本发明涉及石英外延圆板加工,具体是涉及一种半导体石英外延圆板加工工艺。
背景技术:
1、半导体石英外延类圆板是半导体加工行业中外延工艺必须具备的常用石英耗材,随着半导体行业快速发展,需求量增长速度非常快。传统的半导体石英外延类圆板的加工技术,都是分多步骤,累积拼凑而成,如图1,加工步骤繁多,加工平面度差,制品开裂率很高,一次合格率和产能低。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是提供一种半导体石英外延圆板加工工艺,以解决上述不足。
2、为解决上述技术问题,本发明提供以下技术方案:一种半导体石英外延圆板加工工艺,包括以下步骤:(1)底板下料;(2)底板平磨;(3)底板激光;(4)底板洗净;(5)底板精烧;(6)环1/4焊接;(7)环平磨;(8)环机械加工;(9)底板和环焊接,进行套料组立焊接;(10)最终品精烧,对石英表面进行火焰抛光,使石英制品表面达到镜面状态;(11)洗净。
3、进一步的,所述(10)最终品精烧过程采用圆板切西瓜法精烧加工工艺,所述圆板切西瓜法精烧加工工艺包括外延区域精烧,中心区域精烧,中心上沿区域精烧和中心下沿区域精烧。
4、进一步的,所述圆板切西瓜法精烧加工工艺先对外延区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心轴的逆时针方向,其次对中心区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心向四周扩散,接着对中心上沿区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心轴的逆时针方向,最后对中心下沿区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心轴的逆时针方向。
5、本发明与现有技术相比具有的有益效果是:本发明提供的加工工艺,简简化了加工步骤,提升一次合格率和产能;通过石英外延类圆板优化部品环组立,焊接工艺;通过圆板切西瓜法精烧加工工艺,提升工制品的成型合格率。
1.一种半导体石英外延圆板加工工艺,其特征在于:包括以下步骤:(1)底板下料;(2)底板平磨;(3)底板激光;(4)底板洗净;(5)底板精烧;(6)环1/4焊接;(7)环平磨;(8)环机械加工;(9)底板和环焊接,进行套料组立焊接;(10)最终品精烧,对石英表面进行火焰抛光,使石英制品表面达到镜面状态;(11)洗净。
2.根据权利要求1所述的半导体石英外延圆板加工工艺,其特征在于,所述(10)最终品精烧过程采用圆板切西瓜法精烧加工工艺,所述圆板切西瓜法精烧加工工艺包括外延区域精烧,中心区域精烧,中心上沿区域精烧和中心下沿区域精烧。
3.根据权利要求1所述的半导体石英外延圆板加工工艺,其特征在于,所述圆板切西瓜法精烧加工工艺先对外延区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心轴的逆时针方向,其次对中心区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心向四周扩散,接着对中心上沿区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心轴的逆时针方向,最后对中心下沿区域进行精烧,精烧方向为沿圆板中心轴的逆时针方向。