薄膜晶体管、电致发光显示装置和驱动晶体管的制作方法

本公开内容涉及电致发光显示装置，更具体地，涉及具有双栅极结构的薄膜晶体管、电致发光显示装置以及驱动晶体管。

背景技术：

1、近来，随着我们的社会朝着面向信息的社会发展，用于视觉表达电信息信号的显示装置的领域已经迅速发展。相应地正在开发在薄、轻和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。

2、代表性显示装置包括液晶显示器(lcd)、有机发光显示器(oled)等等。

3、在显示装置当中，包括有机发光显示器的电致发光显示装置是自发光显示装置，并且与具有单独的光源的液晶显示器不同，因为电致发光显示装置不需要单独的光源，所以电致发光显示装置可以被制造得轻且薄。另外，电致发光显示装置由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(cr)方面是优异的。因此，电致发光显示装置已经期望在各种应用领域中使用。

4、电致发光显示装置通过在被称为阳极和阴极的两个电极之间设置通过使用有机材料形成的发光层来配置。然后，当来自阳极的空穴被注入到发光层中并且来自阴极的电子被注入到发光层中时，注入的电子和空穴彼此复合以在发光层中形成激子并发光以显示图像。

技术实现思路

1、本公开内容的一个方面是提供具有驱动晶体管的亚阈值摆动ss的增大的薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的电致发光显示装置。

2、本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。

3、根据本公开内容的示例性实施方式的薄膜晶体管包括：半导体层、设置在半导体层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并且彼此分离的两个或更多个第一栅极电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上并且分别电连接至半导体层的源极区和漏极区的源电极和漏电极、以及设置在第一栅电极上方的第二栅电极，沟道区可以被配置在源极区与漏极区之间。

4、根据本公开内容的示例性实施方式的电致发光显示装置包括：设置在衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、以及设置在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管上方的发光元件。第一薄膜晶体管可以包括：设置在衬底上的半导体层、设置在半导体层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上并且彼此分离的两个或更多个第一栅电极、设置在第一栅电极上的层间绝缘层、设置在层间绝缘层上并且分别电连接至半导体层的源极区和漏极区的源电极和漏电极，以及设置在第一栅电极上方的第二栅电极。沟道区可以被配置在源极区与漏极区之间。第二薄膜晶体管可以包括：设置在衬底上的半导体层、设置在半导体层上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的栅电极、设置在栅电极上的层间绝缘层、以及设置在层间绝缘层上的源电极和漏电极。

5、根据本公开内容的示例性实施方式的驱动晶体管包括：彼此串联的两个或更多个第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，其中，两个或更多个第一薄膜晶体管中的每一个和第二薄膜晶体管具有公共有源区，其中，两个或更多个第一薄膜晶体管中的每一个的第一栅电极和第二薄膜晶体管的第二栅电极设置在公共有源区的同一侧，并且其中，第二薄膜晶体管的第二栅电极与公共有源区之间的距离大于两个或更多个第一薄膜晶体管中的每一个的第一栅电极与公共有源区之间的距离。

6、示例性实施方式的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。

7、本公开内容的特征在于，通过将驱动晶体管的结构改变成三个或更多个串联的薄膜晶体管的结构，通过介电层的厚度的增大，亚阈值摆动(ss)的值增大。因此，在不增大边框宽度的情况下防止低灰度斑点(或低对比度污点)变得可能。

8、根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且本说明书中包括更多各种效果。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二栅电极设置在所述源电极与所述漏电极之间的所述第二绝缘层上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述两个或更多个分离的第一栅电极彼此间隔开预定距离，并且所述第二栅电极设置在所述第一栅电极上方以覆盖所述预定距离。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一栅电极之外的所述半导体层构成所述源极区和所述漏极区，并且所述第一栅电极和所述第二栅电极下方的所述半导体层构成所述沟道区。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，一个第一栅电极的外边缘和所述源极区与所述沟道区之间的边界是自对准的，并且另一第一栅电极的外边缘和所述漏极区与所述沟道区之间的边界是自对准的。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二栅电极与所述第一栅电极的至少一部分交叠。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二栅电极通过接触孔电连接至所述第一栅电极。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二绝缘层具有比所述第一绝缘层的厚度更大的厚度。

9.一种电致发光显示装置，包括：

10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，还包括：

11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置，其中，所述第一光阻挡层和所述第二光阻挡层设置在所述第一薄膜晶体管下方。

12.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第二栅电极设置在所述第一薄膜晶体管的所述第一源电极与所述第一漏电极之间的所述层间绝缘层上。

13.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述两个或更多个分离的第一栅电极彼此间隔开预定距离，并且所述第二栅电极设置在所述第一栅电极上方以覆盖所述预定距离。

14.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第二栅电极与所述第一栅电极的至少一部分交叠。

15.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第二栅电极通过接触孔电连接至所述第一栅电极。

16.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述层间绝缘层具有比所述栅极绝缘层的厚度更大的厚度。

17.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管包括驱动晶体管。

18.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中，所述第二薄膜晶体管包括开关晶体管、扫描晶体管、感测晶体管和面板中栅极gip晶体管。

19.一种驱动晶体管，包括：

20.根据权利要求19所述的驱动晶体管，其中，所述公共有源区包括源极区、漏极区和沟道区，并且其中，所述沟道区被配置在所述源极区与所述漏极区之间。

21.根据权利要求19所述的驱动晶体管，其中，所述两个或更多个第一薄膜晶体管的所述第一栅电极彼此间隔开预定距离，并且所述第二薄膜晶体管的所述第二栅电极设置在所述第一栅电极中的每一个上方以覆盖所述预定距离。

技术总结
本公开内容提供了薄膜晶体管、电致发光显示装置和驱动晶体管。根据本公开内容的示例性实施方式的薄膜晶体管包括：半导体层、设置在半导体层上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并且彼此分离的两个或更多个第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上并且分别电连接至半导体层的源极区和漏极区的源电极和漏电极、以及设置在第一栅电极上方的第二栅电极，沟道区可以被配置在源极区与漏极区之间。因此，增大亚阈值摆动(SS)值变得可能，因此，在不增大边框宽度的情况下改善低灰度斑点变得可能。

技术研发人员：韩永勋,李知勋
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5