一种倒装蓝光的COW片及改善MicroLED量子点芯片漏蓝光的方法与流程

本发明提供了一种倒装蓝光的cow片及改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法，属于led芯片。

背景技术：

1、量子点mini led芯片是通过倒装蓝光芯片通过激发一层带有红色或绿色量子点的氮化镓层而发出红色光或绿色光的芯片，但由于倒装蓝光芯片结构特性，底部有dbr反射层，反射层自身并不能100%反射发出的光，所以芯片在被激发出红色光或绿色的同时，会夹杂一些反射的蓝色光，致使红光或绿光颜色偏蓝，色纯度低。

2、现有cog 黑膜贴膜工艺，色坐标可达标，但在封装好的模组上贴黑膜，成品可靠性风险大；

3、现有mip/cob封装上芯完成后通过喷涂工艺进行底填黑胶，该工艺喷涂过程中，均匀性很难控制，易造成侧壁爬胶，像素均匀性差，色坐标很难达标，显示效果不稳定；

4、现有直接使用cob黑胶molding，该工艺导致molding后模组产品表面均匀性差，黑胶毛细现象，影响出光效率，色坐标无法达标，显示模组均匀性差。

技术实现思路

1、本发明为了解决量子点红光或绿光芯片漏蓝光的问题，提出了一种倒装蓝光的cow片及改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种倒装蓝光的cow片，包括未切割分离的蓝光芯片，所述蓝光芯片的最底层为蓝宝石层，所述蓝宝石层顶部为量子点色转换层，在量子点色转换层上涂覆有pss层，所述pss层上涂覆有dbr反射层，所述dbr反射层上设置有芯片电极，其中芯片电极的外侧和芯片电极之间均涂覆有黑胶。

3、所述未切割分离的蓝光芯片具体采用蓝宝石衬底gan基led蓝光cow片。

4、所述黑胶涂覆在蓝光芯片的背面电极面。

5、一种改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法，在未切割分离的蓝光芯片的电极面上通过涂胶工艺给cow电极面涂覆黑胶，然后通过光刻或者plasma工艺进行电极漏出，再通过量子点色转换技术将蓝光cow片转换成发红色光或绿色光的cow片，最后将转换后的芯片切割分离。

6、将切割分离后的芯片封装成mip/cob。

7、涂覆黑胶的具体过程如下：对cow片电极面使用匀胶工艺进行黑胶填充，将一定量的黑胶滴到cow片背面，再通过匀胶旋涂设备均匀的使黑胶附着在cow电极面。

8、所述蓝光芯片采用倒装芯片。

9、本发明相对于现有技术具备的有益效果为：现有技术都是从模组封装端来改善漏蓝光现象，尤其小间距产品，芯片间间距微米级甚至更低，存在工艺难度较大，对喷涂设备技术要求较高，稳定性差，可靠性低等问题，即使有些方法可以达标，但是模组整体色坐标很难达标甚至不能达标，针对这些问题，本发明在芯片端蓝光cow片电极面填充黑胶，从芯片源头解决蓝光芯片底部、侧面因dbr反射层反射特性而引起的芯片漏蓝光现象，并使用光刻或plasma工艺，可彻底从芯片端解决此类问题，提升显示效果的同时不影响芯片原有的可靠性能。

技术特征：

1.一种倒装蓝光的cow片，包括未切割分离的蓝光芯片，其特征在于：所述蓝光芯片的最底层为蓝宝石层，所述蓝宝石层顶部为量子点色转换层，在量子点色转换层上涂覆有pss层，所述pss层上涂覆有dbr反射层，所述dbr反射层上设置有芯片电极，其中芯片电极的外侧和芯片电极之间均涂覆有黑胶。

2.根据权利要求1所述的一种倒装蓝光的cow片，其特征在于：所述未切割分离的蓝光芯片具体采用蓝宝石衬底gan基led蓝光cow片。

3.根据权利要求1所述的一种倒装蓝光的cow片，其特征在于：所述黑胶涂覆在蓝光芯片的背面电极面。

4. 一种改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法，其特征在于：在未切割分离的蓝光芯片的电极面上通过涂胶工艺给cow电极面涂覆黑胶，然后通过光刻或者plasma工艺进行电极漏出，再通过量子点色转换技术将蓝光cow片转换成发红色光或绿色光的cow片，最后将转换后的芯片切割分离。

5. 根据权利要求4所述的一种改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法，其特征在于：将切割分离后的芯片封装成mip/cob。

6. 根据权利要求4所述的一种改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法，其特征在于：涂覆黑胶的具体过程如下：对cow片电极面使用匀胶工艺进行黑胶填充，将一定量的黑胶滴到cow片背面，再通过匀胶旋涂设备均匀的使黑胶附着在cow电极面。

7. 根据权利要求4所述的一种改善micro led量子点芯片漏蓝光的方法，其特征在于：所述蓝光芯片采用倒装芯片。

技术总结
本发明提供了一种倒装蓝光的COW片及改善Micro LED量子点芯片漏蓝光的方法，属于LED芯片技术领域；解决了量子点红光或绿光芯片漏蓝光的问题；包括未切割分离的蓝光芯片，所述蓝光芯片的最底层为蓝宝石层，所述蓝宝石层顶部为量子点色转换层，在量子点色转换层上涂覆有PSS层，所述PSS层上涂覆有DBR反射层，所述DBR反射层上设置有芯片电极，其中芯片电极的外侧和芯片电极之间均涂覆有黑胶；本发明应用于Mini LED芯片。

技术研发人员：井钰锋,颉信忠
受保护的技术使用者：山西高科华杰光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15