半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体，尤其是涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、随着科技的发展，半导体装置的应用越来越广泛。半导体装置工作在高电压、大电流下，较高的工作功率会使半导体装置发热。为保证功率半导体装置的正常工作，需要保证保证半导体的散热，避免半导体装置存在局部过热。

2、在相关技术中，由于半导体装置上不同位置的散热能力不同，而半导体装置的结构设计不够合理，导致半导体装置各区域的结温不均匀，半导体装置存在局部位置过热，半导体装置容易发生热损毁。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种半导体装置，该半导体装置的散热更加均匀，工作热稳定性更佳。

2、根据本发明实施例的半导体装置，包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的体区，所述体区设置于所述漂移层的上表面；沟槽部，所述沟槽部设置于所述体区的上表面，所述沟槽部向下贯穿所述体区，所述沟槽部到达所述漂移层，所述沟槽部为多个，多个所述沟槽部在第一方向上间隔设置；第一导电类型的发射极区，所述发射极区设置于所述体区上表面，所述发射极区位于相邻两个所述沟槽部之间，在俯视观察时，所述沟槽部在第二方向上延伸，相邻两个所述沟槽部之间设置有多个在第二方向上间隔设置的所述发射极区，在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上，相邻两个所述发射极区之间的距离逐渐减小，其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。

3、由此，通过在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上，将相邻两个发射极区之间的距离设置地逐渐减小，这样可以优化发射极区的设置位置，使发射极区的设置位置与半导体装置不同位置的散热能力相匹配，可以提升半导体装置的散热均匀性，保证半导体装置结温一致，提高半导体装置的工作热稳定性。

4、在本发明的一些示例中，相邻两个所述沟槽部之间的多个所述发射极区的宽度相等。

5、在本发明的一些示例中，相邻两个所述沟槽部之间的多个所述发射极区关于第二方向中部的发射极区对称设置。

6、在本发明的一些示例中，多个所述发射极区组成多个在第二方向上间隔设置的发射极区组，所述发射极区组包括多个在第一方向上间隔设置的发射极区，所述发射极区组中相邻两个所述发射极区的距离相等。

7、在本发明的一些示例中，所述发射极区组中的多个所述发射极区关于第一方向中部的所述发射极区对称设置。

8、在本发明的一些示例中，相邻两个所述沟槽部之间的多个所述发射极区的宽度在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上逐渐增大。

9、在本发明的一些示例中，多个所述发射极区组成多个在第二方向上间隔设置的发射极区组，所述发射极区组包括多个在第一方向上间隔设置的发射极区，所述发射极区组中的多个所述发射极区的宽度均相等。

10、在本发明的一些示例中，多个所述发射极区组成多个在第二方向上间隔设置的发射极区组，所述发射极区组包括多个在第一方向上间隔设置的发射极区，所述发射极区组中的多个所述发射极区的宽度在从第一方向的中间向两侧延伸的方向上逐渐增大。

11、在本发明的一些示例中，所述发射极区组中的多个所述发射极区关于第一方向中部的所述发射极区对称设置。

12、在本发明的一些示例中，所述半导体装置包括有源区和终端区，所述终端区环绕设置于所述有源区的四周，所述发射极区设置于所述有源区中。

13、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，相邻两个所述沟槽部之间的多个所述发射极区的宽度相等。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，相邻两个所述沟槽部之间的多个所述发射极区关于第二方向中部的发射极区对称设置。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，多个所述发射极区组成多个在第二方向上间隔设置的发射极区组，所述发射极区组包括多个在第一方向上间隔设置的发射极区，所述发射极区组中相邻两个所述发射极区的距离相等。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极区组中的多个所述发射极区关于第一方向中部的所述发射极区对称设置。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，相邻两个所述沟槽部之间的多个所述发射极区的宽度在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上逐渐增大。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，多个所述发射极区组成多个在第二方向上间隔设置的发射极区组，所述发射极区组包括多个在第一方向上间隔设置的发射极区，所述发射极区组中的多个所述发射极区的宽度均相等。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，多个所述发射极区组成多个在第二方向上间隔设置的发射极区组，所述发射极区组包括多个在第一方向上间隔设置的发射极区，所述发射极区组中的多个所述发射极区的宽度在从第一方向的中间向两侧延伸的方向上逐渐增大。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极区组中的多个所述发射极区关于第一方向中部的所述发射极区对称设置。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括有源区和终端区，所述终端区环绕设置于所述有源区的四周，所述发射极区设置于所述有源区中。

技术总结
本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的体区；沟槽部；第一导电类型的发射极区，发射极区设置于体区上表面且位于相邻两个沟槽部之间，在俯视观察时，沟槽部在第二方向上延伸，相邻两个沟槽部之间设置有多个在第二方向上间隔设置的发射极区，在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上，相邻两个发射极区之间的距离逐渐减小，其中，第一方向和第二方向相互垂直。由此，这样可以优化发射极区的设置位置，使发射极区的设置位置与半导体装置不同位置的散热能力相匹配，可以提升半导体装置的散热均匀性，保证半导体装置结温一致，提高半导体装置的工作热稳定性。

技术研发人员：张永旺,陈道坤,刘恒,储金星,杨晶杰,刘子俭,周文杰
受保护的技术使用者：海信家电集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15