一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件的制作方法

本发明涉及半导体，特别是涉及一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件。

背景技术：

1、芯片生产过程中，硅片在作业机台中通过机器手臂来完成机械传送，在传送过程中机器手臂与硅片发生相对滑动、微振、冲击、腐蚀等，则有可能产生颗粒问题，颗粒如果残留在背面可能造成光刻作业时的缺陷问题颗粒如果翻到晶圆正面则会降低产品良率。

2、高k介质沉积机台的机器手臂接触衬垫(robot contact pad)为玻璃碳材料，其耐磨性不好，与硅片发生滑动摩擦时会被摩擦磨损而导致碳颗粒掉落到晶圆背面，可能导致产生缺陷问题，造成产品良率下降。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，用于解决现有技术中硅片在作业机台的传送过程中造成缺陷导致降低产品良率的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，至少包括：

3、用于承载晶圆并传送所述晶圆的机械手臂；所述机械手臂包括承载盘和传输杆；所述承载盘为一端开口另一端封闭的圆弧状框架结构，其中封闭一端连接所述传输杆且二者一体成型；所述承载盘用于承载所述晶圆，所述承载盘的圆弧状框架结构上分布有接触衬垫；所述接触衬垫用于承载晶圆时与所述晶圆表面接触从而支撑所述晶圆；所述接触衬垫的材质为pbi；所述接触衬垫与所述晶圆接触的表面的直径大于1.2mm且小于该衬垫在所述圆弧状框架结构位置的宽度。

4、优选地，所述承载盘的开口弧长占据所述圆弧状框架结构整体弧长约1/4。

5、优选地，所述接触衬垫有四个。

6、优选地，该四个接触衬垫均匀分布于所述圆弧状框架结构上。

7、优选地，该四个接触衬垫其中的两个分别位于所述圆弧状框架结构的开口端，另两个分别分布于所述圆弧状框架结构靠近所述传输杆的一侧，并分别与所述开口端的两个接触衬垫呈对称分布。

8、优选地，所述接触衬垫由上下两层结构堆叠而成，其中形成于所述圆弧状框架结构上的下层结构为第一圆片，堆叠在该第一圆片上的为上层结构，所述上层结构为直径大于所述下层结构的第二圆片，且该第二圆片是被切除两段圆弧，形成为相互平行的两条边。

9、优选地，所述圆弧状框架结构靠近所述传输杆一侧的宽度大于其开口一侧的宽度。

10、如上所述，本发明的一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，具有以下有益效果：本发明选用耐摩擦磨损性能优异的pbi(聚苯并咪唑)材质，提高接触衬垫的摩擦磨损性能；接触衬垫的上表面的抛光平面直径到1.2mm以上，有效降低接触衬垫与晶圆之间的压强，可以有效避免接触衬垫与晶圆接触时因摩擦磨损产生的颗粒问题。

技术特征：

1.一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于：所述承载盘的开口弧长占据所述圆弧状框架结构整体弧长约1/4。

3.根据权利要求2所述的用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于：所述接触衬垫有四个。

4.根据权利要求3所述的用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于：该四个接触衬垫均匀分布于所述圆弧状框架结构上。

5.根据权利要求4所述的用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于：该四个接触衬垫其中的两个分别位于所述圆弧状框架结构的开口端，另两个分别分布于所述圆弧状框架结构靠近所述传输杆的一侧，并分别与所述开口端的两个接触衬垫呈对称分布。

6.根据权利要求1所述的用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于：所述接触衬垫由上下两层结构堆叠而成，其中形成于所述圆弧状框架结构上的下层结构为第一圆片，堆叠在该第一圆片上的为上层结构，所述上层结构为直径大于所述下层结构的第二圆片，且该第二圆片是被切除两段圆弧，形成为相互平行的两条边。

7.根据权利要求1所述的用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，其特征在于：所述圆弧状框架结构靠近所述传输杆一侧的宽度大于其开口一侧的宽度。

技术总结
本发明提供一种用于抑制传送过程产生颗粒的晶圆传送组件，用于承载晶圆并传送晶圆的机械手臂；机械手臂包括承载盘和传输杆；承载盘为一端开口另一端封闭的圆弧状框架结构，其中封闭一端连接传输杆且二者一体成型；承载盘用于承载所述晶圆，承载盘的圆弧状框架结构上分布有接触衬垫；接触衬垫用于承载晶圆时与晶圆表面接触从而支撑晶圆；所述接触衬垫的材质为PBI；接触衬垫与所述晶圆接触的表面的直径大于1.2mm且小于该衬垫在圆弧状框架结构位置的宽度。本发明选用耐摩擦磨损性能聚苯并咪唑，提高接触衬垫的磨损性；接触衬垫的上表面的抛光平面直径在1.2mm以上，有效降低接触衬垫与晶圆之间的压强，可有效避免接触衬垫与晶圆接触时因摩擦磨损产生颗粒。

技术研发人员：陈军军,鲍宇,张瑜
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16