蚀刻控制系统和蚀刻控制方法与流程

本公开涉及一种蚀刻控制系统和蚀刻控制方法。

背景技术：

1、以往，在半导体加工中，已知有一种向旋转的基板上喷出显影液等药液的显影装置以及单片清洗装置(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2012-28571号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布的蚀刻控制系统和蚀刻控制方法。

3、用于解决问题的方案

4、实施方式所涉及的蚀刻控制系统是具有预测装置和蚀刻控制装置的蚀刻控制系统，预测装置具有计算部，所述计算部使用表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型来计算与所指定的蚀刻量的分布对应的工艺参数，所述工艺参数是用于控制用于对基板进行蚀刻的多个喷嘴的动作的参数，蚀刻控制装置具有：更新部，其基于工艺参数来更新作为包含多个喷嘴的各个喷嘴的喷出时间、喷出位置及移动速度的信息的工艺制程；以及动作控制部，其按照由更新部更新后的工艺制程来控制多个喷嘴的动作。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。

技术特征：

1.一种蚀刻控制系统，具有预测装置和蚀刻控制装置，所述蚀刻控制系统的特征在于，

2.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的蚀刻控制系统，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的蚀刻控制系统，其特征在于，

5.一种蚀刻控制方法，由具有预测装置和蚀刻控制装置的蚀刻控制系统来执行，所述蚀刻控制方法的特征在于，包括以下工序：

技术总结
本公开提供一种蚀刻控制系统和蚀刻控制方法，能够在湿蚀刻中高效地实现复杂的蚀刻量的分布。蚀刻控制系统具有预测装置和蚀刻控制装置。预测装置具有计算部，所述计算部使用表示工艺参数与基板的面内的蚀刻量的分布之间的关系的模型来计算与所指定的蚀刻量的分布对应的工艺参数，所述工艺参数是用于控制用于对基板进行蚀刻的多个喷嘴的动作的参数。蚀刻控制装置具有：更新部，其基于工艺参数来更新作为包含多个喷嘴的各个喷嘴的喷出时间、喷出位置及移动速度的信息的工艺制程；以及动作控制部，其使用工艺参数来控制多个喷嘴的动作。

技术研发人员：鹤田丰久,丸本洋,李水根,榎本正志
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24