一种阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

1、液晶显示器是目前所有最广泛的一种平板显示器，可为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(pda)、数字相机以及计算机等提供具有高分辨率的彩色屏幕。其中，ffs(fringe field switching，边缘场开关技术)模式的液晶显示器以其观看视角广以及开口率高等特点受到广大用户的喜爱。

2、目前的ffs模式的液晶显示器的阵列基板中，像素电极和公共电极之间的介电层(栅极绝缘层+钝化层)厚度较大，导致像素的存储电容偏小，导致像素电极和公共电极产生耦合时的电压波动偏大，容易出现画面闪烁(flicker)和特殊画面显示异常(crosstalk)的现象，导致液晶显示器无法量产；容易导致vop偏高，导致功耗增加。vop是液晶的一个参数，即开启电压(偏转程度最大时候的跨压)。

3、目前，为了降低像素电极和公共电极之间的介电层的厚度，通常在对源漏极层上的光阻进行ash处理之前对栅极绝缘层进行刻蚀，将栅极绝缘层进行减薄，但是目前的栅极绝缘层的刻蚀速率难以控制，导致难以保证栅极绝缘层的厚度均一性。如果在对源漏极层上的光阻进行ash处理之前将像素电极和公共电极之间的栅极绝缘层全部去除，容易导致栅极裸露，后期进行源漏极层的刻蚀时，容易将裸露出来的栅极刻蚀掉，导致阵列基板失效。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其能够解决栅极绝缘层的厚度均一性较差造成的品味下降的问题，并可以降低薄膜晶体管失效的概率。

2、为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，其包括薄膜晶体管区和像素开口区，所述阵列基板包括：基板；第一导体层，设置于所述基板上，所述第一导体层包括图案化设置在所述薄膜晶体管区的栅极；保护层，设置于所述第一导体层上，所述保护层包括覆盖设置于所述栅极上的栅极保护单元；栅极绝缘层，设置于所述栅极保护单元上；有源层，设置于所述薄膜晶体管区，且位于所述栅极绝缘层上；第二导体层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧，其包括相互间隔且设置于所述薄膜晶体管区的源极和漏极。

3、进一步的，所述第一导体层包括设置于所述基板上的第一子导体层和层叠设置于所述第一子导体层上的第二子导体层，所述栅极位于所述第二子导体层中，所述阵列基板还包括设置在所述像素开口区内的像素电极和公共电极，所述第一子导体层复用为所述像素电极和所述公共电极的一者。

4、进一步的，所述阵列基板还包括：钝化层，层叠设置于所述第二导体层远离所述基板的一侧；以及第三导体层，设置于所述钝化层上，所述第三导体层包括所述像素电极和所述公共电极中的另一者。

5、进一步的，所述第三导体层还包括漏极连接部，所述钝化层上设有暴露所述第一子导体层的漏极接触孔，所述漏极连接部通过所述漏极接触孔将所述漏极与所述第一子导体层电连接。

6、进一步的，所述第一导体层还包括与所述栅极间隔设置的公共走线，所述保护层还包括覆盖设置于所述公共走线上的公共走线保护单元。

7、为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管区和像素开口区，包括以下步骤：在一基板上制备第一导体材料层，并图案化所述第一导体材料层形成包括设置在所述薄膜晶体管区的栅极的第一导体层；在所述第一导体层上制备保护材料层，并图案化所述保护材料层形成包括覆盖在所述栅极上的栅极保护单元的保护层；在所述保护层上制备栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘材料层上制备半导体层；在所述半导体层远离所述基板的一侧制备第二导体材料层；在所述第二导体材料层上制备光阻层；以所述光阻层为掩膜图案化所述第二导体材料层和所述半导体层，并保留位于所述薄膜晶体管区内的部分，所述半导体层被图案化形成有源层；刻蚀所述栅极绝缘材料层和所述光阻层，去除未被所述有源层覆盖的栅极绝缘材料层形成栅极绝缘层，并去除部分所述光阻层以露出所述第二导体材料层；刻蚀未被所述光阻层覆盖的所述第二导体材料层，形成包括相互间隔的源极和漏极的第二导体层。

8、进一步的，所述刻蚀未被所述光阻层覆盖的所述第二导体材料层的步骤中采用的刻蚀液无法刻蚀所述保护材料层。

9、进一步的，所述在一基板上制备第一导体材料层，并图案化所述第一导体材料层形成包括设置在所述薄膜晶体管区的栅极的第一导体层；在所述第一导体层上制备保护材料层，并图案化所述保护材料层形成包括覆盖在所述栅极上的栅极保护单元的保护层的步骤包括：在所述基板上制备第一子导体材料层；在所述第一子导体材料层上制备第二子导体材料层；在所述第二子导体材料层上制备所述保护材料层；对所述保护材料层、所述第二子导体材料层以及所述第一子导体材料层进行图案化处理分别形成所述保护层、所述第二子导体层以及所述第一子导体层，位于所述像素开口区的所述第一子导体层复用为像素电极和公共电极中的一者，所述第二子导体层包括栅极以及与栅极相互间隔的公共走线，所述保护层包括分别覆盖于所述栅极和所述公共走线上的栅极保护单元和公共走线保护单元。

10、进一步的，阵列基板的制备方法还包括以下步骤：在所述第二导体层远离所述基板的一侧制备钝化层，对所述钝化层进行图案化处理形成暴露所述第一子导体层的源极接触孔；在所述钝化层上制备第三导体层，图案化所述第三导体层形成所述像素电极和所述公共电极中的另一者以及将所述漏极与所述第一子导体层电连接的漏极连接部。

11、为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括本发明所述的阵列基板。

12、本发明的优点是：本发明在第一导体层远离所述基板的一侧设置保护层，利用保护层中的栅极保护单元保护第一导体层中的栅极，防止对第二导体层进行刻蚀时刻蚀到栅极，避免栅极被刻蚀掉导致阵列基板失效。利用栅极保护单元保护栅极，由此可以将像素电极和公共电极之间的栅极绝缘层全部去除，提升存储电容，降低vop，降低功耗，避免出现画面闪烁和特殊画面显示异常现象，同时可以保证像素电极和公共电极之间的介电层的厚度的均一性，提升显示面板的品味。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管区和像素开口区，所述阵列基板包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导体层还包括漏极连接部，所述钝化层上设有暴露所述第一子导体层的漏极接触孔，所述漏极连接部通过所述漏极接触孔将所述漏极与所述第一子导体层电连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管区和像素开口区，包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀未被所述光阻层覆盖的所述第二导体材料层的步骤中采用的刻蚀液无法刻蚀所述保护材料层。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在一基板上制备第一导体材料层，并图案化所述第一导体材料层形成包括设置在所述薄膜晶体管区的栅极的第一导体层；在所述第一导体层上制备保护材料层，并图案化所述保护材料层形成包括覆盖在所述栅极上的栅极保护单元的保护层的步骤包括：

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。

技术总结
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。本发明在第一导体层远离所述基板的一侧设置保护层，利用保护层中的栅极保护单元保护第一导体层中的栅极，防止对第二导体层进行刻蚀时刻蚀到栅极，避免栅极被刻蚀掉导致阵列基板失效。利用栅极保护单元保护栅极，由此可以将像素电极和公共电极之间的栅极绝缘层全部去除，提升存储电容，降低VOP，降低功耗，避免出现画面闪烁和特殊画面显示异常现象，同时可以保证像素电极和公共电极之间的介电层的厚度的均一性，提升显示面板的品味。

技术研发人员：孙正娟,苏子芳,戴荣磊
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1