一种封装结构以及相应的制备方法与流程

本发明涉及封装，具体为一种封装结构以及相应的制备方法。

背景技术：

1、由于芯片产品性能设计要求，需要采用大尺寸导电柱电连接磁性装置或其他装置，但是由于大尺寸导电柱的高宽比不对称，在对大尺寸导电柱底面刷焊料后进行回流焊时容易倒塌引起共面性问题，导致大尺寸导电柱顶面和磁性装置贴装时出现虚焊问题；且由于对大尺寸导电柱底面的刷焊料多，导致在回流焊之后位于大尺寸导电柱底面的焊料中的气泡未能排出形成空洞，降低产品质量。

技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有封装结构的大尺寸导电柱焊接质量低的问题，提供了一种封装结构以及相应的制备方法。

2、为了实现上述目的，本发明提供一种封装结构，包括：

3、基板；

4、设于所述基板表面的导电柱，所述导电柱具有面向所述基板的底面和与所述底面相对的顶面；

5、其中，所述基板表面设有凹槽，所述导电柱的底面设有和所述凹槽相对应的凸块，所述凸块固定于所述凹槽中，所述导电柱的底面高于所述基板表面，且所述凸块和所述凹槽之间、所述导电柱的底面和对应的所述基板表面之间设有第一焊料层。

6、作为一种可实施方式，所述凸块位于所述导电柱的底面的边缘区域，所述凸块和所述凹槽都呈环形分布。

7、作为一种可实施方式，所述凸块为围墙结构。

8、作为一种可实施方式，所述凸块包括多个间隔排列的块状结构。

9、作为一种可实施方式，所述第一焊料层均匀分布于所述凸块和所述凹槽之间、所述导电柱的底面和对应的所述基板表面之间。

10、作为一种可实施方式，还包括：

11、芯片，设于所述基板表面；

12、塑封层，塑封所述芯片和所述导电柱且暴露所述导电柱的顶面。

13、作为一种可实施方式，还包括：

14、磁性装置，设于所述塑封层表面；

15、其中，所述磁性装置设有电极，所述电极通过第二焊料层连接所述导电柱的顶面。

16、作为一种可实施方式，所述磁性装置表面还设有散热片。

17、相应的，本发明还提供一种封装结构的制备方法，包括：

18、提供基板，其中，所述基板表面设有凹槽；

19、将导电柱通过第一焊料层设于所述基板表面，其中，所述导电柱具有面向所述基板的底面和与所述底面相对的顶面，所述导电柱的底面设有和所述凹槽相对应的凸块，所述凸块固定于所述凹槽中，所述导电柱的底面高于所述基板表面，且所述第一焊料层位于所述凸块和所述凹槽之间、所述导电柱的底面和对应的所述基板表面之间。

20、作为一种可实施方式，所述凸块位于所述导电柱的底面的边缘区域，所述凸块和所述凹槽都呈环形分布。

21、作为一种可实施方式，所述凸块为围墙结构。

22、作为一种可实施方式，所述凸块包括多个间隔排列的块状结构。

23、作为一种可实施方式，所述第一焊料层均匀分布于所述凸块和所述凹槽之间、所述导电柱的底面和对应的所述基板表面之间。

24、作为一种可实施方式，将导电柱通过第一焊料层设于所述基板表面的步骤包括：

25、在所述凹槽围绕的基板表面涂覆第一焊料层；

26、提供导电柱，将所述凸块插入所述凹槽，并通过所述导电柱的底面的挤压作用使得所述第一焊料层流入所述凸块和所述凹槽之间；

27、将所述凸块插入所述凹槽后对所述凸块和所述凹槽之间、所述基板表面和所述导电柱的底面之间的第一焊料层进行回流焊，实现将所述导电柱固定于所述基板表面。

28、作为一种可实施方式，还包括：

29、提供芯片，将所述芯片设于所述基板表面；

30、在所述芯片和基板表面形成塑封层，使得塑封所述芯片和所述导电柱且暴露所述导电柱的顶面。

31、作为一种可实施方式，还包括：

32、提供磁性装置，将所述磁性装置设于所述塑封层表面；

33、其中，所述磁性装置设有电极，所述电极通过第二焊料层连接所述导电柱的顶面。

34、本发明的有益效果：本发明公开了一种封装结构以及相应的制备方法，在所述基板表面设置凹槽，在所述导电柱的底面设置和所述凹槽相对应的凸块，将所述凸块插入所述凹槽中，且在所述凸块和所述凹槽之间设置第一焊料层，使得在回流焊时可以提高所述导电柱的稳定性，降低第一焊料层中产中的气泡数量，提升产品质量。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述凸块位于所述导电柱的底面的边缘区域，所述凸块和所述凹槽都呈环形分布。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凸块为围墙结构。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凸块包括多个间隔排列的块状结构。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊料层均匀分布于所述凸块和所述凹槽之间、所述导电柱的底面和对应的所述基板表面之间。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述磁性装置表面还设有散热片。

9.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述凸块位于所述导电柱的底面的边缘区域，所述凸块和所述凹槽都呈环形分布。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述凸块为围墙结构。

12.根据权利要求10所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述凸块包括多个间隔排列的块状结构。

13.根据权利要求9所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一焊料层均匀分布于所述凸块和所述凹槽之间、所述导电柱的底面和对应的所述基板表面之间。

14.根据权利要求10所述的封装结构的制备方法，其特征在于，将导电柱通过第一焊料层设于所述基板表面的步骤包括：

15.根据权利要求9所述的封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：

16.根据权利要求15所述的封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明涉及封装技术领域，公开了一种封装结构以及相应的制备方法，在所述基板表面设置凹槽，在所述导电柱的底面设置和所述凹槽相对应的凸块，将所述凸块插入所述凹槽中，且在所述凸块和所述凹槽之间设置第一焊料层，使得在回流焊时可以提高所述导电柱的稳定性，降低第一焊料层中产中的气泡数量，提升产品质量。

技术研发人员：杨先方,田忠原,汤恒立
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15