衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置与流程

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2010-118462号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开文本提供能够使形成于衬底上的膜的品质提高的技术。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其具有：

5、(a)对具有凹部的衬底供给含有第14族元素的第1气体的工序；

6、(b)对上述衬底供给含有第15族或第13族元素的第2气体的工序；

7、(c)将上述第2气体设为第1浓度而进行(a)和(b)，由此在上述凹部形成含有上述第14族元素的第1膜，并在用上述第1膜将凹部内填满(日文：埋めきる)之前停止成膜的工序；和

8、(d)在(c)之后，将上述第2气体设为第2浓度而进行(b)，并且对上述衬底进行热处理的工序。

9、发明的效果

10、根据本公开文本，能够使形成于衬底上的膜的品质提高。

技术特征：

1.衬底处理方法，其具有：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1浓度和所述第2浓度为不同的浓度。

3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2浓度为低于所述第1浓度的浓度。

4.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(d)中，对所述衬底供给含氢气体。

5.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，在(d)中，对所述衬底供给含氢气体。

6.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(d)中，使所述衬底所存在的空间的压力低于(c)中的所述空间的压力。

7.如权利要求5所述的衬底处理方法，其中，在(d)中，使所述衬底所存在的空间的压力低于(c)中的所述空间的压力。

8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(d)中，对所述衬底供给非活性气体。

9.如权利要求1所述的衬底处理方法，其还具有：(e)在(c)之后，对所述衬底供给含有所述第14族元素的第3气体，并在所述凹部的表面形成含有所述第14族元素的第2膜的工序。

10.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(e)中供给的所述第3气体为氢化合物。

11.如权利要求10所述的衬底处理方法，其中，所述氢化合物不含卤素。

12.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(e)中，供给所述第2气体。

13.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(e)中形成的所述第2膜被不连续地形成。

14.如权利要求9所述的衬底处理方法，其还具有：(f)在(c)之前，对所述衬底供给含有所述第14族元素的第4气体，在所述凹部的表面形成含有所述第14族元素的晶种层的工序。

15.如权利要求14所述的衬底处理方法，其中，(f)中的所述衬底的温度低于(e)中的所述衬底的温度。

16.如权利要求15所述的衬底处理方法，其中，在(f)中使用的所述第4气体与在(e)中使用的所述第3气体为不同的化合物。

17.如权利要求16所述的衬底处理方法，其中，

18.半导体器件的制造方法，其具有：

19.记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序：

20.衬底处理装置，其具有：

技术总结
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能够使形成于衬底上的膜的品质提高的技术。具有：(a)向具有凹部的衬底供给含有第14族元素的第1气体的工序；(b)向上述衬底供给含有第15族或第13族元素的第2气体的工序；(c)将上述第2气体设为第1浓度而进行(a)和(b)，由此在上述凹部形成含有上述第14族元素的第1膜，并在用上述第1膜将凹部内填满之前停止成膜的工序；和(d)在(c)之后，将上述第2气体设为第2浓度而进行(b)，并且对上述衬底进行热处理的工序。

技术研发人员：宫仓敬弘,平野晃人,越保信,女川靖浩
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27