本发明涉及封装,特别涉及一种封装结构及封装方法。
背景技术:
1、随着系统级封装(systeminpackage,sip)技术的发展和设备小型化的需求,射频前端模组中各组件之间的距离越来越小,双面封装也势在必行。为了提高封装模组的可靠性,在倒装芯片(flip chip)下方填充底部填充剂(underfill)是一种常用方式,但当倒装芯片与植球焊盘的距离较近时,底部填充剂填充时容易污染植球焊盘,造成植球不良。
2、为了改善由于底部填充剂污染植球焊盘导致的植球不良问题,现有的处理方法有:在植球前用胶膜覆盖植球焊盘,底部填充剂点胶后除去胶膜,以保证植球焊盘不被底部填充剂污染。但是上述处理方法的工艺流程复杂。
技术实现思路
1、本发明的目的之一是提供一种封装结构及封装方法,可以改善由于底部填充剂污染植球焊盘导致的植球不良问题,且封装工艺流程简单。
2、为了实现上述的目的,本发明一方面提供一种封装结构。所述封装结构包括:基板,所述基板具有朝向相反的第一表面和第二表面,所述第二表面具有芯片安装凹槽以及位于所述芯片安装凹槽侧边的植球焊盘;第一芯片,所述第一芯片安装在所述芯片安装凹槽内;底部填充剂,所述底部填充剂位于所述芯片安装凹槽内,填充所述第一芯片的靠近所述芯片安装凹槽底面的底部;以及焊球,所述焊球设置在所述植球焊盘上。
3、可选的,所述基板内部具有多层金属层以及隔离所述金属层的多层介电层,所述芯片安装凹槽凹设在所述介电层中。
4、可选的,所述芯片安装凹槽贯穿一层、两层或三层所述介电层。可选的,所述芯片安装凹槽的底面具有第四焊盘,所述第一芯片固定在所述第四焊盘上且与所述第四焊盘电连接。
5、可选的,所述第一芯片为倒装焊接封装类型的芯片。
6、可选的,所述封装结构还包括多个功能元件,多个所述功能元件安装在所述基板的第一表面上。
7、可选的,所述基板的第一表面具有第一焊盘;多个所述功能元件包括无源器件,所述无源器件安装在所述第一焊盘上。
8、可选的,所述基板的第一表面具有第二焊盘和第三焊盘;多个所述功能元件包括功能芯片,所述功能芯片的背面贴装在所述第二焊盘上,所述功能芯片的正面通过金属线与所述第三焊盘电连接。
9、可选的,所述封装结构还包括塑封层,所述塑封层形成在所述第一表面上且包覆所述功能元件。
10、本发明的另一方面提供一种封装方法。所述封装方法包括:
11、提供基板,所述基板具有朝向相反的第一表面和第二表面,所述第二表面具有芯片安装凹槽以及位于所述芯片安装凹槽侧边的植球焊盘;
12、将第一芯片安装在所述芯片安装凹槽内;
13、在所述第一芯片的靠近所述芯片安装凹槽底面的底部填充底部填充剂,所述底部填充剂填充于所述芯片安装凹槽内;
14、在所述植球焊盘上设置焊球。
15、本发明提供的封装结构及封装方法中,第一芯片安装在基板表面的芯片安装凹槽内,底部填充剂在芯片安装凹槽的底部填充第一芯片的靠近芯片安装凹槽底面的底部,由于芯片安装凹槽的限制,底部填充剂不会扩散覆盖芯片安装凹槽侧边的植球焊盘,从而可以有效避免底部填充剂对植球焊盘的污染,改善由于底部填充剂污染植球焊盘导致的植球不良问题,且封装工艺流程简单。
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述基板内部具有多层金属层以及隔离所述金属层的多层介电层,所述芯片安装凹槽凹设在所述介电层中。
3.如权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述芯片安装凹槽贯穿一层、两层或三层所述介电层。
4.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述芯片安装凹槽的底面具有第四焊盘,所述第一芯片固定在所述第四焊盘上且与所述第四焊盘电连接。
5.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一芯片为倒装焊接封装类型的芯片。
6.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括多个功能元件,多个所述功能元件安装在所述基板的第一表面上。
7.如权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述基板的第一表面具有第一焊盘;多个所述功能元件包括无源器件,所述无源器件安装在所述第一焊盘上。
8.如权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述基板的第一表面具有第二焊盘和第三焊盘;多个所述功能元件包括功能芯片,所述功能芯片的背面贴装在所述第二焊盘上,所述功能芯片的正面通过金属线与所述第三焊盘电连接。
9.如权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构还包括塑封层,所述塑封层形成在所述第一表面上且包覆所述功能元件。
10.一种封装方法,其特征在于,包括: