电介质组合物及电子部件的制作方法

本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。

背景技术：

1、专利文献1中记载有一种与含有sr及ta作为主成分的电介质组合物相关的发明。

2、专利文献2中记载有一种与电介质陶瓷组合物相关的发明，该电介质陶瓷组合物包含第一成分及第二成分，该第一成分含有选自ca的氧化物、sr的氧化物及ba的氧化物中的一种以上、选自ti的氧化物及zr的氧化物中的一种以上、以及选自nb的氧化物及ta的氧化物中的至少一种以上作为必需成分，该第二成分含有mn的氧化物。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2022-111642号公报

6、专利文献2：国际公开第2018/074290号

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、本发明的目的在于得到相对介电常数、高温高电场下的电阻率及高温负载寿命均良好的电介质组合物等。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明的电介质组合物是含有以原子比计由(ba1-xsrx)arbzrc tado30+0.5e表示的钨青铜型复合氧化物作为主成分的电介质组合物，其中，

5、c＝(2a+3b-10)-e、d＝(20-2a-3b)+e，

6、r为选自la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、y及sc中的至少一种元素，

7、0.000≤x≤0.500

8、5.100≤a≤5.860

9、0.000≤b≤0.100

10、-0.150≤e≤0.150。

11、也可以是，0.000≤x≤0.100且5.500≤a≤5.800。

12、也可以是，0.020≤e≤0.100。

13、本发明的电子部件具备上述的电介质组合物。

技术特征：

1.一种电介质组合物，其中，

2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，

3.根据权利要求1或2所述的电介质组合物，其中，

4.一种电子部件，其中，

技术总结
本发明涉及一种电介质组合物及电子部件。所述电介质组合物含有以原子比计由(Ba<subgt;1‑</subgt;<subgt;x</subgt;Sr<subgt;x</subgt;)<subgt;a</subgt;R<subgt;b</subgt;Zr<subgt;c</subgt;Ta<subgt;d</subgt;O<subgt;30+0.5e</subgt;表示的钨青铜型复合氧化物作为主成分。c＝(2a+3b‑10)‑e、d＝(20‑2a‑3b)+e。R为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及Sc中的至少一种元素。0.000≤x≤0.500、5.100≤a≤5.860、0.000≤b≤0.100、‑0.150≤e≤0.150。

技术研发人员：秋场博树,高桥哲弘,井口俊宏
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/31