区和所述第二分区在发光台面的周向上间隔布置；所述第一分区形成有凸台，所述凸台连在所述结构层上并由所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述金属层向上延伸得到，所述凸台与所述发光台面间隔设置；所述凸台内的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层呈梯形分布，所述第二分区形成有第二外延层，所述第二外延层自所述第二分区延伸至所述凸台上

6、在一种可能的实施方案中，所述凸台的高度为所述发光台面高度的40％～80％。

7、在一种可能的实施方案中，所述第二外延层至少包覆所述凸台靠近所述第二分区的端部。

8、在一种可能的实施方案中，所述第二外延层与所述发光台面间隔设置。

9、在一种可能的实施方案中，第二外延层至少覆盖凸台靠近发光台面的一侧。

10、在一种可能的实施方案中，第二外延层中位于凸台上的那部分被配置为u型，且u型开口朝向第二分区的相反侧。

11、在一种可能的实施方案中，凸台处的第二外延层的宽度等于第二分区处的第二外延层的宽度。

12、在一种可能的实施方案中，在发光台面的周向上，第二外延层覆盖第二分区的整个区域或者部分区域。

13、在一种可能的实施方案中，在发光台面的周向上第二外延层覆盖第二分区的部分区域时，第二外延层中位于第二分区的那部分的外壁面呈弧形或者斜坡，且外壁面的斜率自下而上递减。

14、在一种可能的实施方案中，第二外延层的上表面与发光台面的上表面等高。

15、在一种可能的实施方案中，第二外延层的层结构与第一外延层的层结构相同。

16、在一种可能的实施方案中，第一分区在发光台面周向上的长度总和l1与第二分区在发光台面周向上的长度总和l2的比值介于5～20。

17、在一种可能的实施方案中，第一绝缘层和第二绝缘层之间包括有反射层和导电层，反射层穿过第一绝缘层与第一外延层连接，导电层包覆在反射层的外围，且朝向第一外延层的表面电连接有接触电极；第二绝缘层包覆在导电层的外围；金属层具有与第一外延层电连接的导电柱，且导电柱的侧壁包覆有第二绝缘层和第一绝缘层。

18、在一种可能的实施方案中，第一外延层自上而下包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，导电柱与第一半导体层电连接，接触电极与第二半导体层电连接。

19、与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：

20、本申请在第二分区以及与其相邻的凸台上设置第二外延层，第二外延层可对第二分区以及凸台中靠近第二分区的端部进行保护，有效避免凸台与第二分区的相接处出现缝隙等破损现象，进而避免后续工艺中因存在破损现象而导致的蚀刻液易渗透至结构层中并对结构层造成损伤的现象，提高发光二极管的可靠性。

技术特征：

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸台的高度为所述发光台面高度的40％～80％。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二分区形成有第二外延层，所述第二外延层自所述第二分区延伸至所述凸台上。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延层至少包覆所述凸台靠近所述第二分区的端部。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延层与所述发光台面间隔设置。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延层至少覆盖所述凸台靠近发光台面的一侧。

7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延层中位于凸台上的那部分被配置为u型，且u型开口朝向所述第二分区的相反侧。

8.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，凸台处的所述第二外延层的宽度等于第二分区处的所述第二外延层的宽度。

9.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在发光台面的周向上，所述第二外延层覆盖所述第二分区的整个区域或者部分区域。

10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，在发光台面的周向上所述第二外延层覆盖所述第二分区的部分区域时，所述第二外延层中位于第二分区的那部分的外壁面呈弧形或者斜坡，且外壁面的斜率自下而上递减。

11.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延层的上表面与所述发光台面的上表面等高。

12.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二外延层的层结构与所述第一外延层的层结构相同。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一分区在发光台面周向上的长度总和l1与所述第二分区在发光台面周向上的长度总和l2的比值介于5～20。

14.根据权利要求1～11任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层之间包括有反射层和导电层，所述反射层穿过第一绝缘层与所述第一外延层连接，所述导电层包覆在所述反射层的外围，且朝向所述第一外延层的表面电连接有接触电极；所述第二绝缘层包覆在所述导电层的外围；所述金属层具有与所述第一外延层电连接的导电柱，且所述导电柱的侧壁包覆有所述第二绝缘层和所述第一绝缘层。

15.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延层自上而下包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述导电柱与所述第一半导体层电连接，所述接触电极与所述第二半导体层电连接。

技术总结
本申请公开了一种发光二极管，包括基板、结构层和发光台面，基板上表面配置有发光区和环绕于发光区之外的切割区；结构层铺设在发光区和切割区上；位于发光区处的结构层上配置有发光台面，发光台面包括第一外延层；切割区包括在发光台面周向上间隔布置的第一分区和第二分区，第一分区形成有凸台，凸台连在结构层上并由结构层中的第一绝缘层、第二绝缘层和金属层向上延伸得到；第二分区形成有第二外延层，第二外延层自第二分区延伸至凸台上。本申请通过在第二分区及与其相邻的凸台上设置第二外延层，可避免凸台与第二分区的相接处出现缝隙，进而避免后续工艺中蚀刻液渗透至结构层中并对结构层造成损伤。

技术研发人员：蔡琳榕,连文黎,朱立钦,杨力勋
受保护的技术使用者：厦门市三安光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16