显示设备的制作方法

本公开涉及一种显示设备，并且更具体而言，涉及这样一种显示设备：在该显示设备中，多个薄膜晶体管由不同的半导体形成。

背景技术：

1、随着信息技术的发展，已经开发了一种显示设备，该显示设备可以以视觉图像的形式表示包含在电信息信号中的信息。因此，已经开发出各种类型的显示设备，这些设备中的一些设备具有诸如纤薄、重量轻和/或功耗低的优异特性。

2、显示设备的示例包括液晶显示设备(lcd)和诸如有机发光显示设备(oled)或量子点发光显示设备(qled)的电致发光显示设备。与液晶显示设备相比，电致发光显示设备可以是具有自发光特性的下一代显示设备，并且可以具有在视角、对比度、响应速度和功耗方面的优异特性。

3、电致发光显示设备可以包括用于显示图像的显示区域和设置为与显示区域相邻的非显示区域。可以布置在显示区域中的像素区域可以包括像素电路和发光元件。在像素电路中，可以设置多个薄膜晶体管以驱动发光元件。

4、可以根据用于半导体层的材料对薄膜晶体管进行分类。其中，最广泛使用的是低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管。正在积极开发将ltps薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管形成在同一基板上的电致发光显示设备的技术。

技术实现思路

1、因此，本公开的实施方式涉及一种显示设备，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或更多个问题。

2、本公开的发明人认识到，在显示设备的制造方法中，当利用不同的半导体形成多个薄膜晶体管时，可以改善像素的操作特性。

3、因此，本公开的发明人发明了一种显示设备，在该显示设备中，多个薄膜晶体管的半导体可以形成在不同的层上以形成具有不同半导体的多个薄膜晶体管。另外，可以减少对半导体元件的损坏。

4、因此，本公开的目的是提供一种薄膜晶体管和显示设备，其可以减少由于利用不同半导体材料形成多个薄膜晶体管所导致的在显示设备制造期间的对半导体元件的损坏。

5、本公开的其它优点、目的和特征将部分地在以下说明中得到阐述，并且将部分地在研读下文之后对于本领域技术人员而言变得显然，或者可以由对本公开的实践习知。本公开的目的和其它优点可以通过书面的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构而实现和获得。

6、根据本公开的一个方面，显示设备包括：基板，所述基板包括第一基板、第二基板和在所述第一基板和所述第二基板之间的无机绝缘层；第一缓冲层，所述第一缓冲层在基板上，其中，第一缓冲层包括n+1层，并且“n”是0或偶数；以及分别在所述第一缓冲层上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容器，其中，所述第一薄膜晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源层，其中，所述第二薄膜晶体管包括由氧化物半导体材料形成的第二有源层，并且其中，所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。

7、根据本公开的另一方面，一种显示设备包括：基板；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基板上；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：由低温多晶硅材料形成的第一有源层、与所述第一有源层交叠的第一栅极以及电连接到所述第一有源层的第一源极和第一漏极，其中第一栅极绝缘层位于所述第一栅极与所述第一有源层之间；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括：由氧化物半导体形成的第二有源层、与所述第二有源层交叠的第二栅极以及电连接到所述第二有源层的第二源极和第二漏极，其中第二栅极绝缘层位于所述第二栅极和所述第二有源层之间；存储电容器，所述存储电容器包括与所述第一栅极在相同的层上的第一电容器电极和与所述第一电容器电极交叠的第二电容器电极，其中第一层间绝缘层位于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间；以及第一阻挡层，所述第一阻挡层是所述第二电容器电极的与所述第二有源层交叠的延伸部。

8、根据本公开的另一方面，一种显示设备包括：基板；第一缓冲层，其在基板上；第一薄膜晶体管，其包括由低温多晶硅材料形成第一有源层，与第一有源层交叠并使第一栅极绝缘层在两者之间的第一栅极，以及电连接至第一有源层的第一源极和第一漏极；第二薄膜晶体管，其包括由氧化物半导体形成的第二有源层，与第二有源层交叠并且使第二栅极绝缘层在两者之间的第二栅极，以及电连接至第二有源层的第二源极和第二漏极；存储电容器，其包括与第一栅极在同一层上的第一电容器电极以及与第一电容器电极交叠并使第一层间绝缘层在两者之间的第二电容器电极；以及第一阻挡层，其是第一电容器电极的与第二有源层交叠的延伸部。

9、示例性实施方式的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。

10、根据本公开的实施方式，设置包括不同半导体材料的薄膜晶体管，从而提高显示设备的可靠性。

11、此外，根据本公开的实施方式，在两个聚酰亚胺(pi)之间形成无机层以阻挡在下部聚酰亚胺(pi)中的带电电荷，从而提高产品的可靠性。因此，可以省略形成金属层以阻挡聚酰亚胺pi中的带电电荷的工艺，从而可以简化工艺并且可以降低生产成本。

12、此外，根据本公开的实施方式，设置一体形成为连接到电容器电极的阻挡层，以便与包括氧化物半导体材料的薄膜晶体管的有源层交叠，从而抑制在基板中产生的氢扩散到有源层。此外，设置在阻挡层和有源层之间的缓冲层形成为由具有相对低的氢含量的上缓冲层和具有相对高的绝缘特性的下缓冲层形成的多层，使得与有源层的下表面接触的上缓冲层可以抑制氢扩散到薄膜晶体管的包括氧化物半导体材料的有源层。此外，设置在阻挡层和上缓冲层之间的下缓冲层可以抑制在阻挡层中的带电电荷传输到薄膜晶体管的有源层。

13、根据本公开的效果不限于上面例举的内容，并且在本说明书中包括更多各种效果。

14、应理解，本公开的前述一般描述和下述具体实施方式是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求的本公开的进一步解释。

技术特征：

1.一种显示设备，该显示设备包括：

2.根据权利要求1所述的显示设备，该显示设备还包括氢阻挡层，所述氢阻挡层是所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的一个或两个的延伸部，并且与所述第二有源层交叠。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层由氧化硅siox材料或氮化硅sinx材料形成。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层的所述n+1层包括：

7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述上层的厚度大于所述中间层的厚度和所述下层的厚度。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述中间层的厚度等于所述下层的厚度。

9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二有源层不与所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的至少一个交叠。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二有源层既不与所述第一电容器电极交叠，也不与所述第二电容器电极交叠。

11.根据权利要求1所述的显示设备，该显示设备还包括第一氢阻挡层，所述第一氢阻挡层与所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的一个接触同一层的上表面。

12.根据权利要求11所述的显示设备，该显示设备还包括第二氢阻挡层，所述第二氢阻挡层与所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的另一个接触同一层的上表面。

13.根据权利要求9所述的显示设备，该显示设备还包括：

14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，

15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第一氢阻挡层是所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的所述一个电容器电极的延伸部。

16.一种显示设备，该显示设备包括：

17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，

18.根据权利要求17所述的显示设备，该显示设备还包括：

19.根据权利要求17所述的显示设备，该显示设备还包括第二氢阻挡层，所述第二氢阻挡层是所述第一电容器电极和所述第二电容器电极中的另一个的延伸部，

20.根据权利要求18所述的显示设备，其中，

21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述第二上缓冲层是二氧化硅sio2层。

22.根据权利要求18所述的显示设备，其中，

23.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述第二源极和所述第二漏极通过所述第二层间绝缘层的接触孔电连接到所述第二有源层。

24.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述第一源极和所述第一漏极通过所述第二层间绝缘层、所述第二缓冲层、所述第一层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层的接触孔而电连接到所述第一有源层。

25.根据权利要求22所述的显示设备，该显示设备还包括：

26.根据权利要求25所述的显示设备，其中，所述连接电极通过所述第二层间绝缘层和所述第二缓冲层的接触孔而电连接到所述第二电容器电极。

27.根据权利要求22所述的显示设备，该显示设备还包括：

28.根据权利要求27所述的显示设备，其中，所述第一连接电极和所述第二连接电极通过所述第二层间绝缘层和所述第二缓冲层的接触孔而电连接到所述第二电容器电极。

29.一种显示设备，该显示设备包括：

30.根据权利要求29所述的显示设备，该显示设备还包括第二氢阻挡层，

31.根据权利要求30所述的显示设备，其中，

32.根据权利要求29所述的显示设备，其中，

技术总结
一种显示设备，该显示设备包括基板、基板上的第一缓冲层以及设置在第一缓冲层上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和存储电容器。第一薄膜晶体管包括由低温多晶硅材料形成的第一有源层，第二薄膜晶体管包括由氧化物半导体材料形成的第二有源层，并且存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。

技术研发人员：全镇埰,卢韶颖,郑义振,金银成,申铉秀,金元炅,李帝贤
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16