检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法与流程

本发明实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法。

背景技术：

1、在集成电路制造的过程中，在每个工艺流程中都有可能在晶圆上形成缺陷。随着半导体工艺的发展，半导体器件越来越趋向于小型化，晶圆上的缺陷在半导体工艺中的影响越来越大，因此在集成电路制造的过程中，需要对晶圆进行缺陷检测，以检测结果为依据分析产生缺陷的原因，以对生产工艺或工艺设备进行调整，减少缺陷产生。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例期望提供一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法；能够对由晶圆的径向表面至晶圆边缘的过渡区域的缺陷类型进行检测，提高晶圆检测的全面性以及检测良率，降低了缺陷检测的漏检率以及出货风险。

2、本发明实施例的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本发明实施例提供了一种检测晶圆缺陷类型的方法，包括：

4、接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；

5、根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；

6、获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；

7、根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。

8、第二方面，本发明实施例提供了一种检测晶圆缺陷类型的装置，所述装置包括：接收部分、确定部分、获取部分和识别部分；其中，

9、所述接收部分，经配置为接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；

10、所述确定部分，经配置为根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；

11、所述获取部分，经配置为获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；

12、所述识别部分，经配置为根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。

13、第三方面，本发明实施例提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面所述的检测晶圆缺陷类型的方法。

14、第四方面，本发明实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的检测晶圆缺陷类型的方法。

15、第五方面，本发明实施例提供了一种晶圆加工方法，所述方法包括：

16、对通过设定方法拉制的单晶硅锭实施晶圆加工处理，获得多个晶圆；

17、针对所述多个晶圆中的每一个进行边缘检测，获得晶圆的边缘检测结果；

18、将边缘检测结果为良品的晶圆通过第一方面所述的检测晶圆缺陷类型的方法进行检测，以确定晶圆在过渡区域所存在的缺陷类型。

19、本发明实施例提供了一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法；对于晶圆的过渡区域图像，在获取存在缺陷的待识别区域之后，结合能够框选住缺陷的待识别区域特征以及缺陷的形貌特征对过渡区域缺陷类型进行识别，提高晶圆检测的全面性以及检测良率，降低了缺陷检测的漏检率以及出货风险。

技术特征：

1.一种检测晶圆缺陷类型的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形貌特征包括：所述缺陷在所述待识别区域内的面积占比以及所述缺陷的最长轴与最短轴之间的比值；所述待识别区域特征包括所述待识别区域的水平方向长度和竖直方向长度以及所述缺陷所占区域的亮度标准差。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征，包括：

6.一种检测晶圆缺陷类型的装置，其特征在于，所述装置包括：接收部分、确定部分、获取部分和识别部分；其中，

7.一种计算设备，其特征在于，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至5任一所述的检测晶圆缺陷类型的方法。

8.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至5任一所述的检测晶圆缺陷类型的方法。

9.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

技术总结
本发明实施例公开了一种检测晶圆缺陷类型的方法、装置、介质及晶圆加工方法；该检测晶圆缺陷类型的方法包括：接收采集到的待测晶圆的过渡区域图像；所述过渡区域为在晶圆的径向表面与边缘之间所存在的2mm至5mm的区域；根据所述过渡区域图像的图像特征确定存在缺陷的待识别区域；获取所述待识别区域内所存在的缺陷的形貌特征；根据所述形貌特征以及所述待识别区域特征确定所述待识别区域内所存在的缺陷的类型。

技术研发人员：仝临杰,马强强
受保护的技术使用者：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16