半导体模块的制作方法

本公开涉及半导体模块。

背景技术：

1、以往，公知有具备mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用开关元件的半导体模块。这种半导体模块搭载于工业设备至家电、信息终端、汽车用设备的所有电子设备。在专利文献1中，公开了以往的半导体模块(功率模块)。专利文献1所记载的半导体模块具备半导体元件、以及支撑基板(陶瓷基板)。半导体元件例如是si(硅)制的igbt。支撑基板支撑半导体元件。支撑基板包含绝缘性的基材、以及层叠于基材的两面的导体层。基材例如由陶瓷构成。各导体层例如由cu(铜)构成，在一方的导体层接合有半导体元件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015－220382号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、近年来，要求电子设备的节能化、高性能化以及小型化等。因此，需要搭载于电子设备的半导体模块的性能提高、小型化等。

3、鉴于上述事情，本公开的一个课题是提供在降低寄生电感成分的方面具有优选的模块构造的半导体模块。

4、用于解决课题的方案

5、本公开的半导体模块具备：导电基板，其具有朝向厚度方向的一方侧的主面、以及朝向与上述主面相反的一侧的背面；半导体元件，其与上述主面电接合，且具有开关功能；导通部件，其构成由上述半导体元件开关的主电路电流的路径；第一输入端子、第二输入端子以及第三输入端子，其相对于上述导电基板配置在与上述厚度方向成直角的第一方向的一方侧；以及输出端子，其相对于上述导电基板配置在上述第一方向的另一方侧。上述导电基板包含第一导电部以及第二导电部，上述半导体元件包含与上述第一导电部电接合的多个第一半导体元件、以及与上述第二导电部电接合的多个第二半导体元件。上述第二输入端子以及上述第三输入端子配置在隔着上述第一输入端子而与上述厚度方向以及上述第一方向双方成直角的第二方向的一方侧以及另一方侧。上述第一输入端子是正极和负极中的一方的极，而且与上述第一导电部电连接，上述第二输入端子以及上述第三输入端子是正极和负极中的另一方的极。

6、发明效果

7、根据基于本公开的结构，能够提供在半导体模块中在降低寄生电感成分的方面优选的模块构造。

技术特征：

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

8.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体模块，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体模块，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

14.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

15.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

16.根据权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，具备：

技术总结
半导体模块具备导电基板、多个第一半导体元件以及多个第二半导体元件。上述导电基板包含与上述多个第一半导体元件电接合的第一导电部、以及与上述多个第二半导体元件电接合的第二导电部。上述半导体模块还具备设置在上述第一导电部的附近的第一输入端子、第二输入端子以及第三输入端子。上述第二输入端子以及上述第三输入端子隔着上述第一输入端子而相互隔开间隔。上述第一输入端子与上述第一导电部电连接。上述第一输入端子的极性设定为与上述第二输入端子以及上述第三输入端子各自的极性相反。

技术研发人员：林健二,谷川昂平,福田谅介
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15