半导体装置的制作方法

本公开涉及半导体装置。

背景技术：

1、已知：在基底上搭载设有晶体管的半导体芯片和阻抗匹配用的匹配电路元件，使用接合线将晶体管与匹配电路元件电连接(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2012－38837号公报

5、在经由半导体芯片的基板将在晶体管中产生的热释放至基底的情况下，通过增大基板的俯视面积，能降低基板的热阻。但是，当增大基板的面积时，将晶体管与匹配电路元件连接的接合线会变长。由此，由匹配电路元件实现的阻抗匹配会变难，有时高频特性会劣化。

技术实现思路

1、本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于抑制高频特性的劣化。

2、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，其具备：半导体芯片，具备基板、晶体管以及金属图案，其中，所述晶体管设于所述基板的上表面，具有供高频信号输入的输入电极、供高频信号输出的输出电极以及被供给基准电位的基准电位电极，所述金属图案设于所述基板的上表面，与所述基准电位电极电连接；第一电容器，具备设于所述金属图案上并且与所述金属图案电连接的第一下部电极、设于所述第一下部电极上的第一电介质层以及设于所述第一电介质层上的第一上部电极；以及第一接合线，将作为所述输入电极和所述输出电极的任一个的第一电极与所述第一上部电极电连接。

3、发明效果

4、根据本公开，能抑制高频特性的劣化。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的半导体装置，具备：

6.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的半导体装置，具备：

7.根据权利要求5所述的半导体装置，具备：

8.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的半导体装置，

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1、2以及4中任一项所述的半导体装置，

技术总结
本公开提供能抑制高频特性的劣化的半导体装置。半导体装置具备：半导体芯片(10)，具备基板(11)、晶体管(60)以及金属图案(20)，其中，所述晶体管(60)设于所述基板的上表面，具有供高频信号输入的输入电极、供高频信号输出的输出电极以及被供给基准电位的基准电位电极，所述金属图案(20)设于所述基板的上表面，与所述基准电位电极电连接；第一电容器(30)，具备设于所述金属图案上并且与所述金属图案电连接的第一下部电极、设于所述第一下部电极上的第一电介质层以及设于所述第一电介质层上的第一上部电极；以及第一接合线(42)，将作为所述输入电极和所述输出电极的任一个的第一电极与所述第一上部电极电连接。

技术研发人员：西原信
受保护的技术使用者：住友电工光电子器件创新株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29