半导体器件及其制造方法与流程

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，并且可以适用于例如包括振荡电路的半导体器件及其制造方法。

背景技术：

1、下面列出了公开的技术。

2、[专利文献1]日本特开平9-45906号专利

3、[专利文献2]日本特开2019-9345号专利

4、专利文献1公开了一种在形成源极区域和漏极区域之后形成袋区域的技术。

5、专利文献2公开了与包括振荡电路的半导体器件相关的技术。

技术实现思路

1、期望提高包括振荡电路的半导体器件的性能。

2、从本说明书和附图的描述中，其他目的和新颖特征将变得显而易见。

3、根据一个实施例，包括振荡电路的半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的多个第一misfet和形成在半导体衬底中的多个第二misfet。多个第一misfet中的每个第一misfet包括晕圈区域，并且多个第二misfet中的每个第二misfet不包括晕圈区域。多个第二misfet用作振荡电路中包括的晶体管对。

4、根据一个实施例，可以提高包括振荡电路的半导体器件的性能。

技术特征：

1.一种包括振荡电路的半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

8.一种包括振荡电路的半导体器件，其包括：

9.根据权利要求8的半导体器件，包括：

10.根据权利要求8的半导体器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体器件，

12.根据权利要求10所述的半导体器件，

13.根据权利要求10所述的半导体器件，

14.根据权利要求13所述的半导体器件，

15.根据权利要求13所述的半导体器件，

16.一种制造包括振荡电路的半导体器件的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，

18.根据权利要求16所述的方法，

19.根据权利要求16所述的方法，

20.根据权利要求16所述的方法，

技术总结
一种包括振荡电路的半导体器件，其包括在半导体衬底上形成的具有晕圈区域的MISFET和在该半导体衬底上形成的不具有晕圈区域的多个MISFET。该不具有晕圈区域的多个MISFET的栅极电极彼此电连接。在该振荡电路中包括的晶体管对中使用不具有晕圈区域的多个MISFET。

技术研发人员：池田菜摘,河合彻
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29