一种利用负压改善MLCC封端针孔的方法与流程

本发明涉及mlcc制造，特别是涉及一种利用负压改善mlcc封端针孔的方法。

背景技术：

1、随着电子元器件与电力电子科学技术不断革新，各类型电子器件高可靠性要求的趋势不断加强，电子元件高质量要求变得重要起来。近年来，具有高可靠性要求的mlcc逐渐受到人们的重视，并被广泛应用于航空、航天、电子、交通运输和电信领域元器件等领域中。

2、在传统的mlcc封端及烧端制程工艺中，针孔一直是难以消除及改善的不良之一。针孔不良的存在常导致后续电镀镀液的渗入侵蚀，成品的可靠性下降，贴装过程中的“立碑”等问题。

3、目前，对于电子元件针孔问题主要通过过程控制手段进行改善。国家知识产权局于2021年8.13公布的一篇专利申请号为cn202110382030.3，名称：一种改善大直径半导体硅片背封针孔不良的方法的发明专利，此发明专利公布了一种以通过平衡设备腔体压力、改进设备保养方法、降低来料表面杂质的技术手段，提高了背封工序的一次良率。此专利对于设备及6s控制过分依赖，对于机、法、料三个阶段的改善要求较高，从而极大的增加了针孔的改善难度和成本。

4、因此，市场上急需一种利用负压改善mlcc封端针孔的方法，用于解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种利用负压改善mlcc封端针孔的方法，用于解决上述现有技术中存在的技术问题，利用负压原理来去除针孔，方法简单。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

3、本发明公开了一种利用负压改善mlcc封端针孔的方法，包括以下步骤：

4、s1、对倒角后的mlcc进行预封端；

5、s2、对预封端后的mlcc放置在密封容器中，并对密封容器进行抽压，使其呈负压状态，并进行保压；

6、s3、对保压后的mlcc进行破真空；

7、s4、对破真空处理后的mlcc进行烘干处理；

8、s5、对烘干后的mlcc进行烧端处理。

9、优选的，步骤s2中的负压压力为0-0.1013mpa。

10、优选的，步骤s2中的抽压时间和保压时间均为0-60s。

11、优选的，步骤s3中的破真空时间为0-60s。

12、优选的，步骤s4中的烘干温度为100-150℃，烘干时间为5-60min。

13、优选的，步骤s5中的烧端温度为500-900℃，烧端时间为30-150min。

14、优选的，步骤s2和步骤s3至少进行一次。

15、优选的，步骤s2和步骤s3连续进行两次。

16、本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：

17、本发明利用负压的技术手段解决改善mlcc封端针孔不良问题，并且整个制程工艺过程简单、操作简易，易于实现规模化制造。此外，制程工艺成本低，适合推广使用。

18、进一步的，对于封端后湿膜状态的mlcc可进行一次、两次或多次的负压处理，使得制得的mlcc封端针孔得到有效改善，避免了后续镀液侵蚀渗入，可靠性下降及贴装后“立碑”等问题。

技术特征：

1.一种利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s2中的负压压力为0-0.1013mpa。

3.根据权利要求1所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s2中的抽压时间和保压时间均为0-60s。

4.根据权利要求1所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s3中的破真空时间为0-60s。

5.根据权利要求1所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s4中的烘干温度为100-150℃，烘干时间为5-60min。

6.根据权利要求1所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s5中的烧端温度为500-900℃，烧端时间为30-150min。

7.根据权利要求1所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s2和步骤s3至少进行一次。

8.根据权利要求7所述的利用负压改善mlcc封端针孔的方法，其特征在于：步骤s2和步骤s3连续进行两次。

技术总结
本发明公开了一种利用负压改善MLCC封端针孔的方法，涉及MLCC制造技术领域，包括以下步骤：S1、对倒角后的MLCC进行预封端；S2、对预封端后的MLCC放置在密封容器中，并对密封容器进行抽压，使其呈负压状态，并进行保压；S3、对保压后的MLCC进行破真空；S4、对破真空处理后的MLCC进行烘干处理；S5、对烘干后的MLCC进行烧端处理。本发明利用负压的方式来消除封端的MLCC的端顶针孔不良，且整体方法简单，绿色环保，可用于大规模制造。

技术研发人员：薛朋,张守谦,李伟
受保护的技术使用者：北京元六鸿远电子科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15