太阳能电池及光伏组件的制作方法

本申请实施例涉及太阳能电池，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术：

1、化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。

2、当前的太阳能电池受限于能够吸收利用的光线的波长范围，光电转换效率有限。为了进一步提高太阳能电池的光电转换效率，可以将吸收不同波长的光线的薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池堆叠成叠层太阳能电池，从而提高太阳能电池的光电转换效率。然后当前的叠层太阳能电池的光电转换效率与理论光电转换效率之间的偏差较大。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

2、本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：沿第一方向依次层叠设置的薄膜太阳能电池和底电池；所述底电池包括沿所述第一方向层叠设置的透明导电层、第一掺杂导电层、本征非晶硅层、基底、第二掺杂导电层和电极，所述透明导电层朝向所述薄膜太阳能电池，所述电极位于所述第二掺杂导电层远离所述基底的表面上，并与所述第二掺杂导电层欧姆接触；其中，所述第一掺杂导电层包括掺杂非晶硅层或者掺杂微晶硅层。

3、在一些实施例中，所述基底朝向所述本征非晶硅层的表面的形貌为绒面形貌。

4、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，所述基底朝向所述本征非晶硅层的表面上的绒面结构凸出所述基底表面的凸起高度为50nm至1μm。

5、在一些实施例中，所述基底和所述第一掺杂导电层中均包含第一掺杂离子，所述第二掺杂导电层中包含第二掺杂离子，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子中的一者为p型离子，另一者为n型离子。

6、在一些实施例中，所述第一掺杂导电层中所述第一掺杂离子的掺杂浓度为1017/cm3至1019/cm3。

7、在一些实施例中，所述基底朝向所述第二掺杂导电层的一侧包括第三掺杂导电层，所述第三掺杂导电层包括沿第二方向交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区包含的掺杂离子与所述第二掺杂导电层包含的掺杂离子相同，且所述第一掺杂区中掺杂离子的掺杂浓度大于所述第二掺杂导电层中掺杂离子的掺杂浓度；所述电极贯穿所述第二掺杂导电层与所述第一掺杂区欧姆接触。

8、在一些实施例中，所述第一掺杂区朝向所述第二掺杂导电层的表面的形貌为绒面形貌。

9、在一些实施例中，所述电极在所述基底朝向所述第二掺杂导电层的表面的正投影位于所述第一掺杂区内。

10、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，所述第一掺杂导电层的厚度为5nm至30nm。

11、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，所述本征非晶硅层的厚度为1nm至10nm。

12、在一些实施例中，所述薄膜太阳能电池包括钙钛矿薄膜太阳能电池、cigs薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池或者iii-v薄膜太阳能电池。

13、相应的本申请实施例还提供了一种光伏组件，包括：电池串，所述电池串由多个上述的太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。

14、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

15、本申请实施例提供的太阳能电池中，利用薄膜太阳能电池和底电池构建叠层太阳能电池的过程中，调整底电池的电池结构，底电池以隧穿氧化层钝化接触太阳能电池为基础，利用异质结太阳能电池的背面结构替换掉隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的背面结构，并利用异质结太阳能电池的背面结构中的透明导电层连通薄膜太阳能电池和底电池。通过对底电池背面结构的替换，使得底电池可以具有完整的背面结构，提高底电池的开路电压，并且避免了具有完整结构的底电池通过中间层与薄膜太阳能电池连通时，背面电极与中间层形成金属半导体接触，降低了薄膜太阳能电池与底电池之间的接触复合，提高了太阳能电池的光电转换效率，并且由于底电池朝向薄膜太阳能电池一侧的电池结构中具有透明导电层，因此，无需额外设置中间层连通底电池和顶电池，降低了叠层太阳能电池的整体厚度和成本。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：沿第一方向依次层叠设置的薄膜太阳能电池和底电池；

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底朝向所述本征非晶硅层的表面的形貌为绒面形貌。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述基底朝向所述本征非晶硅层的表面上的绒面结构凸出所述基底表面的凸起高度为50nm至1μm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底和所述第一掺杂导电层中均包含第一掺杂离子，所述第二掺杂导电层中包含第二掺杂离子，所述第一掺杂离子和所述第二掺杂离子中的一者为p型离子，另一者为n型离子。

5.根据就权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层中所述第一掺杂离子的掺杂浓度为1017/cm3至1019/cm3。

6.根据权利要求1所述太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层包括沿第二方向交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区中掺杂离子的掺杂浓度大于所述第二掺杂区中掺杂离子的掺杂浓度；

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区朝向所述电极的表面的形貌为绒面形貌。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极在所述第二掺杂导电层朝向所述电极的表面的正投影位于所述第一掺杂区内。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第一掺杂导电层的厚度为5nm至30nm。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述本征非晶硅层的厚度为1nm至10nm。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述薄膜太阳能电池包括钙钛矿薄膜太阳能电池、cigs薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池或者iii-v薄膜太阳能电池。

12.一种光伏组件，其特征在于，包括：

技术总结
本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：沿第一方向依次层叠设置的薄膜太阳能电池和底电池；底电池包括沿第一方向层叠设置的透明导电层、第一掺杂导电层、本征非晶硅层、基底、第二掺杂导电层和电极，透明导电层朝向薄膜太阳能电池，电极位于第二掺杂导电层远离基底的表面上，并与第二掺杂导电层欧姆接触；其中，第一掺杂导电层包括掺杂非晶硅层或者掺杂微晶硅层。至少有利于降低太阳能电池的载流子汇集损耗，提高太阳能电池的光电转换效率。

技术研发人员：张远方,徐孟雷,杨洁,张昕宇
受保护的技术使用者：晶科能源股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16