线圈部件的制作方法

本发明涉及线圈部件，特别涉及能够用作耦合电感器的线圈部件。

背景技术：

1、作为dc/dc转换器等开关电源的平滑用线圈，有时使用被称为耦合电感器(coupled inductor)的线圈部件。耦合电感器具有相互磁耦合的一对电流路径，当在一个电流路径中流过电流时，由于电动势(electromotive force)而在另一个电流路径中也流过电流。因此，如果用作开关电源的平滑用线圈，则能够降低浪涌电流(rush current)的峰值。作为耦合电感器，已知有专利文献1所记载的耦合电感器。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-117676号公报

5、专利文献2：日本特开2016-131208号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、然而，专利文献1所记载的耦合电感器的线圈导体为棒状，因此难以得到高的电感。为了得到更高的电感，如专利文献2所记载的那样，考虑使用螺旋状的线圈图案的方法，但专利文献2所记载的线圈部件只是将埋入有线圈导体的两个素体简单粘接起来，因此难以调整耦合系数。而且，专利文献2所记载的线圈部件由于素体中使用了非磁性材料，因此难以得到足够的电感。

3、因此，本发明的目的在于，提供一种能够得到高电感且容易调整耦合系数的线圈部件。

4、用于解决技术问题的技术手段

5、本发明的线圈部件具备：第一磁性素体和第二磁性素体；第一线圈导体和第二线圈导体，其分别埋入于第一磁性素体和第二磁性素体；第一端子电极和第二端子电极，其从第一磁性素体露出，且分别与第一线圈导体的一端和另一端连接；第三端子电极和第四端子电极，其从第二磁性素体露出，且分别与第二线圈导体的一端和另一端连接；和低磁导率层，其设置在第一磁性素体与第二磁性素体之间，且磁导率比第一磁性素体和第二磁性素体低。

6、根据本发明，由于在埋入有线圈导体的两个磁性素体之间设置有低磁导率层，因此能够根据低磁导率层所使用的磁性材料或低磁导率层的厚度来调整耦合系数。而且，由于将线圈导体埋入于磁性素体，因此也能够得到高电感。

7、在本发明中，可以是，第一线圈导体和第二线圈导体均包含隔着层间绝缘膜而层叠的多个线圈图案，第一端子电极和第二端子电极与第一磁性素体、以及第三端子电极和第四端子电极与第二磁性素体隔着层间绝缘膜而分离。由此，可提高端子电极之间的绝缘耐压。

8、在本发明中，多个线圈图案可以沿第一磁性素体和第二磁性素体的排列方向层叠。由此，即使在线圈图案的层叠数多的情况下，也能够抑制磁性素体在高度方向上的尺寸。

9、在本发明中，第一端子电极与第三端子电极在层叠方向上的距离可以比第一线圈导体与第二线圈导体在层叠方向上的距离大。由此，能够进一步提高端子电极之间的绝缘耐压。

10、在本发明中，位于第一端子电极至第四端子电极与低磁导率层之间的层间绝缘膜可以比位于多个线圈图案之间的层间绝缘膜膜厚大。由此，能够进一步提高端子电极之间的绝缘耐压。

11、本发明的线圈部件还可以是：具备：第三磁性素体和第四磁性素体；第三线圈导体和第四线圈导体，其分别埋入于第三磁性素体和第四磁性素体；第五端子电极和第六端子电极，其从第三磁性素体露出，且分别与第三线圈导体的一端和另一端连接；第七端子电极和第八端子电极，其从第四磁性素体露出，且分别与第四线圈导体的一端和另一端连接；以及另一低磁导率层，其设置在第三磁性素体与第四磁性素体之间，磁导率比第三磁性素体和第四磁性素体低，第一磁性素体、第二磁性素体、第三磁性素体和第四磁性素体依次排列。由此，能够提供两个耦合电感器一体化而成的阵列部件。

12、在本发明中，可以是：第一端子电极、第三端子电极、第五端子电极和第七端子电极依次排列，第三端子电极与第五端子电极的距离大于第一端子电极与第三端子电极的距离，且大于第五端子电极与第七端子电极的距离。由此，能够进一步提高不同的耦合电感器之间的绝缘耐压。

13、发明效果

14、这样，根据本发明，能够提供一种能够得到高电感且容易调整耦合系数的线圈部件。

技术特征：

1.一种线圈部件，其中，

2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，

3.根据权利要求2所述的线圈部件，其中，

4.根据权利要求3所述的线圈部件，其中，

5.根据权利要求3所述的线圈部件，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的线圈部件，其中，

7.根据权利要求6所述的线圈部件，其中，

技术总结
本申请提供一种能够得到高电感且容易调整耦合系数的线圈部件。本申请的线圈部件(100)具备：线圈导体(31、32)，其分别埋入于磁性素体(11、12)；端子电极(21、22)，其从磁性素体(11)露出，分别与线圈导体(31)的一端和另一端连接；端子电极(23、24)，其从磁性素体(12)露出，分别与线圈导体(32)的一端和另一端连接；以及低磁导率层(15)，其设置于磁性素体(11、12)之间，且磁导率比磁性素体(11、12)低。由此，能够通过低磁导率层(15)所使用的磁性材料、低磁导率层的厚度来调节耦合系数。而且，由于将线圈导体(31、32)埋入于磁性素体(11、12)，因此也能够得到高的电感。

技术研发人员：西川朋永,八木沼一郞,星武道,平冈光德,柴大辉
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25